芯片的制造方法与流程

本发明涉及芯片的制造方法，将被加工物分割成多个芯片。

背景技术：

1、在器件芯片的制造工艺中，使用在由相互交叉的多条分割预定线(间隔道)划分的多个区域中分别形成有器件的晶片。通过将该晶片沿着分割预定线进行分割而得到具有器件的芯片(器件芯片)。器件芯片被组装于移动电话、个人计算机等各种电子设备。

2、为了进行晶片的分割，使用利用环状的切削刀具对晶片进行切削的切削装置。另外，近年来，通过激光加工来分割晶片的工艺也在不断开发。例如提出了如下的方法：使对于晶片具有透过性的激光束在晶片的内部会聚，并且沿着分割预定线进行扫描，由此在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层(变质层)(参照专利文献1)。

3、在改质层的形成工序中，在晶片的内部沿着分割预定线以规定的间隔形成多个改质区域，并且龟裂(裂纹)从各改质区域伸展。并且，晶片的形成有改质区域或裂纹的区域比其他区域脆。因此，当对晶片赋予外力时，改质区域和龟裂作为分割起点发挥功能，将晶片沿着分割预定线进行分割。

4、但是，因改质区域而产生的龟裂不规则地伸展，未必沿着分割预定线形成。因此，在对形成有改质层的晶片赋予外力时，有时晶片的断裂被无规地形成的龟裂引导至意料外的方向。由此，担心未将晶片沿着分割预定线适当地分割而使芯片的品质降低。

5、因此，提出了如下的方法：使激光束分支而照射至晶片，由此按照同时形成两个改质区域并且使从各改质区域伸展的龟裂相互连结的方式形成改质层(参照专利文献2)。当使用该方法时，因改质区域而产生的龟裂被引导成沿着分割预定线伸展。由此，容易将晶片沿着分割预定线分割，抑制芯片的品质降低。

6、专利文献1：日本特开2004-179302号公报

7、专利文献2：日本特开2021-136253号公报

8、如上所述，当在晶片等被加工物中形成改质层时，通过使因改质区域而产生的龟裂沿着分割预定线伸展，容易将被加工物沿着分割预定线分割。但是，当被加工物的厚度方向上的断裂的引导不完整时，即使将被加工物沿着分割预定线分割，也存在分割面(断裂面、解理面)相对于被加工物的厚度方向倾斜或在分割面上形成不规则的凹凸的情况。其结果是，产生通过被加工物的分割而得到的芯片的形状散乱或尺寸的误差等，成为芯片的品质降低的原因。

技术实现思路

1、本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供能够抑制芯片的品质降低的芯片的制造方法。

2、根据本发明的一个方式，提供芯片的制造方法，将被加工物沿着分割预定线分割成多个芯片，其中，该芯片的制造方法包含如下的步骤：改质区域形成步骤，将对于该被加工物具有透过性且会聚于第1聚光点和第2聚光点的激光束在沿着该分割预定线而将该第1聚光点和该第2聚光点定位于该被加工物的内部的状态下，沿着该分割预定线进行照射，由此在该被加工物的内部形成多个改质区域；以及分割步骤，通过对该被加工物赋予外力，以该改质区域为分割起点而将该被加工物沿着该分割预定线分割成各个该芯片，在该改质区域形成步骤中，按照在定位有该第1聚光点的区域形成该改质区域并且将该第2聚光点定位成与形成于该被加工物的其他的该改质区域重叠的状态照射该激光束。

3、在本发明的一个方式的芯片的制造方法中，在通过激光束的照射而在被加工物的内部形成多个改质区域时，按照在定位有第1聚光点的区域形成改质区域并且将第2聚光点定位成与形成于被加工物的其他的改质区域重叠的状态照射激光束。由此，因改质区域而产生的龟裂沿着被加工物的厚度方向伸展。

4、当对如上述那样形成有改质区域和龟裂的被加工物赋予外力时，通过沿着被加工物的厚度方向伸展的龟裂，被加工物的断裂也被引导为被加工物的厚度方向。由此，分割面(断裂面、解理面)容易沿着被加工物的厚度方向平坦地形成。其结果是，不容易产生芯片的形状散乱或尺寸的误差等，能够抑制芯片的品质降低。

技术特征：

1.一种芯片的制造方法，将被加工物沿着分割预定线分割成多个芯片，其特征在于，

技术总结
本发明提供芯片的制造方法，能够抑制芯片的品质降低。该芯片的制造方法将被加工物沿着分割预定线分割成多个芯片，其中，该芯片的制造方法包含如下的步骤：改质区域形成步骤，将对于被加工物具有透过性且会聚于第1聚光点和第2聚光点的激光束在沿着分割预定线而将第1聚光点和第2聚光点定位于被加工物的内部的状态下，沿着分割预定线进行照射，由此在被加工物的内部形成多个改质区域；以及分割步骤，通过对被加工物赋予外力，以改质区域为分割起点而将被加工物沿着分割预定线分割成各个芯片，在改质区域形成步骤中，按照在定位有第1聚光点的区域形成改质区域并且将第2聚光点定位成与形成于被加工物的其他的改质区域重叠的状态照射激光束。

技术研发人员：池静实
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21