一种LED芯片制作方法及其LED芯片与流程

本发明涉及半导体，特别涉及一种led芯片制作方法及其led芯片。

背景技术：

1、led具有将电转化为光的特性，使用范围非常广。其核心部件为一个半导体晶片，led封装是将led晶片与基板通过金线键合连接。键合工艺中，焊线不良问题在led失效模式中占有很大比例，是led的重要失效模式。因此在led出货前需对其进行可靠性验证，需测试金线焊接后的参数是否达到标准。

2、其中，对led晶片进行推拉力的评估是led产品性能评估重要的一环，在传统的性能评估过程中，由于电极外围底部材料为透明导电层，透明导电层一般为铟锡氧化物（ito）或铟锌氧化物（izo），与金属粘附力较差，易造成外围电极焊线不良，推球后的led晶片的电极容易脱落，最终导致推力不合格，甚至出现撕金现象。

3、现有技术中，主要通过增加与透明导电层粘附的粘附层的厚度，可以一定程度提高粘附力避免出现撕金现象，但是黏附层过厚，影响电极反射率，导致亮度下降。

技术实现思路

1、基于此，本发明的目的是提供一种led芯片制作方法及其led芯片，旨在解决现有技术中的通过增加与透明导电层粘附的粘附层的厚度避免出现撕金现象而导致led芯片亮度下降的问题。

2、本发明实施例是这样实现的：

3、一方面，本发明提出一种led芯片制作方法，所述方法包括：

4、提供一制作好透明导电层的半成品led芯片；

5、在所述透明导电层表面上生成加固层，后进行退火以使所述加固层在所述透明导电层表面上球化；

6、在球化后的所述加固层依次生成黏附金属层、反射金属层、过渡层以及焊线层。

7、进一步的，上述led芯片制作方法，其中，所述加固层包括al层。

8、进一步的，上述led芯片制作方法，其中，所述加固层的厚度为5å~30å。

9、进一步的，上述led芯片制作方法，其中，所述在所述透明导电层表面上生成加固层的步骤包括：

10、在蒸镀机台内置加固层所需靶材，通过所述蒸镀机台在所述透明导电层表面上蒸镀加固层。

11、进一步的，上述led芯片制作方法，其中，所述黏附金属层厚度为10å~50å。

12、进一步的，上述led芯片制作方法，其中，所述在所述透明导a电层表面上生成加固层，后进行退火以使所述加固层在所述透明导电层表面上球化的步骤中，所述加固层的退火温度为300℃~700℃。

13、进一步的，上述led芯片制作方法，其中，所述在所述透明导电层表面上生成加固层，后进行退火以使所述加固层在所述透明导电层表面上球化的步骤中，所述加固层的退火时间为2min~10min。

14、进一步的，上述led芯片制作方法，其中，所述提供一制作好透明导电层的半成品led芯片的步骤包括：

15、提供一图形化衬底；

16、依次在所述图形化衬底上生长缓冲层、n 型半导体层、发光层 a和 p 型半导体层；

17、以光刻工艺技术刻蚀形成部分 n 型半导体层的暴露区域，后在 所述 n 型半导体层和 p 型半导体层上分别沉积电流阻挡层；

18、在沉积所述电流阻挡层后的所述 p 型半导体层上沉积透明导电 层。

19、进一步的，上述led芯片制作方法，其中，在所述在球化后的所述加固层依次生成黏附金属层、反射金属层、过渡层以及焊线层的步骤之后还包括：

20、制作保护层，以对所述半成品led芯片的表面除漏出打线部的其余部分进行包覆。

21、另一方面，本发明提供一种led芯片，采用上述的led芯片制作方法制作得到，该led芯片包括图形化衬底、设置在衬底上的缓冲层、n型半导体层、发光层、p型半导体层。

22、本发明通过在透明导电层上沉积一层加固层，然后进行退火，加固层在透明导电层表面球化；后续沉积的黏附金属层会与球化的加固层形成铆钉效应，而在粘附层极薄的情况下，也可以得到良好的粘结效果，避免了增加黏附金属层的厚度，解决了现有技术中的芯片通过增加与透明导电层粘附的粘附层的厚度避免出现撕金现象而导致led芯片亮度下降的问题。

技术特征：

1.一种led芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的led芯片制作方法，其特征在于，所述加固层包括al层。

3.根据权利要求1所述的led芯片制作方法，其特征在于，所述加固层的厚度为5å~30å。

4.根据权利要求1所述的led芯片制作方法，其特征在于，所述在所述透明导电层表面上生成加固层的步骤包括：

5.根据权利要求1所述的led芯片制作方法，其特征在于，所述黏附金属层厚度为10å~50å。

6.根据权利要求1所述的led芯片制作方法，其特征在于，所述在所述透明导电层表面上生成加固层，后进行退火以使所述加固层在所述透明导电层表面上球化的步骤中，所述加固层的退火温度为300℃~700℃。

7.根据权利要求1所述的led芯片制作方法，其特征在于，所述在所述透明导电层表面上生成加固层，后进行退火以使所述加固层在所述透明导电层表面上球化的步骤中，所述加固层的退火时间为2min~10min。

8.根据权利要求1所述的led芯片制作方法，其特征在于，所述提供一制作好透明导电层的半成品led芯片的步骤包括：

9.根据权利要求8所述的led芯片制作方法，其特征在于，在所述在球化后的所述加固层依次生成黏附金属层、反射金属层、过渡层以及焊线层的步骤之后还包括：

10.一种led芯片，其特征在于，采用权利要求1至9中任一项所述的led芯片制作方法制作而成。

技术总结
本发明提供一种LED芯片制作方法，所述方法包括：提供一制作好透明导电层的半成品LED芯片；在所述透明导电层表面上生成加固层，后进行退火以使所述加固层在所述透明导电层表面上球化；在球化后的所述加固层依次生成黏附金属层、反射金属层、过渡层以及焊线层。本发明解决了现有技术中的芯片通过增加与透明导电层粘附的粘附层的厚度避免出现撕金现象而导致LED芯片亮度下降的问题。

技术研发人员：张亚,张星星,李美玲,陈越,胡加辉,金从龙
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15