等离子体处理装置的制作方法

本发明的例示的实施方式涉及等离子体处理装置。

背景技术：

1、等离子体处理装置在对基片的等离子体处理中使用。一种等离子体处理装置包括处理容器、工作台、上部电极、导入部和波导部。载置台设置于处理容器内。上部电极隔着处理容器内的空间设置于载置台的上方。导入部是高频的导入部，设置于处理容器内的空间的横向端部，在处理容器的中心轴线的周围在周向上延伸。波导部构成为能够向导入部供给高频。波导部包括提供波导的谐振器。谐振器的波导绕中心轴线在周向上延伸，在中心轴线延伸的方向上延伸，与导入部连接。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-92031号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供一种即使与等离子体处理装置的谐振器耦合的高频电源的频率的可变范围小也能够进行阻抗匹配的技术。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、在一个例示的实施方式中，应用等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、第一电极、第二电极、导入部和谐振器。基片支承部设置于腔室的处理空间内。第一电极设置于处理空间的上方。第二电极设置于处理空间的上方且第一电极的下方。第二电极在第一电极与第二电极之间提供等离子体生成空间，提供将在等离子体生成空间中生成的活性种引导到处理空间内的多个贯通孔。导入部由电介质形成，能够向等离子体生成空间导入电磁波。谐振器包括用于向导入部传播电磁波的波导。波导的长度比波导中的电磁波的波长的1/2长。

5、发明效果

6、依照一个例示的实施方式，即使与等离子体处理装置的谐振器耦合的高频电源的频率的可变范围小，也能够进行阻抗匹配。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

9.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

10.根据权利要求7至9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

11.根据权利要求7至9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

12.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：

13.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：

14.根据权利要求1至9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

15.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：

技术总结
本发明提供等离子体处理装置，即使与等离子体处理装置的谐振器耦合的高频电源的频率的可变范围小也能够进行阻抗匹配。所公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、第一电极、第二电极、导入部和谐振器。基片支承部设置于腔室的处理空间内。第一电极设置于处理空间的上方。第二电极设置于处理空间的上方且第一电极的下方。第二电极在第一电极与第二电极之间提供等离子体生成空间，提供将在等离子体生成空间中生成的活性种引导到处理空间内的多个贯通孔。导入部能够向等离子体生成空间导入电磁波。谐振器包括用于向导入部传播电磁波的波导。波导的长度比波导中的电磁波的波长的1/2长。

技术研发人员：平山昌树
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12