基板处理方法和基板处理装置与流程

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

背景技术：

1、已知一种通过化学氧化物去除处理来对硅氮化膜进行蚀刻的技术(例如，参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2004-343094号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够控制对象膜的蚀刻量的技术。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备表面具有包含硅、碳以及氮的对象膜的基板；向所述对象膜供给氢气和氧气，使所述对象膜的表层氧化来形成氧化膜；以及对所述氧化膜进行蚀刻。

5、发明的效果

6、根据本公开，能够控制对象膜的蚀刻量。

技术特征：

1.一种基板处理方法，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

9.一种基板处理装置，具备：

技术总结
本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够控制对象膜的蚀刻量。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备表面具有包含硅、碳以及氮的对象膜的基板；向所述对象膜供给氢气和氧气，使所述对象膜的表层氧化来形成氧化膜；以及对所述氧化膜进行蚀刻。

技术研发人员：五十岚一将,户根川大和,小川淳,田中有纪
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15