半导体元件及其制作方法与流程

本发明涉及发光元件，特别是涉及一种具有导电凸块的发光元件的结构及其制作方法。

背景技术：

1、发光二极管(light-emitting diode；led)具有耗能低、寿命长、体积小、反应速度快以及光学输出稳定等特性，已广泛应用于照明及显示器领域。

2、随着led技术不断地演进，led裸片的亮度不断地提升，led裸片的尺寸也逐步缩小，例如：小于100μm、50μm、或是30μm，led裸片的用途不再局限于一般照明或是作为lcd屏幕的背光源。led裸片直接作为led显示器的像素有机会成为下一代显示器的趋势。

3、一led显示器，需要数百万乃至数千万颗led裸片。处理如此庞大的led裸片需要快速、精密的排列以及高可靠性的固晶技术。

技术实现思路

1、一半导体元件，包含一半导体叠层、一保护层位于半导体叠层上、一电极位于半导体叠层上与半导体叠层电连接、以及一导电凸块位于电极上。导电凸块的顶部到保护层的最上表面定义为导电凸块的厚度，导电凸块的厚度与导电凸块的最大宽度的比值介于0.1～0.4。

2、一制作半导体元件的方法，包含提供一基板、形成一半导体叠层于基板上、形成一电极于半导体叠层上、形成一接合垫于电极上、形成一胶料于接合垫上、提供一激光能量照射接合垫、胶料，接合垫熔融后形成一导电凸块位于电极上，该胶料覆盖导电凸块、以及清洗胶料。

技术特征：

1.一种半导体元件，包含：

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含多个颗粒离散分布于该导电凸块内。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该多个颗粒的材料与电极的材料部分相同，并与该导电凸块不同。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该电极具有凹部，该导电凸块填满该凹部。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中，在俯视图，该导电凸块大致上为矩形。

6.一种半导体元件，包含：

7.如权利要求6所述的制作半导体元件，其中，该导电凸块具有最外表面，该最外表面不与该电极平行且具有外凸的圆弧形状。

8.如权利要求6所述的制作半导体元件，其中，该电极具有多层彼此相叠的金属层。

9.如权利要求6所述的制作半导体元件，其中，该导电凸块内具有多个离散分布的颗粒，该多个颗粒的材料与电极的材料部分相同，并与该导电凸块不同。

10.如权利要求6所述的制作半导体元件，其中，在该导电凸块于平行该电极边长的方向上的剖面形状不等于该电极的对角线方向上的剖面形状。

技术总结
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一半导体叠层、一保护层位于半导体叠层上、一电极位于半导体叠层上与半导体叠层电连接、以及一导电凸块位于电极上。导电凸块的顶部到保护层的最上表面定义为导电凸块的厚度，导电凸块的厚度与导电凸块的最大宽度的比值介于0.1～0.4，且电极的材料不含有金元素。

技术研发人员：庄嘉兴,胡玮珊,郑景太,廖世安
受保护的技术使用者：晶元光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15