中压或高压开关系统的制作方法

本发明涉及一种中压或高压开关系统，以及中压或高压开关设备。

背景技术：

1、混合中压或高压dc断路器是这样一种装置，其中真空断续器(vi)的电弧电压用于将电流从vi所位于的主路径转移到与半导体平行的路径，然后在此切断电流。

2、这种混合dc断路器的关键方面是从vi到平行半导体的电流的换向。通常，例如中压(mv)真空断续器生成仅约50v的电弧电压。为了负载电流或短路电流的快速和可靠的换向，需要具有增加的电弧电压的真空断续器。然而，当电路电压高于50v时，现有技术的mv真空断续器实际上不能切换任何dc电流。

3、需要解决这些问题。

技术实现思路

1、因此，使标准vi能够切换更高的电压将是有利的。例如，将标准mv vi的dc开关性能至少转换到mv负载断路开关的低范围。

2、本发明的目的通过独立权利要求的主题来解决，其中在从属权利要求中并入了另外的实施例。

3、在第一方面，提供了一种中压或高压开关系统，包括：

4、-真空断续器；以及

5、-磁系统。

6、真空断续器包括固定触头和可移动触头。在开关系统的闭合配置中，真空断续器被配置为保持可移动触头与固定触头接触。在开关系统的断开转换中，真空断续器被配置为移动该可移动触头远离固定触头。磁系统被配置为生成具有磁通量线的磁场，磁通量线在断开转换期间被引导穿过在可移动触头与固定触头之间的间隙。真空断续器的轴线被引导穿过固定触头的中心并且穿过可移动触头的中心，并且其中磁通量线被引导垂直于真空断续器的轴线。

7、在示例中，磁系统包括轭结构。轭包括第一臂和第二臂，并且第一臂的端部和第二臂的端部位于真空断续器的轴线的相对侧上。

8、在示例中，轭的第一臂包括第一永磁体，轭的第二臂包括第二永磁体。轭被配置使得第一永磁体和第二永磁体被定位在真空断续器的轴线的相对侧上。具有磁通量线的磁场包括由永磁体生成的磁场，磁通量线在断开转换期间被引导穿过在可移动触头与固定触头之间的间隙。

9、在示例中，第一永磁体位于轭的第一臂的端部处，第二永磁体位于轭的第二臂的端部处。

10、在示例中，磁系统包括至少一个线圈，该至少一个线圈被配置为承载电流。该至少一个线圈缠绕在轭的至少一部分周围。具有磁通量线的磁场包括当由至少一个线圈承载电流时生成的磁场，磁通量线在断开转换期间被引导穿过在可移动触头与固定触头之间的间隙。

11、在示例中，该至少一个线圈中的线圈缠绕在轭的在轭的第一臂与轭的第二臂之间的一部分周围。

12、在示例中，该至少一个线圈的第一线圈缠绕在轭的第一臂周围，并且该至少一个线圈的第二线圈缠绕在轭的第二臂周围。

13、在示例中，该至少一个线圈被电连接到固定触头。

14、在示例中，该至少一个线圈被配置为在断开转换期间承载在固定触头与可移动触头之间流动的电流的至少一部分。

15、在示例中，该至少一个线圈被电连接到可移动触头。

16、在示例中，该至少一个线圈被配置为在断开转换期间承载在固定触头与可移动触头之间流动的电流的至少一部分。

17、在示例中，轭包括铁。

18、在示例中，开关系统包括主路径和与主路径平行的半导体路径。真空断续器位于主路径中，并且在开关系统的闭合配置中被配置为经由主路径承载电流。在断开转换期间，电流从主路径至少换向到半导体路径。

19、在示例中，开关系统包括与主路径平行的电压限制路径。在断开转换期间，电流从主路径换向到半导体路径和电压限制路径。

20、在第二方面，提供了一种包括至少一个根据第一方面的开关系统的中压或高压开关设备。

21、参考下文描述的实施例，上述方面和示例将变得显而易见并被阐明。

技术特征：

1.一种低压、中压或高压开关系统，包括：

2.根据权利要求1所述的开关系统，其中所述磁系统包括轭结构(52)，其中所述轭包括第一臂和第二臂，并且其中所述第一臂的端部和所述第二臂的端部位于所述真空断续器的所述轴线的相对侧上。

