1.一种基于交指电容结构的低损耗宽带1-bit相位可重构超表面单元，以下简称为“1-bit单元”，以1-bit单元上表面的中心为坐标原点，建立空间直角坐标系，垂直于纸面向外为x轴正方向，水平向右为y轴正方向，竖直向上为z轴正方向；其特征在于，可重构超表面自上而下共包括5层结构：顶层谐振结构、第二层微波介质基板、第三层金属地结构、第四层辅助介质基板，和第五层直流偏置电路层；金属通孔h1和h2贯穿五层结构，使顶层谐振结构和底层直流偏置电路相连；
2.如权利要求1所述的基于交指电容结构的低损耗宽带1-bit相位可重构超表面单元，其特征在于，金属辐射结构的矩形贴片厚度为0.035±0.005mm，x方向整体尺寸a在6.20～8.90mm范围内；y方向整体尺寸b在6.00～9.20mm范围内。
3.如权利要求2所述的基于交指电容结构的低损耗宽带1-bit相位可重构超表面单元，其特征在于，金属辐射结构x方向整体尺寸a为8.00mm；y方向整体尺寸b为8.00mm。
4.如权利要求1所述的基于交指电容结构的低损耗宽带1-bit相位可重构超表面单元，其特征在于，w的宽度0.10～0.80mm。
5.如权利要求4所述的基于交指电容结构的低损耗宽带1-bit相位可重构超表面单元，其特征在于，w的宽度优选值为0.40mm。
6.如权利要求1所述的基于交指电容结构的低损耗宽带1-bit相位可重构超表面单元，其特征在于，以连接点n1作为交指电容结构ics的位置参数(xi，yi，0)，xi的取值在0.20～1.00mm之间；yi的取值在-0.20～0.20mm之间；ics的结构参数指长il的取值在1.85～2.65mm之间；指宽iw的取值在0.10～0.20mm之间；指间隙is的取值在0.10～0.20mm之间。
7.如权利要求6所述的基于交指电容结构的低损耗宽带1-bit相位可重构超表面单元，其特征在于，以连接点n1作为交指电容结构ics的位置参数xi的取值为0.60mm；yi的取值为0；ics的结构参数指长il的取值为2.20mm；指宽iw的取值为0.14mm；指间隙is的取值为0.12mm。
8.如权利要求1所述的基于交指电容结构的低损耗宽带1-bit相位可重构超表面单元，其特征在于，pin二极管的型号为smp1340-040lf，二极管的中心坐标(xp，yp，0)表示pin二极管的位置，xp在0.20～0.40mm之间，yp在-0.20～0.20mm之间。
9.如权利要求8所述的基于交指电容结构的低损耗宽带1-bit相位可重构超表面单元，其特征在于，pin二极管的位置xp为0.30mm，yp为0。
10.如权利要求1所述的基于交指电容结构的低损耗宽带1-bit相位可重构超表面单元，其特征在于，part1部分的6条指条沿x轴正方向依次记为：p11、p12、p13、p14、p15、p16，p12～p16的长度为指长il，p11的长度为il的一半；part2的主体结构位于y＞0区域，与其相连接的指条结构向y＜0区域延展，part2部分的6条指条沿x轴正方向依次记为：p21、p22、p23、p24、p25、p26，p22～p26的长度为指长i1，p27的长度为i1的一半；相对于p1i、p2i向x方向移动iw+is距离，i为1～6。