天线的制作方法

本发明属于移动通信，具体涉及一种天线。

背景技术：

1、随着移动通信技术不断演变和发展，基于massive mimo技术的第五代移动通信系统能够有效地解决人们日益期盼的高速率、多通道的通信需求，也能够极大程度地缓解运营商频谱资源紧张短缺的问题。但是，随着移动通信高速发展，天面资源愈发紧张，因此亟待阵列天线小型化设计。

2、阵列天线的小型化，势必会减小天线的各个子阵之间的间距，使得相邻两个子阵之间的互耦问题变得愈加严重，且天线中具有数量众多的子阵，多个子阵分别与相邻的子阵互耦，使得天线整体电性能出现明显的恶化，譬如耦合度变差，方向图畸变等，使得小型化后的天线的性能不及预期，影响通信效率。

技术实现思路

1、本发明的目的在于解决上述问题至少之一而提供一种天线。

2、适应本发明的各个目的，本发明采用如下技术方案：

3、适应本发明的目的之一，而提供一种天线，包括至少一个天线组件，所述天线组件包括电磁边界与辐射子阵，所述电磁边界包括反射板与边界组件，所述边界组件包括金属隔墙与金属边界墙，所述辐射子阵与所述金属隔墙设置于所述反射板上，所述金属隔墙设于所述辐射子阵的一侧，所述金属边界墙设置于所述金属隔墙的远离所述辐射子阵的一侧，所述金属隔墙与所述金属边界墙相间隔、且平面耦合设置。

4、进一步的，所述金属边界墙包括介质基板与设置于介质基板上的金属耦合片，所述金属耦合片与所述金属隔墙相平面耦合。

5、进一步的，所述金属边界墙与所述金属隔墙之间的耦合面积与去耦合强度相关联。

6、具体的的，所述金属耦合片和/或所述金属隔墙上设有绝缘层。

7、具体的的，相对于所述反射板，所述金属耦合片的顶部高于所述金属隔墙，且所述金属耦合片设于所述辐射单元的2/3高度以下。

8、具体的，所述介质基板上还设有超表面结构，所述超表面结构包括多个超表面单元，相对于所述反射板，所述超表面结构设于所述金属耦合片以上的所述介质基板区域。

9、具体的，相对于所述反射板，所述超表面结构设于所述辐射单元1/2高度以上的区域。

10、具体的，相对于所述反射板，所述金属隔墙的高度不大于所述辐射子阵的辐射单元的高度的1/3。

11、具体的，所述介质基板包括相对的第一面与第二面，所述金属耦合片和/或所述超表面结构设置于所述第一面或第二面上。

12、具体的，所述超表面结构与所述金属耦合片之间设有间隔区域。

13、具体的，所述金属耦合片呈矩形片体；

14、或者，所述金属耦合片呈矩形片体，且所述金属耦合片在远离所述反射板的一侧设有多个凸出部，所述多个凸出部间隔设置。

15、进一步的，所述天线包括一个或多个天线组件，每个天线组件在其反射板的至少一侧设有所述边界组件。

16、具体的，所述多个天线组件相并列设置，相邻两个天线组件之间形成插接间隙，所述插接间隙两侧为所述相邻两个天线组件的各一个边界组件，且所述邻两个天线组件共用同一金属边界墙，所述金属边界墙插置于所述插接间隙中。

17、相对于现有技术，本发明具有多方面的优势，包括但不限于：

18、一方面，本发明的天线的金属边界墙与金属隔墙之间平面耦合，使得金属边界墙与金属隔墙之间实现强耦合，且通过控制金属边界墙与所述金属隔墙之间的耦合面积，可动态地调节耦合能量的分布，以削弱辐射子阵的互耦能量，优化所述天线的辐射性能。

