半导体器件的制作方法

一个或多个示例实施例涉及一种半导体器件。

背景技术：

1、近来，根据半导体器件的高集成度的趋势，半导体器件的组件尺寸已经减小。相应地，电连接到具有减小的尺寸的晶体管的布线的尺寸已经减小。

2、相关技术的布线结构包括由铜(cu)形成的导电布线、以及围绕导电布线的表面以防止铜扩散的阻挡层。然而，布线结构可能具有精细缩放的限制(因为必须包括阻挡层)、以及诸如导电布线的电阻增加之类的问题。此外，由铜(cu)形成的导电布线可能需要在制造过程中通过化学机械抛光而被平坦化，因此可能具有高蚀刻损耗。

3、本背景技术部分中公开的信息在实现本申请的实施例的过程之前或期间已经为发明人所知或由发明人导出，或者是在实现实施例的过程中获取的技术信息。因此，它可能包含不构成公众已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、提供了一种具有改善的电特性的半导体器件。

2、附加方面部分地将在以下描述中阐述，且部分地将通过以下描述而变得清楚明白，或者可以通过实践所呈现的实施例来获知。

3、根据示例实施例的一个方面，一种半导体器件可以包括：第一接触结构，连接到下部结构；第一导电布线，连接到第一接触结构；第一蚀刻停止层和层间绝缘层，顺序地设置在第一导电布线上；第二接触结构，穿过第一蚀刻停止层，设置在层间绝缘层中，并且连接到第一导电布线；第二导电布线，设置在第二接触结构上，并且设置在层间绝缘层中；阻挡层，包括设置在第二接触结构的底表面上的第一阻挡部；在第二导电布线的顶表面和层间绝缘层的顶表面上的第二蚀刻停止层，该第二蚀刻停止层包括延伸部，该延伸部在第二导电布线和层间绝缘层之间延伸，使得该延伸部设置在第二导电布线的侧表面的上部上；以及在阻挡层和延伸部之间的气隙。

4、根据示例实施例的一个方面，一种半导体器件可以包括：第一导电布线；接触结构，连接到第一导电布线，该接触结构包括钌(ru)和钼(mo)中的至少一种；第二导电布线，连接到接触结构，该第二导电布线包括钌(ru)和钼(mo)中的至少一种；层间绝缘层，围绕接触结构的侧表面和第二导电布线的侧表面；阻挡层，包括：第一阻挡部，设置在接触结构的底表面和第一导电布线的顶表面之间，以及第二阻挡部，设置在接触结构的侧表面和层间绝缘层之间；蚀刻停止层，设置在层间绝缘层的顶表面和第二导电布线的顶表面上，该蚀刻停止层包括设置在第二导电布线的侧表面和层间绝缘层之间的延伸部；以及在阻挡层的第二阻挡部和蚀刻停止层的延伸部之间的气隙。

5、根据示例实施例的一个方面，一种半导体器件可以包括：下部结构；接触结构，连接到下部结构，该接触结构包括：下部，包括具有第一倾斜角的第一侧表面，以及上部，包括具有第二倾斜角的第二侧表面，第二倾斜角不同于第一倾斜角；导电布线，设置在接触结构上，并且具有与接触结构一体的结构，该导电布线包括第三侧表面，第三侧表面与接触结构的第二侧表面对齐并且具有第三倾斜角，第三倾斜角与第二倾斜角相同；以及阻挡层，至少设置在接触结构的下部的至少第一侧表面上。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层延伸使得所述阻挡层设置在所述第二接触结构的侧表面的至少一部分上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二接触结构和所述第二导电布线形成导电结构，以及

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述气隙包括：

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的底表面的至少一部分接触所述第一导电布线的顶表面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二接触结构和所述第二导电布线具有一体结构。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电布线的顶表面和所述层间绝缘层的顶表面基本上共面。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二接触结构和所述第二导电布线包括钌ru和钼mo中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下部结构包括单元开关器件、位线和单元电容器，以及

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触结构和所述第一导电布线具有一体结构。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一接触结构和所述第一导电布线的所述一体结构包括钌ru和钼mo中的至少一种。

13.一种半导体器件，包括：

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的所述第二阻挡部完全地覆盖所述接触结构的侧表面，以及

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述气隙覆盖所述第二导电布线的侧表面的第二部分。

16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的所述第二阻挡部设置在所述接触结构的侧表面的第一部分上。

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述气隙包括：

18.一种半导体器件，包括：

19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述接触结构的所述下部具有在向下方向上逐渐减小的宽度，以及

20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述接触结构和所述导电布线由相同的第一材料形成，以及

技术总结
一种半导体器件包括：第一接触结构，连接到下部结构；第一导电布线，连接到第一接触结构；第一蚀刻停止层和层间绝缘层，顺序地设置在第一导电布线上；第二接触结构，穿过第一蚀刻停止层，设置在层间绝缘层中，并且连接到第一导电布线；第二导电布线，设置在第二接触结构上，并且设置在层间绝缘层中；阻挡层，包括在第二接触结构的底表面上的第一阻挡部；第二蚀刻停止层，设置在第二导电布线的顶表面和层间绝缘层的顶表面上；以及在阻挡层和延伸部之间的气隙。

技术研发人员：安浚爀,裵镇国
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21