1.一种在复合结构衬底上异质外延生长gan的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的在复合结构衬底上异质外延生长gan的方法，其特征在于，步骤s1中，所述表面处理的方法为：首先对所述多晶sic基底材料表面进行抛光和清洗处理，然后移入高温化学气相沉积设备中，在1400~1700℃下通入h2，进行表面微刻蚀处理。
3.根据权利要求1所述的在复合结构衬底上异质外延生长gan的方法，其特征在于，步骤s2中，所述石墨烯层生长在金属衬底上，层数为1~10层，所述转移为湿法转移。
4.根据权利要求1所述的在复合结构衬底上异质外延生长gan的方法，其特征在于，步骤s2中，所述退火处理在惰性气氛中进行，退火温度350℃~550℃，退火时间5~10min。
5.根据权利要求1所述的在复合结构衬底上异质外延生长gan的方法，其特征在于，步骤s3中，所述原位等离子体预处理的方法为：将所述复合结构衬底置于peald设备中，通入氮气，采用远程等离子模式产生氮等离子体，原位处理衬底表面，处理rf功率20~100w，时间15~90s。
6.根据权利要求1所述的在复合结构衬底上异质外延生长gan的方法，其特征在于，步骤s4中，所述沉积aln成核层的方法为：在peald设备中通入tma与nh3作为al源与n源，一个沉积周期中先通入200~500ms的tma，随后n2吹扫2~10s，之后通入100~1000ms的nh3，最后n2吹扫10~40s，重复100个沉积周期。
7.根据权利要求1所述的在复合结构衬底上异质外延生长gan的方法，其特征在于，步骤s5中，所述沉积sinx保护层的方法为：在peald设备中通入sih2cl2与nh3作为si源与n源，一个沉积周期中先通入10~100ms的sih2cl2，随后n2吹扫1~10s，之后通入3~6s的nh3，最后n2吹扫1~5s，重复5个沉积周期。
8. 根据权利要求1所述的在复合结构衬底上异质外延生长gan的方法，其特征在于，步骤s6中，所述外延生长aln加厚层、gan层的方法为：将沉积有aln成核层和sinx保护层的复合结构衬底置于mocvd设备中，通入h2/nh3混合气体1~5min，在500~700℃下进行热处理，之后将温度升至1100℃, 在tma/nh3/h2气氛下生长aln层，加厚aln层至总厚度20~100nm；之后在tmga/nh3/h2气氛下生长gan基材料。
9.权利要求1~8任一项所述的在复合结构衬底上异质外延生长gan的方法制备的gan基外延结构。