1.一种芯片载体的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的芯片载体的形成方法，其特征在于，所述侧墙结构的形成方法包括：在所述初始凹槽底部表面、侧壁表面以及基板顶部表面形成侧墙材料层；回刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出所述基板顶部表面以及初始凹槽底部表面，在所述初始凹槽侧壁表面形成侧墙结构。
3.如权利要求1所述的芯片载体的形成方法，其特征在于，所述侧墙结构为单层结构。
4.如权利要求3所述的芯片载体的形成方法，其特征在于，所述侧墙结构的材料包括氮化硅或柔性材料。
5.如权利要求1所述的芯片载体的形成方法，其特征在于，所述侧墙结构为双层结构，所述侧墙结构包括位于初始凹槽侧壁表面第一侧墙以及位于第一侧墙表面的第二侧墙，所述第二侧墙的材料硬度小于所述第一侧墙的材料硬度。
6.如权利要求5所述的芯片载体的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括氮化硅；所述第二侧墙的材料包括聚乙烯醇、聚酯或聚酰亚胺或聚萘二甲酸乙二醇酯。
7.如权利要求1所述的芯片载体的形成方法，其特征在于，所述侧墙结构包括多层侧墙，所述侧墙的层数大于2；各所述侧墙的材料硬度相同或不同。
8.如权利要求1所述的芯片载体的形成方法，其特征在于，各所述第一开口的底部尺寸与各芯片结构的尺寸相等。
9.如权利要求1所述的芯片载体的形成方法，其特征在于，所述初始基板的材料包括氧化硅。
10.一种芯片载体，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的芯片载体，其特征在于，所述侧墙结构为单层结构。
12.如权利要求11所述的芯片载体，其特征在于，所述侧墙结构的材料包括氮化硅或柔性材料。
13.如权利要求10所述的芯片载体，其特征在于，所述侧墙结构为双层结构，所述侧墙结构包括位于初始凹槽侧壁表面第一侧墙以及位于第一侧墙表面的第二侧墙，所述第二侧墙的材料硬度小于所述第一侧墙的材料硬度。
14.如权利要求13所述的芯片载体，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括氮化硅；所述第二侧墙的材料包括聚乙烯醇、聚酯或聚酰亚胺或聚萘二甲酸乙二醇酯。
15.一种晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，包括：
16.如权利要求15所述的晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，各芯片结构的形成方法包括：提供初始晶圆结构，所述初始晶圆结构具有若干芯片区以及位于相邻芯片区之间的切割道区；沿切割道区将所述初始晶圆结构切割为若干芯片结构。
17.如权利要求16所述的晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，切割所述初始晶圆结构的工艺包括：等离子体干法刻蚀切割工艺。
18.如权利要求16所述的芯片载体的形成方法，其特征在于，所述初始晶圆结构包括：初始晶圆器件层；位于初始晶圆器件层上的初始介质层；位于初始介质层内的第一电互连层；位于第一电互连层和初始介质层表面的初始第一保护层；将初始晶圆结构切割后，所述初始晶圆器件层成为第一器件层，所述初始介质层成为第一介质层，所述初始第一保护层成为第一保护层，暴露出的第一器件层表面为各芯片结构的第一面，暴露出的第一保护层的表面为各芯片结构的第二面。
19.如权利要求18所述的芯片载体的形成方法，其特征在于，在切割所述初始晶圆结构之前，还包括：将所述初始第一保护层与初始载体贴合；将所述初始晶圆器件层贴合于粘合结构表面；去除所述初始载体，暴露出所述初始第一保护层表面；在形成各芯片结构之后，还包括：去除所述粘合结构。
20.如权利要求15所述的晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，将各芯片结构固定于所述芯片载体之后，还包括：在各所述芯片结构表面以及基板表面填充第二保护层；平坦化所述第二保护层；在所述第二保护层内形成第一混合键合插塞。
21.如权利要求15所述的晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，所述目标晶圆包括：第二器件层，所述第二器件层内具有电连接插塞；位于所述第二器件层表面的第三介质层；位于所述第三介质层内的第二电互连层；位于所述第三介质层以及第二电互连层表面的第四介质层；位于所述第四介质层内的第二混合键合插塞，所述第三面暴露出所述第二混合键合插塞，所述第四面暴露出所述第二器件层。
22.如权利要求21所述的晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，在芯片结构与目标晶圆键合之后，还包括：对所述第二器件层进行减薄处理，直至暴露出所述电连接插塞；在所述电连接插塞表面形成焊球。