1.一种三维半导体结构，包括以下结构：
2.根据权利要求1所述的三维半导体结构，其特征在于，所述网格状导电层为铜和/或碳纳米管。
3.根据权利要求2所述的三维半导体结构，其特征在于，所述网格状导电层还可以为其他金属和/或碳纳米管，所述其他金属包括但不限于al、pt、au。
4.根据权利要求1所述的三维半导体结构，其特征在于，所述凸起结构的宽度为a，所述凸起结构的高度为h，则所述凸起结构的高宽比h/a大于1。
5.一种三维电容器，其特征在于，包含如权利要求1-4任一项所述的三维半导体结构，以及第一电极和第二电极，其中所述第一电极与所述第一导电层电连接，所述第二电极与所述第二导电层电连接。
6.根据权利要求5所述的三维电容器，其特征在于，除去所述凸起结构的所述第一导电层的厚度与所述第一电极的厚度之和为t1，除去向内凸起的部分的厚度的所述第二导电层的厚度与所述第二电极的厚度之和为t2，其中t1与t2的比值为0.5-2。
7.一种三维电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的三维电容器的制备方法，其特征在于，在所述步骤s05之后，还包括：
9.根据权利要求7所述的三维电容器的制备方法，其特征在于，在所述步骤s06之后，还包括：
10.根据权利要求7所述的三维电容器的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底包括但不限于硅衬底、锗衬底或者soi衬底。
11.根据权利要求7所述的三维电容器的制备方法，其特征在于，所述网格状导电层为铜和/或碳纳米管。
12.根据权利要求11所述的三维电容器的制备方法，其特征在于，所述网格状导电层还可以为其他金属和/或碳纳米管，所述其他金属包括但不限于al、pt、au。
13.根据权利要求7所述的三维电容器的制备方法，其特征在于，所述凸起结构的宽度为a，所述凸起结构的高度为h，则所述凸起结构的高宽比h/a大于1。
14.根据权利要求7所述的三维电容器的制备方法，其特征在于，所述介质层为绝缘材料，所述介质层的形成工艺为原子层沉积工艺。
15.根据权利要求7所述的三维电容器的制备方法，其特征在于，所述制作金属图形化结构包括，在衬底上沉积形成金属层，并使用包括但不限于电镀或者3d打印的方式形成金属图形化结构。
16.根据权利要求7所述的三维电容器的制备方法，其特征在于，在所述金属图形化结构上形成的网格状导电层的工艺包括但不限于电镀、3d打印以及选择性生长中的一种或几种的组合。
17.根据权利要求7所述的三维电容器的制备方法，其特征在于，所述第二导电层采用两步工艺形成，先使用原子层沉积技术形成导电薄层，然后采用电镀和/或化学镀的方法形成。
18.根据权利要求7所述的三维电容器的制备方法，其特征在于，除去所述凸起结构的所述第一导电层的厚度与所述第一电极的厚度之和为t1，除去向内凸起的部分的厚度的所述第二导电层的厚度与所述第二电极的厚度之和为t2，其中t1与t2的比值为0.5-2。
19.一种电子装置，其特征在于包括控制电路和如权利要求5所述的三维电容器。
20.根据权利要求19所述的电子装置，其特征在于，所述第二电极通过孔延伸至所述第一电极所在的平面。