1.一种静电离子阱，其特征在于，包括对称装配的第一静电离子阱层和第二静电离子阱层；
2.根据权利要求1所述的静电离子阱，其特征在于，所述多个电极包括沿所述绝缘材质圆盘的径向方向由外至内设置的用于形成离子进入通道的第一电极组、用于控制离子进入离子阱状态的门电极以及用于形成离子阱的第二电极组；
3.根据权利要求1所述的静电离子阱，其特征在于，所述绝缘材质圆盘由绝缘且不放气的材料制备而得；
4.根据权利要求1-3任一项所述的静电离子阱，其特征在于，所述静电离子阱用于超高真空环境下；
5.一种如权利要求1-4任一项所述的静电离子阱的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：按预设结构制作所述静电离子阱；
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘材质圆盘通过开模烧制而成；
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，设置引线包括以下方式：打孔埋线、贯穿螺钉、开侧槽压线或打孔焊接；
8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述金属膜的设置方式包括：采用先在无需设置金属膜的区域制作掩膜，随后至少对需要设置金属膜的区域制备金属膜，最后去除所述掩膜的方式；
9.一种质谱仪，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的静电离子阱。
10.根据权利要求9所述的质谱仪，其特征在于，当进入离子进入通道的离子需要进入离子阱时，门电极的电压低于所述离子的动能；当离子进入所述离子阱后，所述门电极的电压上升至高于所述离子的动能。