静电吸盘调节装置、方法、计算机设备和存储介质与流程

本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种静电吸盘调节装置、方法、计算机设备和存储介质。

背景技术：

1、在半导体制造技术领域，为了让晶圆在pvd（physical vapor deposition，物理气相沉积）和 cvd（chemical vapor deposition，化学气相沉积）腔体中更好的沉积薄膜，人们发明了esc（electrostatic chuck，静电吸盘），esc利用电容两带电极板的库伦引力来固定晶圆。

2、现有的双极库伦型esc 施加的库伦引力较为均匀的分布晶圆的表面，而当晶圆有弯曲时，易存在吸附不紧的情况，且晶圆弯曲程度较大时，沉积的薄膜均匀度也会较差。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种静电吸盘调节装置、方法、计算机设备和存储介质，能够使静电吸盘更紧密地吸附待测晶圆。

2、一种静电吸盘调节装置，包括：

3、供电组件；

4、静电吸盘，所述静电吸盘包括导电层，所述导电层包括间隔设置的第一导电区域和第二导电区域，所述第一导电区域包括至少两个间隔设置的第一电极单元，各所述第一电极单元与所述供电组件的第一极连接，所述第二导电区域与所述供电组件的第二极连接，各所述第一电极单元用于吸附待测晶圆的第一区域的不同子区域，所述第二导电区域用于吸附所述待测晶圆的第二区域，其中，所述待测晶圆划分为所述第一区域和所述第二区域；

5、第一调节组件，所述第一调节组件的第一端与所述供电组件连接，所述第一调节组件的第二端与目标第一电极单元连接，所述第一调节组件用于改变自身阻值以改变所述目标第一电极单元的电压，以调节各所述第一电极单元上的电荷分布。

6、在其中一个实施例中，所述第二导电区域包括至少两个第二电极单元；所述静电吸盘调节装置还包括第二调节组件，所述第二调节组件的第一端与所述供电组件连接，所述第二调节组件的第二端与目标第二电极单元连接。

7、在其中一个实施例中，所述第一调节组件包括至少一个第一滑动变阻器，各所述第一滑动变阻器的第一端与所述供电组件的第一极连接；其中，各所述第一滑动变阻器的第二端一一对应地与各所述目标第一电极单元连接。

8、在其中一个实施例中，所述第二调节组件包括至少一个第二滑动变阻器，各所述第二滑动变阻器的第一端与所述供电组件的第二极连接；其中，各所述第二滑动变阻器的第二端一一对应地与各所述目标第二电极单元连接。

9、在其中一个实施例中，所述供电组件的第一极为正极，所述供电组件的第二极为负极。

10、在其中一个实施例中，所述静电吸盘调节装置还包括：

11、第一开关组件，所述第一开关组件的第一端与所述供电组件连接，所述第一开关组件的第二端与所述导电层连接，用于导通所述供电组件与所述导电层；

12、第二开关组件，所述第二开关组件的第一端分别与所述第一开关组件的第一端和所述供电组件连接，所述第二开关组件的第二端接地，用于导通所述导电层与公共地。

13、在其中一个实施例中，所述第一开关组件包括第一开关单元和第二开关单元，所述第一开关单元的第一端与所述供电组件的第一极连接，所述第一开关单元的第二端与所述第一导电区域连接，所述第二开关单元的第一端与所述供电组件的第二极连接，所述第二开关单元的第二端与所述第二导电区域连接；所述第二开关组件包括第三开关单元和第四开关单元，所述第三开关单元的第一端分别与所述第一开关单元的第一端和所述供电组件的第一极连接，所述第三开关单元的第二端接地，所述第四开关单元的第一端分别与第二开关单元的第一端和所述供电组件的第二极连接，所述第四开关单元的第二端接地。

14、一种静电吸盘调节方法，包括：

15、获取待测晶圆的翘曲程度；

16、根据所述翘曲程度和预设公式确定目标调节组件的阻值，其中，所述目标调节组件包括第一调节组件和第二调节组件中的至少一者。

17、在其中一个实施例中，所述预设公式包括：

18、

19、其中，r为所述阻值，u为供电组件的电压，b为所述翘曲程度，r为所述待测晶圆与导电层之间的距离，t为预设通电时间，k1为所述待测晶圆的弹性系数，k2为电动势常数。

