1.一种实现紧耦合阵列h面宽角扫描的双fss结构，包括多个周期性排布的天线单元，其特征在于：每个所述天线单元包括地板(1)，地板(1)上设置有馈电单元(2)，馈电单元(2)上印刷有偶极子辐射单元(3)和双面延长线(4)，上层频率选择表面(6)水平放置于偶极子辐射单元(3)的上方，下层频率选择表面(5)位于偶极子辐射单元(3)的下方以及地板(1)的上方，地板(1)与上层频率选择表面(6)和下层频率选择表面(5)平行并且位于天线单元的最下方。
2.根据权利要求1所述的一种实现紧耦合阵列h面宽角扫描的双fss结构，其特征在于：所述地板(1)包括底部水平放置的底层介质基板(19)和位于底层介质基板(19)上的同轴接头(7)；所述底层介质基板(19)的材料为fr4；
3.根据权利要求1所述的一种实现紧耦合阵列h面宽角扫描的双fss结构，其特征在于：所述下层频率选择表面(5)包括下层介质基板(15)和下层周期表面(16)，下层周期表面(16)为蚀刻在下层介质基板(15)上的周期表面结构，下层介质基板(15)的材料是fr4；上层频率选择表面(6)包括上层介质基板(17)和上层周期表面(18)，上层周期表面(18)为蚀刻在上层介质基板(17)上的周期表面结构，上层介质基板(17)的材料是tmm4。
4.根据权利要求1或3所述的一种实现紧耦合阵列h面宽角扫描的双fss结构，其特征在于：所述上层频率选择表面(6)用于实现宽频宽角扫描时的阻抗匹配，上层频率选择表面(6)上的上层周期表面(18)的形状为在矩形环的每条边上开槽，切断联系，矩形环内部增设四个短枝节并且与矩形环的其中两边平行，每个上层频率选择表面(6)上的上层周期表面(18)为7*7。
5.根据权利要求1或3所述的一种实现紧耦合阵列h面宽角扫描的双fss结构，其特征在于：所述下层频率选择表面(5)用于抑制带内共模谐振，第一介质基板(8)将下层频率选择表面(5)中间切断，下层频率选择表面(5)的两边分别为2*2规模的四个矩形环组合在一起，矩形环内部加载了两个平行于长边的枝节。
6.根据权利要求2所述的一种实现紧耦合阵列h面宽角扫描的双fss结构，其特征在于：所述梯形偶极子辐射片(10)为直角梯形结构，梯形偶极子辐射片(10)的斜边均朝向第一介质基板(8)的内侧，与梯形偶极子辐射片(10)的斜边对侧的直边上均印刷有耦合片(11)。
7.根据权利要求1所述的一种实现紧耦合阵列h面宽角扫描的双fss结构，其特征在于：所述天线单元横向尺寸为19.09mm*19.09mm，天线整体剖面高度为36.0mm-37.0mm。
8.根据权利要求2所述的一种实现紧耦合阵列h面宽角扫描的双fss结构，其特征在于：所述双面曲率渐变馈线(9)的底部宽度分别为3.00mm-3.50mm和2.10mm-2.30mm，曲率分别为15和80，馈线高度为23.8mm-24.5mm；梯形偶极子辐射片(10)的高度为12.4mm-12.8mm，宽度分别为10.5mm-11.1mm和5.9mm-6.2mm；耦合片(11)的高度为12.4mm-12.8mm，宽度为0.150mm-0.500mm；半矩形开槽(12)宽度为0.17mm-0.22mm。
9.根据权利要求2所述的一种实现紧耦合阵列h面宽角扫描的双fss结构，其特征在于：所述非对称延长线(13)的长度为23.8mm-24.5mm，宽度为0.38mm-0.55mm，集总电阻(14)位于高度为18.5mm-21.0mm位置处，阻值为250-350欧姆。
10.根据权利要求3所述的一种实现紧耦合阵列h面宽角扫描的双fss结构，其特征在于：所述下层周期表面(16)单个单元尺寸为(9.35mm-9.90mm)*(8.20mm-8.65mm)的矩形环，矩形环的宽度为0.85mm-1.10mm，内部枝节长度为1.0mm-2.3mm，宽度为0.45mm-0.70mm；所述上层周期表面(18)单个单元尺寸为(1.82-2.25mm)*(1.82-2.25mm)的矩形环，矩形环的宽度为0.15mm-0.29mm，开槽宽度为0.15mm-0.23mm，内部枝节长度为0.3mm-1.1mm，宽度为0.15mm-0.26mm。