本发明属于半导体制造,尤其涉及一种封装工艺及ic芯片。
背景技术:
1、ic芯片(integrated circuit chip)是将微电子元器件(晶体管、电阻、电容等)形成的集成电路放在一块塑基上,做成一块芯片。
2、制备ic芯片时,元器件的电极需要和载板上的焊盘实现电连接,在相关技术中,元器件的电极和焊盘之间通常采用焊接引线的方式连接,每个元器件和焊盘之间均需要焊接多次才能焊接完成,焊接操作繁杂;此外,ic芯片封装时采用注塑方式将元器件和引线均包覆,但注塑过程中熔融的塑胶材料流动时会带动引线移动,导致引线之间接触或者距离过近,得到的ic芯片质量并不统一。
3、可见,相关技术中的ic芯片封装工艺存在效率低和质量难以统一的缺陷。
技术实现思路
1、本发明的技术目的在于提供一种封装工艺及ic芯片,旨在解决相关技术中ic芯片封装工艺存在的至少一个问题。
2、为解决上述技术问题,本发明是这样实现的,提供一种封装工艺,包括步骤:
3、提供载板,所述载板的一侧设有焊盘,所述载板开设有相接于所述焊盘且贯通所述载板背离焊盘的一侧的多个开孔;
4、将微电子元器件置于载板的背离所述焊盘的一侧,使所述微电子元器件的电极对准所述多个开孔;
5、在所述载板的焊盘侧电镀形成金属层,所述金属层填充对应的开孔且电连接于所述电极和所述焊盘。
6、进一步地,所述提供载板,包括:
7、在载板的一侧形成焊盘;
8、在所述载板上形成多个所述开孔,每一所述焊盘均贯穿有至少一所述开孔,各所述焊盘上的开孔和所述微电子元器件的电极位置对应。
9、进一步地,所述微电子元器件的电极在所述载板厚度方向上的投影完全落入其对应的焊盘上的开孔内。
10、进一步地,所述载板的背离焊盘的一侧设有至少两个芯片区,每一所述芯片区均开设对应的所述开孔;
11、所述将微电子元器件置于载板的背离所述焊盘的一侧,包括:
12、将至少两所述微电子元器件一一对应地置于所述至少两个芯片区,使所述微电子元器件的电极对准对应的所述芯片区的对应开孔;
13、在所述载板的焊盘侧电镀形成金属层之后,所述封装工艺还包括:
14、沿相邻的所述芯片区的分界线分切所述载板。
15、进一步地,所述将微电子元器件置于载板的背离所述焊盘的一侧,包括:
16、将所述微电子元器件通过半固化胶粘贴于所述载板背离所述焊盘的一侧,其中,所述开孔朝向所述微电子元器件的一侧由所述半固化胶环绕。
17、进一步地,所述在所述载板的焊盘侧电镀形成金属层,之前或者之后,还包括:
18、注塑形成包覆所述微电子元器件且和所述载板连接为一体的塑封壳。
19、进一步地,所述在所述载板的焊盘侧电镀形成金属层,包括:
20、在所述开孔内电镀形成填充所述开孔且连接对应的电极的第一电连接件,使所述电连接件的一端和对应的所述焊盘平齐;
21、在所述载板的焊盘侧电镀形成覆盖所述电连接件和所述焊盘的第二电连接件。
22、进一步地,所述在所述开孔内电镀形成填充所述开孔且连接对应的电极的第一电连接件,之前,还包括:
23、在所述焊盘的表面覆盖遮挡层。
24、进一步地,提供一种ic芯片,包括载板、微电子元器件、塑封壳和金属层;所述微电子元器件连接于所述载板的一侧;所述塑封壳连接于所述载板且覆盖所述微电子元器件的外侧;所述微电子元器件朝向所述载板的一侧设置有电极;所述载板的背离所述塑封壳的一侧设有位置和所述电极对应的焊盘,且所述载板开设位于所述焊盘所在区域且正对所述电极的开孔;所述金属层填充所述开孔且覆盖所述焊盘。
25、进一步地,所述载板的焊盘区域凹陷形成凹槽,所述金属层包括填充于所述开孔且电连接于对应的所述电极的第一电连接件、以及连接于所述第一电连接件且覆盖所述焊盘的表面的第二电连接件,所述第二电连接件的表面和所述载板的表面平齐。
26、本发明中封装工艺及ic芯片与现有技术相比,有益效果在于:
27、通过在载板上设置和微电子元器件的电极对应的开孔,然后微电子元器件置于载板时开孔对准对应的电极,之后再通过电镀工艺形成填充对应的开孔且电连接于电极和焊盘的金属层,如此,无需逐个地焊接邦定线,电镀时可以采用批量同时进行的方式,极大地提升了效率,并且,形成的金属层限定在开孔中,不存在形变的问题,规格和质量统一,其横截面积远远大于邦定线的横截面积,导电性能好,并且导热性能更佳。
1.一种封装工艺,其特征在于,包括步骤:
2.根据权利要求1所述的封装工艺,其特征在于,所述提供载板,包括:
3.根据权利要求2所述的封装工艺,其特征在于,所述微电子元器件的电极在所述载板厚度方向上的投影完全落入其对应的焊盘上的开孔内。
4.根据权利要求1所述的封装工艺,其特征在于,所述载板的背离焊盘的一侧设有至少两个芯片区,每一所述芯片区均开设对应的所述开孔;
5.根据权利要求1所述的封装工艺,其特征在于,所述将微电子元器件置于载板的背离所述焊盘的一侧,包括:
6.根据权利要求1所述的封装工艺,其特征在于,所述在所述载板的焊盘侧电镀形成金属层,之前或者之后,还包括:
7.根据权利要求6所述的封装工艺,其特征在于,所述在所述载板的焊盘侧电镀形成金属层,包括:
8.根据权利要求7所述的封装工艺,其特征在于,所述在所述开孔内电镀形成填充所述开孔且连接对应的电极的第一电连接件,之前,还包括:
9.一种ic芯片,其特征在于,包括载板、微电子元器件、塑封壳和金属层;所述微电子元器件连接于所述载板的一侧;所述塑封壳连接于所述载板且覆盖所述微电子元器件的外侧;所述微电子元器件朝向所述载板的一侧设置有电极;所述载板的背离所述塑封壳的一侧设有位置和所述电极对应的焊盘,且所述载板开设位于所述焊盘所在区域且正对所述电极的开孔;所述金属层填充所述开孔且覆盖所述焊盘。
10.根据权利要求9所述的ic芯片,其特征在于,所述载板的焊盘区域凹陷形成凹槽,所述金属层包括填充于所述开孔且电连接于对应的所述电极的第一电连接件、以及连接于所述第一电连接件且覆盖所述焊盘的表面的第二电连接件,所述第二电连接件的表面和所述载板的表面平齐。