衬底处理装置、等离子体生成装置、等离子体生成方法、半导体器件的制造方法及记录介质与流程

本发明涉及衬底处理装置、等离子体生成装置、等离子体生成方法、衬底处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质。

背景技术：

1、作为半导体器件(元件)的制造工序的一个工序，有时会进行向衬底处理装置的处理室内搬入衬底、并向处理室内供给原料气体和反应气体来在衬底上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜或除去各种膜的衬底处理。

2、在形成微细图案的量产元件中，为了抑制杂质扩散、确保能够使用有机材料等耐热性低的材料而有时要谋求低温化。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2007-324477号公报

技术实现思路

1、为了满足这样的技术要求，通常使用等离子体来进行衬底处理，但有时又会导致难以对形成在衬底上的膜进行均匀处理。

2、本发明提供一种能够对形成在衬底上的膜均匀进行处理的技术。

3、根据本发明的一个方案，提供一种技术，具备：

4、处理室，其对多个衬底进行处理；以及

5、等离子体生成部，其具备第1电极部和第2电极部，且在上述处理室内生成等离子体，其中该第1电极部构成为从上述处理室的下部向上述处理室的中央部延伸，该第2电极部构成为从上述处理室的上部向上述处理室的上述中央部延伸。

6、发明效果

7、根据本发明，能够对形成在衬底上的膜均匀进行处理。

技术特征：

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具备：

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

5.如权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，

6.如权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，

7.如权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，

8.如权利要求7所述的衬底处理装置，其特征在于，

9.如权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，

10.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

11.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

12.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

13.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

14.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

15.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

16.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

17.一种等离子体生成装置，其特征在于，具备：

18.一种等离子体生成方法，其特征在于，

19.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

20.一种记录介质，能够由计算机读取，记录有程序，其特征在于，所述程序通过计算机使所述衬底处理装置执行如下步骤：

技术总结
本发明提供能够对形成在衬底上的膜均匀进行处理的衬底处理装置、等离子体生成装置、等离子体生成方法、半导体器件的制造方法及记录介质。具备：处理室，其对多个衬底进行处理；以及等离子体生成部，其具备第1电极部和第2电极部，且在上述处理室内生成等离子体，其中该第1电极部构成为从上述处理室的下部向上述处理室的中央部延伸，该第2电极部构成为从上述处理室的上部向上述处理室的上述中央部延伸。

技术研发人员：油谷幸则,山本薰
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24