19、另一方面，金属边界墙与金属隔墙相互耦合，以增强辐射组件的耦合能量在所述金属边界墙上的分布，使得辐射组件可实现去耦，尤其是当所述天线的各个辐射组件之间的间隔距离较近时，可极大地优化所述天线的辐射性能。

20、本附加的方面和优点将在下面的描述中部分该处，这些将从下面的描述中变得明显，或者通过本发明的实践了解到。

技术特征：

1.一种天线，其特征在于，包括至少一个天线组件，所述天线组件包括电磁边界与辐射子阵，所述电磁边界包括反射板与边界组件，所述边界组件包括金属隔墙与金属边界墙，所述辐射子阵与所述金属隔墙设置于所述反射板上，所述金属隔墙设于所述辐射子阵的一侧，所述金属边界墙设置于所述金属隔墙的远离所述辐射子阵的一侧，所述金属隔墙与所述金属边界墙相间隔、且平面耦合设置。

2.如权利要求1所述天线，其特征在于，所述金属边界墙包括介质基板与设置于介质基板上的金属耦合片，所述金属耦合片与所述金属隔墙相平面耦合。

3.如权利要求1所述天线，其特征在于，所述金属边界墙与所述金属隔墙之间的耦合面积与去耦合强度相关联。

4.如权利要求2所述天线，其特征在于，所述金属耦合片和/或所述金属隔墙上设有绝缘层。

5.如权利要求2所述天线，其特征在于，相对于所述反射板，所述金属耦合片的顶部高于所述金属隔墙，且所述金属耦合片设于所述辐射单元的2/3高度以下。

6.如权利要求2所述的天线，其特征在于，所述介质基板上还设有超表面结构，所述超表面结构包括多个超表面单元，相对于所述反射板，所述超表面结构设于所述金属耦合片以上的所述介质基板区域。

7.如权利要求6所述天线，其特征在于，相对于所述反射板，所述超表面结构设于所述辐射单元1/2高度以上的区域。

8.如权利要求1所述天线，其特征在于，相对于所述反射板，所述金属隔墙的高度不大于所述辐射子阵的辐射单元的高度的1/3。

9.如权利要求6所述的天线，其特征在于，所述介质基板包括相对的第一面与第二面，所述金属耦合片和/或所述超表面结构设置于所述第一面或第二面上。

10.如权利要求6所述的天线，其特征在于，所述超表面结构与所述金属耦合片之间设有间隔区域。

11.如权利要求1所述天线，其特征在于，所述金属耦合片呈矩形片体；

12.如权利要求1至11任意一项所述的天线，其特征在于，所述天线包括一个或多个天线组件，每个天线组件在其反射板的至少一侧设有所述边界组件。

13.如权利要求12任意一项所述的天线，其特征在于，所述多个天线组件相并列设置，相邻两个天线组件之间形成插接间隙，所述插接间隙两侧为所述相邻两个天线组件的各一个边界组件，且所述邻两个天线组件共用同一金属边界墙，所述金属边界墙插置于所述插接间隙中。

技术总结
本发明提供了一种天线，所述天线包括至少一个天线组件，所述天线组件包括电磁边界与辐射子阵，所述电磁边界包括反射板与边界组件，所述边界组件包括金属隔墙与金属边界墙，所述辐射子阵与所述金属隔墙设置于所述反射板上，所述金属隔墙设于所述辐射子阵的一侧，所述金属边界墙设置于所述金属隔墙的远离所述辐射子阵的一侧，所述金属隔墙与所述金属边界墙相间隔、且平面耦合设置。金属边界墙与金属隔墙平面耦合，使得金属边界墙与金属隔墙之间实现强耦合，且通过控制金属边界墙与所述金属隔墙之间的耦合面积，可动态地调节耦合能量的分布，以削弱辐射子阵的互耦能量，优化所述天线的辐射性能。

技术研发人员：高超宁,李明超,田欢,李轶帆,苏国生,陈礼涛
受保护的技术使用者：京信通信技术（广州）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16