制造半导体器件的方法与流程

本发明构思涉及制造半导体器件的方法。

背景技术：

1、近来，随着对于半导体器件的高度集成的趋势，构成半导体器件的元件的尺寸已减小。随着部件的尺寸减小，在部件中出现的小的缺陷越来越多地影响半导体器件的性能或特性。

技术实现思路

1、本发明构思的一个方面是提供制造其中电特性改善的半导体器件的方法。

2、根据本发明构思的一个方面，制造半导体器件的方法包括：在基板上提供第一前体以使所述第一前体的第一元素吸附到所述基板的第一区域上，在所述基板上提供第二前体以使所述第二前体的第二元素吸附到所述基板的第二区域上，所述第二区域不同于所述第一区域，和在所述基板上提供包括氧的反应物以形成包括所述第一前体的所述第一元素、所述第二前体的所述第二元素、和所述反应物的氧的氧化物半导体层。

3、根据本发明构思的一个方面，制造半导体器件的方法包括：在基板上提供第一前体以使所述第一前体的第一元素吸附到所述基板的第一区域上，在所述基板上提供第二前体以使所述第二前体的第二元素吸附到所述基板的第二区域上，所述第二区域不同于所述第一区域，在所述基板上提供包括氧的第一反应物以形成包括所述第一前体的所述第一元素、所述第二前体的所述第二元素、和所述第一反应物的氧的第一氧化物半导体层，在所述基板上提供第三前体以使所述第三前体的第三元素吸附到所述第一氧化物半导体层上，和在所述基板上提供包括氧的第二反应物以形成包括所述第三前体的所述第三元素和所述第二反应物的氧的第二氧化物半导体层。

4、根据本发明构思的一个方面，制造半导体器件的方法包括：在基板上形成器件隔离层以限定活性区域(有源区域)，在所述基板中形成在第一方向上延伸以与所述活性区域交叉的沟槽，在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的第一部分的沟道层，和在所述沟槽中在所述沟道层上形成字线，其中形成沟道层包括：在所述沟槽中提供第一前体以使所述第一前体的第一元素吸附到所述第一部分的第一区域上，在所述沟槽中提供第二前体以使所述第二前体的第二元素吸附到所述第一部分的第二区域上，所述第二区域不同于所述第一区域，和在所述沟槽中提供包括氧的第一反应物以形成包括所述第一前体的所述第一元素、所述第二前体的所述第二元素、和所述第一反应物的氧的第一氧化物半导体层。

技术特征：

1.制造半导体器件的方法，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化物半导体层包括氧空位，并且所述氧空位的浓度大于0且小于或等于10％。

3.制造半导体器件的方法，所述方法包括：

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第三前体的所述第三元素与所述第一前体的所述第一元素或所述第二前体的所述第二元素相同。

5.如权利要求3所述的方法，其中

6.如权利要求3所述的方法，其中所述第一反应物和所述第二反应物包括相同的材料。

7.制造半导体器件的方法，所述方法包括：

8.如权利要求1或7所述的方法，其中所述第一前体的所述第一元素为铟(in)和镓(ga)的任一种，且所述第二前体的所述第二元素为铟(in)和镓(ga)的另一种。

9.如权利要求1、3或7所述的方法，其中所述第一前体包括如下的至少一种：硝酸铟、氢氧化铟、氟化铟、氯化铟、溴化铟、碘化铟、氧化铟、硫酸铟、羧酸铟、和乙酰丙酮铟。

10.如权利要求1、3或7所述的方法，其中所述第二前体包括如下的至少一种：乙酰丙酮镓、氟化镓、氯化镓、溴化镓、碘化镓、氧化镓、硝酸镓、硫酸镓、和羧酸镓。

11.如权利要求1、3或7所述的方法，其中所述反应物包括如下的至少一种：氧气(o2)、臭氧(o3)、水蒸气(h2o)和过氧化氢(h2o2)。

12.如权利要求1、3或7所述的方法，进一步包括：

13.如权利要求12所述的方法，其中所述吹扫气体包括氩气(ar)或氮气(n2)。

14.如权利要求7所述的方法，其中

15.如权利要求1或7所述的方法，其中提供第一前体、提供第二前体、和提供第一反应物进行多次。

16.如权利要求7所述的方法，进一步包括：

17.如权利要求7所述的方法，其中

18.如权利要求7所述的方法，其中

19.如权利要求7所述的方法，其中

技术总结
可提供制造半导体器件的方法，其包括：在基板上提供第一前体以使所述第一前体的第一元素吸附到所述基板的第一区域上，在所述基板上提供第二前体以使所述第二前体的第二元素吸附到所述基板的第二区域上，所述第二区域不同于所述第一区域，和在所述基板上提供包括氧的反应物以形成包括所述第一前体的所述第一元素、所述第二前体的所述第二元素、和所述反应物的氧的氧化物半导体层。

技术研发人员：金俞琳,金台原,李昇姬,张胜愚,卓容奭
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15