半导体发光元件的制作方法

本公开的发明涉及半导体发光元件。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种发光元件，其具有：半导体层叠部，层叠有第一半导体层、活性层、及第二半导体层；电连接于第一半导体层的n电极；电连接于第二半导体层的p电极；以及n电极。在这种发光元件中，提出了以覆盖第一半导体层与n电极的导通部的方式形成在p电极上形成的第一镀敷电极。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利第5985782号公报

技术实现思路

1、发明将要解决的课题

2、在专利文献1公开的半导体发光元件中，要求进一步提高发光效率以及散热性。

3、本公开的目的在于提供具有较高的发光效率以及较高的散热性的半导体发光元件。

4、用于解决课题的手段

5、为了实现以上的目的，本公开的半导体发光元件具备：

6、半导体构造体，其具有：n侧半导体层，在俯视时具有第一区域、位于所述第一区域的外周的第二区域以及被所述第一区域包围的多个第三区域；发光层，配置在所述第一区域上；以及p侧半导体层，配置在所述发光层上；

7、第一绝缘膜，其配置在所述半导体构造体上，具有配置在所述第三区域上的多个第一开口部与配置在所述p侧半导体层上的多个第二开口部；

8、n侧电极，其配置在所述第一绝缘膜上，在所述多个第一开口部与所述n侧半导体层电连接；

9、n焊盘电极，其配置于所述第二区域，与所述n侧电极电连接；

10、第二绝缘膜，其配置在所述第一绝缘膜上，具有配置于与所述多个第二开口部重叠的位置的多个第三开口部；以及

11、p焊盘电极，其配置在所述第二绝缘膜上，在所述多个第三开口部与所述p侧半导体层电连接，

12、在俯视时，所述p焊盘电极覆盖所述第一区域以及所述第三区域，

13、在俯视时，所述多个第一开口部配置于所述第三开口部的周围。。

14、发明效果

15、根据如以上那样构成的本公开的半导体发光元件，能够实现发光效率以及散热性的提高。

技术特征：

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

10.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于，

13.根据权利要求11或12所述的半导体发光元件，其特征在于，

技术总结
提供实现了发光效率以及散热性的提高的半导体发光元件。本公开的半导体发光元件(1)具备：半导体构造体(10)，具有n侧半导体层(11)、配置于第一区域上的发光层(12)、及配置于发光层(12)上的p侧半导体层(13)，所述n侧半导体层(11)在俯视时具有第一区域(R1)、位于第一区域(R1)的外周的第二区域(R2)、及被第一区域(R1)包围的多个第三区域(R3)；第一绝缘膜(20)，配置在半导体构造体(10)上，具有配置在第三区域(R3)上的多个第一开口部(h1)与配置在p侧半导体层(13)上的多个第二开口部(h2)；n侧电极(40)，配置在第一绝缘膜(20)上，在多个第一开口部(h1)与n侧半导体层(11)电连接；n焊盘电极(60)，配置于第二区域(R2)，与n侧电极(40)电连接；第二绝缘膜(30)，配置于第一绝缘膜(20)上，具有配置于与多个第二开口部(h2)重叠的位置的多个第三开口部(h3)；以及p焊盘电极(70)，配置于第二绝缘膜(30)上，在多个第三开口部(h3)与p侧半导体层(13)电连接，在俯视时，p焊盘电极(70)覆盖第一区域(R1)以及第三区域(R3)，在俯视时，多个第一开口部(h1)配置于第三开口部(h3)的周围。

技术研发人员：细川泰伸,大塚匠
受保护的技术使用者：日亚化学工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15