3.根据权利要求2所述的开关系统，其中所述轭的所述第一臂包括第一永磁体(51)，并且所述轭的所述第二臂包括第二永磁体(51)，其中所述轭被配置使得所述第一永磁体和所述第二永磁体被定位在所述真空断续器的所述轴线的相对侧上，并且其中所述具有磁通量线的磁场包括由所述永磁体生成的磁场，所述磁通量线在所述断开转换期间被引导穿过在所述可移动触头与所述固定触头之间的所述间隙。

4.根据权利要求3所述的开关系统，其中所述第一永磁体位于所述轭的所述第一臂的所述端部处，并且所述第二永磁体位于所述轭的所述第二臂的所述端部处。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的开关系统，其中所述磁系统包括至少一个线圈(53)，所述至少一个线圈(53)被配置为承载电流，并且其中所述至少一个线圈缠绕在所述轭的至少一部分周围，并且其中所述具有磁通量线的磁场包括当由所述至少一个线圈承载电流时生成的磁场，所述磁通量线在所述断开转换期间被引导穿过在所述可移动触头与所述固定触头之间的所述间隙。

6.根据权利要求5所述的开关系统，其中所述至少一个线圈中的线圈缠绕在所述轭的在所述轭的所述第一臂与所述轭的所述第二臂之间的一部分周围。

7.根据权利要求5所述的开关系统，其中所述至少一个线圈的第一线圈缠绕在所述轭的所述第一臂周围，并且所述至少一个线圈的第二线圈缠绕在所述轭的所述第二臂周围。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的开关系统，其中所述至少一个线圈被电连接到所述固定触头。

9.根据权利要求8所述的开关系统，其中所述至少一个线圈被配置为在所述断开转换期间承载在所述固定触头与所述可移动触头之间流动的所述电流的至少一部分。

10.根据权利要求5至7中任一项所述的开关系统，其中所述至少一个线圈被电连接到所述可移动触头。

11.根据权利要求10所述的开关系统，其中所述至少一个线圈被配置为在所述断开转换期间承载在所述固定触头与所述可移动触头之间流动的所述电流的至少一部分。

12.根据权利要求2至11中任一项所述的开关系统，其中所述轭包括铁。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的开关系统，其中所述开关系统包括主路径(61)和与所述主路径平行的半导体路径(62)，并且其中所述真空断续器位于所述主路径中，并且其中在所述开关系统的所述闭合配置中，所述真空断续器被配置为经由所述主路径承载电流，并且其中在所述断开转换期间，所述电流从主路径至少换向到所述半导体路径。

14.根据权利要求13所述的开关系统，其中所述开关系统包括与所述主路径平行的电压限制路径(63)，并且其中在所述断开转换期间，所述电流从所述主路径换向到所述半导体路径和所述电压限制路径。

15.一种低压、中压或高压开关设备，包括至少一个根据权利要求1至14中任一项所述的开关系统。

技术总结
本发明涉及一种低压、中压或高压开关系统，包括：真空断续器；以及磁系统；其中真空断续器包括固定触头和可移动触头；其中在开关系统的闭合配置中，真空断续器被配置为保持可移动触头与固定触头接触；其中在开关系统的断开转换中，真空断续器被配置为移动该可移动触头远离固定触头；以及其中磁系统被配置为生成具有磁通量线的磁场，磁通量线在断开转换期间被引导穿过在可移动触头与固定触头之间的间隙；并且其中真空断续器的轴线被引导穿过固定触头的中心并且穿过可移动触头的中心，并且其中磁通量线被引导垂直于真空断续器的轴线。

技术研发人员：克里斯蒂安·罗伊贝尔
受保护的技术使用者：ABB瑞士股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/5