半导体装置的制作方法

本公开涉及半导体装置。

背景技术：

1、有一种在绝缘性的支承体上设置有熔丝的半导体装置。

2、例如，专利文献1中记载有一种具备测试电极区域、熔丝区域以及凸块形成区域的半导体装置。而且，记载有如下内容：在镀敷凸块的形成工序中，在熔丝区域的熔丝元件部形成蚀刻保护膜，保护熔丝元件部不受蚀刻液影响。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2007－67087号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在专利文献1所记载的技术中，为了设置熔丝，半导体装置具备与凸块形成区域不同的熔丝区域，因此招致半导体装置的大型化。

3、本公开的目的在于，使具备熔丝的半导体装置小型化。

4、用于解决问题的方案

5、本公开是一种半导体装置，其具有：绝缘性的支承体，其具备支承面；第一导体，其设置于所述支承面；第二导体，其与所述第一导体分离地设置于所述支承面；绝缘膜，其设置于所述支承面并覆盖所述第一导体和所述第二导体；第三导体，其设置于所述绝缘膜的与所述支承面相对侧的面，贯通所述绝缘膜而与所述第二导体接触，所述绝缘膜包括如下的薄壁部：所述第三导体侧和所述第一导体侧的厚度被以通过向所述第三导体和所述第一导体之间的所述绝缘膜施加电压来局部地破坏所述绝缘膜的方式减薄。

6、发明效果

7、根据本公开，能够使具备熔丝的半导体装置小型化。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

技术总结
本发明涉以及半导体装置，使具备熔丝的半导体装置小型化。一种半导体装置(12)，其具有：绝缘性的支承体(14)，其具备支承面(14U)；第一导体(16A)，其设置于支承面(14U)；第二导体(16B)，其与第一导体(16A)分离地设置于支承面(14U)；绝缘膜(18)，其设置于支承面(14U)并覆盖第一导体(16A)以及第二导体(16B)；第三导体(20)，其设置于绝缘膜(18)的与支承面(14U)相对侧的面并贯通绝缘膜(18)而与第二导体(16B)接触，绝缘膜(18)包括如下的薄壁部(24)：第三导体(20)侧和第一导体(16A)侧的厚度被以通过向第三导体(20)和第一导体(16A)之间的绝缘膜(18)施加电压来局部地破坏绝缘膜(18)的方式减薄。

技术研发人员：木名濑爱美
受保护的技术使用者：拉碧斯半导体株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/7