一种LPCVD路线正面poly方法与流程

本申请实施例涉及光伏电池的，具体而言，涉及一种lpcvd路线正面poly方法。

背景技术：

1、首个光伏电池诞生至今已有近70年历史，到2019年，单晶perc电池成为光伏行业的主流技术，其良好的光电转换效率表现成为推动太阳能发电与传统能源“平价”的关键因素。

2、在相关技术中，太阳能电池的载体一般是晶体硅片，电池的上表面金属电极与硅基体有直接接触，会产生载流子复合，影响电池的效率。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种lpcvd路线正面poly方法，旨在解决电池的上表面金属电极与硅基体有直接接触问题。

2、本申请实施例提供一种lpcvd路线正面poly方法，所述方法包括：

3、s1、在对硅片湿法化学处理后进行硼扩散形成bsg层；

4、s2、对所述硅片进行背抛；

5、s3、利用正面所述bsg层作为掩膜进行磷扩散；

6、s4、去除表面氧化层；

7、s5、通过lpcvd工艺在表面形成薄膜；

8、s6、在正面进行图形化印刷并进行热推进；

9、s7、制备表面掩膜；

10、s8、削减poly层；

11、s10、在所述硅片正面形成alo/sin镀膜，背面形成sin镀膜；

12、s11、制备两侧电极。

13、可选地，在对硅片湿法化学处理时，首先通过化学腐蚀进行制绒，通过带有有机溶剂的去离水进行超声波清洗。

14、可选地，在60℃、质量分数为2.5％的koh溶液中抛光，并进行rca清洗对所述硅片进行背抛，并用氢氧化钠和双氧水混合液清洗硅片表面经过抛光后残留的脏污；氢氧化钠的质量浓度为1～2％、清洗的温度为20～30℃。

15、可选地，对所述硅片进行背抛后反光率在35％-40％之间。

16、可选地，去除表面氧化层时，采用hf和hno3溶液去除所述硅片磷扩散形成的磷硅玻璃以及所述bsg层。

17、可选地，所述lpcvd工艺包括利用lpcvd设备双面制备隧穿氧化硅层和多晶硅薄膜层，从而形成薄膜。

18、可选地，通过正面银铝浆料在正面进行图形化印刷，所述正面银铝浆料包括有机添加剂、银粉、纳米级含铝粉末、有机粘合剂和玻璃粉。

19、可选地，削减后所述poly层不小于50nm。

20、可选地，通过pecvd设备在正面依次形成alo钝化层以及sin层，构成所述alo/sin镀膜，在背面沉积形成所述sin镀膜；完成后进行退火。

21、可选地，退火温度为700°，退火时长为5min，

22、采用本申请提供的一种lpcvd路线正面poly方法，首先在对硅片湿法化学处理后进行硼扩散形成bsg层，然后对所述硅片进行背抛，利用正面所述bsg层作为掩膜进行磷扩散，并去除表面氧化层，然后通过lpcvd工艺在表面形成薄膜，再在正面进行图形化印刷并进行热推进，之后制备表面掩膜，并削减poly层，然后在所述硅片正面形成alo/sin镀膜，背面形成sin镀膜，最后制备两侧电极，通过本申请的poly方法形成的结构，避免了电池的上表面金属电极与硅基体直接接触，导致电池产生载流子复合，提高了电池的效率。

技术特征：

1.一种lpcvd路线正面poly方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对硅片湿法化学处理时，首先通过化学腐蚀进行制绒，通过带有有机溶剂的去离水进行超声波清洗。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在60℃、质量分数为2.5％的koh溶液中抛光，并进行rca清洗，实现对所述硅片进行背抛，并用氢氧化钠和双氧水混合液清洗硅片表面经过抛光后残留的脏污；氢氧化钠的质量浓度为1～2％、清洗的温度为20～30℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述硅片进行背抛后反光率在35％-40％之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除表面氧化层时，采用hf和hno3溶液去除所述硅片磷扩散形成的磷硅玻璃以及所述bsg层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述lpcvd工艺包括利用lpcvd设备双面制备隧穿氧化硅层和多晶硅薄膜层，从而形成薄膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过正面银铝浆料在正面进行图形化印刷，所述正面银铝浆料包括有机添加剂、银粉、纳米级含铝粉末、有机粘合剂和玻璃粉。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，削减后所述poly层不小于50nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过pecvd设备在正面依次形成alo钝化层以及sin层，构成所述alo/sin镀膜，在背面沉积形成所述sin镀膜；完成后进行退火。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，退火温度为700°，退火时长为5min。

技术总结
本申请实施例涉及光伏电池的技术领域，具体而言，涉及一种LPCVD路线正面poly方法，包括：在对硅片湿法化学处理后进行硼扩散形成BSG层；对所述硅片进行背抛；利用正面所述BSG层作为掩膜进行磷扩散；去除表面氧化层；通过LPCVD工艺在表面形成薄膜；在正面进行图形化印刷并进行热推进；制备表面掩膜；削减poly层；在所述硅片正面形成AlO/SiN镀膜，背面形成SiN镀膜；制备两侧电极，通过本申请的poly方法形成的结构，避免了电池的上表面金属电极与硅基体直接接触，导致电池产生载流子复合，提高了电池的效率。

技术研发人员：陈龙
受保护的技术使用者：宜宾英发德耀科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/21