20、一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：

21、获取待测晶圆的翘曲程度；

22、根据所述翘曲程度和预设公式确定目标调节组件的阻值，其中，所述目标调节组件包括第一调节组件和第二调节组件中的至少一者。

23、一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

24、获取待测晶圆的翘曲程度；

25、根据所述翘曲程度和预设公式确定目标调节组件的阻值，其中，所述目标调节组件包括第一调节组件和第二调节组件中的至少一者。

26、上述静电吸盘调节装置、方法、计算机设备和存储介质，通过供电组件为静电吸盘中导电层的第一导电区域和第二导电区域供电，使第一导电区域和第二导电区域上能够存在极性相反的等量电荷，以使第一导电区域和第二导电区域能够对应吸附待测晶圆的第一区域和第二区域，并通过将第一导电区域设置为各第一电极单元，由第一调节组件与目标第一电极单元连接，通过第一调节组件改变自身阻值以改变目标第一电极单元的电压，调节目标第一电极单元内的电荷量，进而调节导电层上的电荷分布情况，最终调节待测晶圆上对应区域的电荷分布情况，通过调节电荷分布，使静电吸盘能够紧密吸附弯曲的待测晶圆，使弯曲的待测晶圆形变伸平，有利于待测晶圆更均匀地沉积薄膜。

技术特征：

1.一种静电吸盘调节装置，其特征在于，所述静电吸盘调节装置包括：

2.根据权利要求1所述的静电吸盘调节装置，其特征在于，所述第二导电区域包括至少两个第二电极单元；所述静电吸盘调节装置还包括第二调节组件，所述第二调节组件的第一端与所述供电组件连接，所述第二调节组件的第二端与目标第二电极单元连接。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘调节装置，其特征在于，所述第一调节组件包括至少一个第一滑动变阻器，各所述第一滑动变阻器的第一端与所述供电组件的第一极连接；其中，各所述第一滑动变阻器的第二端一一对应地与各所述目标第一电极单元连接。

4.根据权利要求2所述的静电吸盘调节装置，其特征在于，所述第二调节组件包括至少一个第二滑动变阻器，各所述第二滑动变阻器的第一端与所述供电组件的第二极连接；其中，各所述第二滑动变阻器的第二端一一对应地与各所述目标第二电极单元连接。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的静电吸盘调节装置，其特征在于，所述静电吸盘调节装置还包括：

6.根据权利要求5所述的静电吸盘调节装置，其特征在于，所述第一开关组件包括第一开关单元和第二开关单元，所述第一开关单元的第一端与所述供电组件的第一极连接，所述第一开关单元的第二端与所述第一导电区域连接，所述第二开关单元的第一端与所述供电组件的第二极连接，所述第二开关单元的第二端与所述第二导电区域连接；所述第二开关组件包括第三开关单元和第四开关单元，所述第三开关单元的第一端分别与所述第一开关单元的第一端和所述供电组件的第一极连接，所述第三开关单元的第二端接地，所述第四开关单元的第一端分别与第二开关单元的第一端和所述供电组件的第二极连接，所述第四开关单元的第二端接地。

7.一种静电吸盘调节方法，其特征在于，所述静电吸盘调节方法包括：

8.根据权利要求7所述的静电吸盘调节方法，其特征在于，所述预设公式包括：

9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求7或8所述的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求7或8所述的方法的步骤。

技术总结
本申请涉及一种静电吸盘调节装置、方法、计算机设备和存储介质。静电吸盘调节装置包括：供电组件；静电吸盘，静电吸盘包括导电层，导电层包括第一导电区域和第二导电区域，第一导电区域包括至少两个第一电极单元，各第一电极单元与供电组件的第一极连接，第二导电区域与供电组件的第二极连接，各第一电极单元用于吸附待测晶圆的第一区域的不同子区域，第二导电区域用于吸附待测晶圆的第二区域；第一调节组件，第一调节组件的第一端与供电组件连接，第二端与目标第一电极单元连接，用于改变自身阻值以改变目标第一电极单元的电压，以调节各第一电极单元上的电荷分布。通过该静电吸盘调节装置可以使静电吸盘更紧密地吸附晶圆。

技术研发人员：应程,高标
受保护的技术使用者：湖北江城芯片中试服务有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15