1.一种氮化镓基半导体激光芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层和接触层，其特征在于，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述下波导层、有源层阱层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层和接触层之间构成电子亲和能梯度、峰值电子漂移速率梯度、形变势梯度和体积弹性模量梯度。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体激光芯片，其特征在于，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述有源层阱层的电子亲和能为a，下波导层的电子亲和能为b，上波导层的电子亲和能为c，下包覆层的电子亲和能为d，电子阻挡层的电子亲和能为e，接触层的电子亲和能为f，所述有源层阱层、上波导层、下波导层、下包覆层、电子阻挡层、接触层的电子亲和能构成电子亲和能梯度：e≤d≤f≤b≤c≤a。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体激光芯片，其特征在于，所述有源层阱层的峰值电子漂移速率为g，下波导层的峰值电子漂移速率为h，上波导层的峰值电子漂移速率为i，下包覆层的峰值电子漂移速率为j，电子阻挡层的峰值电子漂移速率为k，接触层的峰值电子漂移速率为l，所述有源层阱层、上波导层、下波导层、下包覆层、电子阻挡层、接触层的峰值电子漂移速率构成峰值电子漂移速率梯度：k≤j≤l≤h≤i≤g。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体激光芯片，其特征在于，所述有源层阱层的形变势为m，下波导层的形变势为n，上波导层的形变势为o，下包覆层的形变势为p，电子阻挡层的形变势为q，接触层的形变势为r，所述有源层阱层、上波导层、下波导层、下包覆层、电子阻挡层、接触层的形变势构成形变势梯度：m≤o≤n≤r≤p≤q。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体激光芯片，其特征在于，所述有源层阱层的体积弹性模量为s，下波导层的体积弹性模量为t，上波导层的体积弹性模量为u，下包覆层的体积弹性模量为v，电子阻挡层的体积弹性模量为w，接触层的体积弹性模量为z，所述有源层阱层、上波导层、下波导层、下包覆层、电子阻挡层、接触层的体积弹性模量构成体积弹性模量梯度：s≤u≤t≤v≤w≤z。
6.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体激光芯片，其特征在于，所述有源层与下波导层界面的电子亲和能分布具有函数y＝sinx/x2第一象限曲线分布；
7.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体激光芯片，其特征在于，所述有源层与下波导层界面的形变势分布具有函数y＝lnx/ex曲线分布；
8.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体激光芯片，其特征在于，所述有源层的阱层为gan、ingan、inn、alinn、algan、alingan、aln、gaas、gap、inp、algaas、alingaas、algainp、ingaas、ingaasn、alinas、alinp、algap、ingap、gasb、insb、inas、inassb、algasb、alsb、ingasb、algaassb、ingaassb、sic、ga2o3、bn、金刚石的任意一种或任意组合，厚度为10埃米至100埃米；
9.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体激光芯片，其特征在于，所述下包覆层、上波导层、下波导层、电子阻挡层、上包覆层为gan、ingan、inn、alinn、algan、alingan、aln、gaas、gap、inp、algaas、alingaas、algainp、ingaas、ingaasn、alinas、alinp、algap、ingap、gasb、insb、inas、inassb、algasb、alsb、ingasb、algaassb、ingaassb、sic、ga2o3、bn、金刚石的任意一种或任意组合。
10.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体激光芯片，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石、硅、ge、sic、aln、gan、gaas、inp、inas、gasb、蓝宝石/sio2复合衬底、mo、tiw、cuw、cu、蓝宝石/aln复合衬底、金刚石、石墨烯、蓝宝石/sinx、蓝宝石/sio2/sinx复合衬底、蓝宝石/sinx/sio2复合衬底、镁铝尖晶石mgal2o4、mgo、zno、zrb2、lialo2和ligao2复合衬底的任意一种。