封装结构及其制备方法与流程

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种封装结构及其制备方法。

背景技术：

1、随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。然而，现有的封装技术成本高昂。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术中的封装成本高昂提供一种封装结构及其制备方法。

2、为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种封装结构，包括：

3、布线结构层，包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述布线结构层包括布线层和隔离介质层，所述布线层位于所述隔离介质层内；

4、芯片结构，包括第一芯片与第二芯片，所述第一芯片贴装于所述第一表面上，所述第一芯片与所述布线层连接；所述第二芯片贴装于所述第二表面上，所述第二芯片与所述布线层连接；

5、封装层，覆盖所述隔离层、所述芯片结构和所述布线结构层，所述封装层包括第一封装层与第二封装层，所述第一封装层覆盖所述第一芯片与所述第一表面，所述第二封装层覆盖所述第二芯片与所述第二表面。

6、在一个实施例中，所述封装结构包括：

7、焊接结构，位于所述布线结构层上，与所述布线层连接，且所述封装层暴露所述焊接结构。

8、在一个实施例中，所述焊接结构表面与封装层表面平齐；

9、或者，

10、所述焊接结构相对于所述封装层表面凸起。

11、在一个实施例中，所述封装结构包括：

12、隔离层，位于所述布线结构层与所述封装层之间，覆盖至少一个所述第一芯片和/或至少一个所述第二芯片，使得所述至少一个第一芯片和/或所述至少一个第二芯片与所述布线结构层具有空腔。

13、在一个实施例中，所述隔离层包括：

14、第一隔离层，位于所述第一表面与所述第一封装层之间，使得所述第一芯片与所述第一表面之间具有空腔；

15、和/或，

16、第二隔离层，位于所述第二表面与所述第二封装层之间，使得所述第二芯片与所述第二表面之间具有空腔。

17、本发明还提供了一种封装结构的制备方法，包括如下步骤：

18、提供基板；

19、于所述基板上形成布线结构层，所述布线结构层包括布线层与隔离介质层，所述布线层位于所述隔离介质层内，所述布线结构层远离所述基板的表面为第一表面，所述布线结构层靠近所述基板的表面为第二表面；

20、于所述第一表面贴装第一芯片；

21、翻转所述基板及其上形成的结构，且去除所述基板，暴露所述布线结构层的第二表面；

22、于所述第二表面贴装第二芯片；

23、形成覆盖所述第一芯片与所述第一表面的第一封装层，形成覆盖所述第二芯片与所述第二表面的第二封装层。

24、在一个实施例中，形成覆盖所述第一芯片与所述第一表面的第一封装层，形成覆盖所述第二芯片与所述第二表面的第二封装层之前，包括：

25、于所述布线结构层表面形成焊接结构，所述焊接结构的高度大于所述第一芯片或所述第二芯片的高度。

26、在一个实施例中，形成覆盖所述第一芯片与所述第一表面的第一封装层，形成覆盖所述第二芯片与所述第二表面的第二封装层，包括：

27、形成覆盖所述第一芯片、所述第一表面以及所述焊接结构的第一封装材料层；研磨处理所述第一封装材料层，形成第一封装层，所述第一封装层暴露所述焊接结构；

28、和/或，

29、形成覆盖所述第二芯片、所述第二表面以及所述焊接结构的第二封装材料层；研磨处理所述第二封装材料层，形成第二封装层，所述第二封装层暴露所述焊接结构。

30、在一个实施例中，形成覆盖所述第一芯片与所述第一表面的第一封装层，形成覆盖所述第二芯片与所述第二表面的第二封装层，包括：

31、形成覆盖所述第一芯片、所述第一表面以及所述焊接结构的第一封装层，所述第一封装层厚度小于所述焊接结构的高度；

32、和/或，

33、形成覆盖所述第二芯片、所述第二表面以及所述焊接结构的第二封装层，所述第二封装层厚度小于所述焊接结构的高度。

34、在一个实施例中，形成覆盖所述第一芯片与所述第一表面的第一封装层，形成覆盖所述第二芯片与所述第二表面的第二封装层之前，包括：

35、于至少一个所述第一芯片和/或至少一个所述第二芯片表面形成隔离层，使得所述至少一个第一芯片和/或所述至少一个第二芯片与所述布线结构层之间具有空腔。

36、本发明的封装结构及其制备方法，通过于第一表面贴装第一芯片，并形成覆盖第一芯片与第一表面的第一封装层，翻转基板以及去除基板，暴露布线结构层的第二表面，并于第二表面贴装第二芯片，形成第二封装层并形成封装结构。这样降低了封装难度可以避免使用大量的互联结构材料，降低了封装成本，减弱封装难度。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述焊接结构表面与所述封装层表面平齐；

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述隔离层包括：

6.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

7.根据权利要求6所述的封装结构的制备方法，其特征在于，形成覆盖所述第一芯片与所述第一表面的第一封装层，形成覆盖所述第二芯片与所述第二表面的第二封装层之前，还包括：

8.根据权利要求7所述的封装结构的制备方法，其特征在于，形成覆盖所述第一芯片与所述第一表面的第一封装层，形成覆盖所述第二芯片与所述第二表面的第二封装层，包括：

9.根据权利要求7所述的封装结构的制备方法，其特征在于，形成覆盖所述第一芯片与所述第一表面的第一封装层，形成覆盖所述第二芯片与所述第二表面的第二封装层，包括：

10.根据权利要求6所述的封装结构的制备方法，其特征在于，形成覆盖所述第一芯片与所述第一表面的第一封装层，形成覆盖所述第二芯片与所述第二表面的第二封装层之前，包括：

技术总结
本发明涉及一种封装结构及其制备方法，封装结构包括：布线结构层，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，布线结构层包括布线层和隔离介质层，布线层位于隔离介质层内；芯片结构，包括第一芯片与第二芯片，第一芯片贴装于第一表面上，第一芯片与布线层连接；第二芯片贴装于第二表面上，第二芯片与布线层连接；封装层，覆盖隔离层、芯片结构和布线结构层，封装层包括第一封装层与第二封装层，第一封装层覆盖第一芯片与第一表面，第二封装层覆盖第二芯片与第二表面。

技术研发人员：王金丽,张树金,许嗣拓,周强
受保护的技术使用者：江苏卓胜微电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15