1.一种具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一势垒层的凹槽的一侧面与所述第一组合层的一侧面在同一平面，所述第一势垒层的凹槽与所述第二组合层间隔设置。
3.根据权利要求1所述的具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所有所述第一沟道层、所述第二沟道层和所述第三沟道层的厚度相同，所有所述第二沟道层的宽度均相同，所有所述第一势垒层、所述第二势垒层和所述第三势垒层的厚度相同，所有所述第二势垒层的宽度均相同。
4.根据权利要求1所述的具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一沟道层、所述第二沟道层和所述第三沟道层的材料相同，所述第一势垒层、所述第二势垒层和所述第三势垒层的材料相同。
5.根据权利要求4所述的具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一沟道层、所述第二沟道层和所述第三沟道层的材料包括gan，所述第一势垒层、所述第二势垒层和所述第三势垒层的材料包括algan或inaln。
6.根据权利要求1所述的具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管还包括若干层第二异质结结构，所述若干层第二异质结结构从下至上依次层叠设置在所述缓冲层与所述第一异质结结构之间，所述第二异质结结构包括从下至上依次层叠设置的第四沟道层和第四势垒层。
7.根据权利要求1所述的具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述介质层的材料包括al2o3或sio2。
8.一种具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求1至7任一项所述的高电子迁移率晶体管，所述制备方法包括：
9.根据权利要求8所述的具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一势垒层的凹槽的一侧面与所述第一组合层的一侧面在同一平面，所述第一势垒层的凹槽与所述第二组合层间隔设置。
10.根据权利要求8所述的具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所有所述第一沟道层、所述第二沟道层和所述第三沟道层的厚度相同，所有所述第二沟道层的宽度均相同，所有所述第一势垒层、所述第二势垒层和所述第三势垒层的厚度相同，所有所述第二势垒层的宽度均相同。