一种芯片制备方法与流程

本申请涉及半导体，特别是涉及一种芯片制备方法。

背景技术：

1、随着电子产品的更新换代，对于芯片封装器件的性能要求越来越高，现有的封装芯片的通过表面安装技术焊接在电路板上后，通常会出现芯片与电路板散热不佳的问题，导致芯片的性能降低，大大增加了芯片的制备成本。

技术实现思路

1、本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片制备方法，能够提高芯片的性能，降低制备成本。

2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：

3、提供一种芯片制备方法，包括：将至少一个芯片设置在载板上；其中，所述芯片的正面朝向所述载板，所述芯片的正面设置有多个盲孔，所述盲孔内设置有导电柱，相邻的设有所述导电柱的两个所述盲孔的间距小于第一阈值；将所述导电柱从所述芯片背离所述载板的一侧露出；其中，所述导电柱从所述芯片的背面露出的高度大于第二阈值；在露出所述芯片背面的所述导电柱上形成介电层，得到目标芯片；其中，所述介电层自所述芯片的背面包裹所述导电柱的部分侧面。

4、其中，所述将所述导电柱从所述芯片背离所述载板的一侧露出之前，还包括：研磨所述芯片远离所述载板的一侧，以使所述芯片的背面距离所述盲孔底部的距离小于第三阈值。

5、其中，所述将所述导电柱从所述芯片背离所述载板的一侧露出，包括：利用干法刻蚀工艺将所述导电柱从所述芯片背离所述载板的一侧露出。

6、其中，所述在露出所述芯片背面的所述导电柱上形成介电层，得到目标芯片，包括：在露出所述芯片背面的所述导电柱上形成所述介电层；其中，所述介电层包裹所述导电柱；去除所述导电柱上的部分所述介电层，以使所述导电柱的顶部以及部分与所述顶部相邻的侧面露出。

7、其中，所述去除所述导电柱上的部分所述介电层，以使所述导电柱的顶部以及部分与所述顶部相邻的侧面露出，包括：将所述载板倒置并将包裹有所述介电层的导电柱部分浸入第一刻蚀液，以使所述导电柱露出。

8、其中，所述去除所述导电柱上的部分所述介电层，以使所述导电柱的顶部以及部分与所述顶部相邻的侧面露出之后，还包括：将所述导电柱露出的部分浸入第二刻蚀液，以使所述导电柱露出的部分去除，得到顶部齐平且侧面包裹有所述介电层的所述导电柱；将顶部齐平且侧面包裹有所述介电层的所述导电柱浸入所述第一刻蚀液，以使所述导电柱与所述顶部相邻的侧面露出。

9、其中，所述在露出所述芯片背面的所述导电柱上形成所述介电层，包括：利用化学沉积工艺在露出所述芯片背面的所述导电柱上沉积二氧化硅和氮化硅，以使所述导电柱上形成所述介电层。

10、其中，所述去除所述导电柱上的部分所述介电层，以使所述导电柱的顶部以及部分与所述顶部相邻的侧面露出之后，还包括：利用焊接工艺在露出的所述导电柱上形成所述焊料层；其中，所述焊料层包裹自所述介电层至所述导电柱的顶部的侧面以及顶部，且焊料层的材质区别于所述导电柱。

11、其中，所述将至少一个芯片设置在载板上，包括：利用键合胶将包括多个所述芯片的晶圆设置在所述载板上；所述在露出所述芯片背面的所述导电柱上形成介电层，得到目标芯片之后，还包括：去除所述键合胶并移除所述载板；切割掉所述晶圆上相邻的所述目标芯片之间的区域，得到多个单颗的所述目标芯片。

12、其中，所述第一阈值小于所述第二阈值。

13、本申请的有益效果是：本申请提供的芯片制备方法，芯片上的相邻的设有导电柱的两个盲孔之间的间距小于第一阈值且导电柱从芯片的背面露出的高度大于第二阈值，使得制备得到的芯片的导电柱之间的间距更密，芯片与电路板焊接后，两者之间的间隙更大，从而改善了芯片的散热问题，提高了芯片的性能，降低制备成本。

技术特征：

1.一种芯片制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于，所述将所述导电柱从所述芯片背离所述载板的一侧露出之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的芯片制备方法，其特征在于，所述将所述导电柱从所述芯片背离所述载板的一侧露出，包括：

4.根据权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于，所述在露出所述芯片背面的所述导电柱上形成介电层，得到目标芯片，包括：

5.根据权利要求4所述的芯片制备方法，其特征在于，所述去除所述导电柱上的部分所述介电层，以使所述导电柱的顶部以及部分与所述顶部相邻的侧面露出，包括：

6.根据权利要求5所述的芯片制备方法，其特征在于，所述去除所述导电柱上的部分所述介电层，以使所述导电柱的顶部以及部分与所述顶部相邻的侧面露出之后，还包括：

7.根据权利要求4所述的芯片制备方法，其特征在于，所述在露出所述芯片背面的所述导电柱上形成所述介电层，包括：

8.根据权利要求4所述的芯片制备方法，其特征在于，所述去除所述导电柱上的部分所述介电层，以使所述导电柱的顶部以及部分与所述顶部相邻的侧面露出之后，还包括：

9.根据权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于，所述将至少一个芯片设置在载板上，包括：

10.根据权利要求1-9任一项所述的芯片制备方法，其特征在于，所述第一阈值小于所述第二阈值。

技术总结
本申请公开了一种芯片制备方法，该方法包括：将至少一个芯片设置在载板上；其中，芯片的正面朝向载板，芯片的正面设置有多个盲孔，盲孔内设置有导电柱，相邻的设有导电柱的两个盲孔的间距小于第一阈值；将导电柱从芯片背离载板的一侧露出；其中，导电柱从芯片的背面露出的高度大于第二阈值；在露出芯片背面的导电柱上形成介电层，得到目标芯片；其中，介电层自芯片的背面包裹导电柱的部分侧面。本申请提供的芯片制备方法，能够提高芯片的性能，降低制备成本。

技术研发人员：吴长安,马力,项敏,郑子企
受保护的技术使用者：南通通富微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8