一种LED封装器件的制备方法及LED封装器件与流程

文档序号:37220666发布日期:2024-03-05 15:16阅读:12来源:国知局
一种LED封装器件的制备方法及LED封装器件与流程

本发明主要涉及芯片封装,具体涉及一种led封装器件的制备方法及led封装器件。


背景技术:

1、目前的led封装器件主要通过将led芯片焊接在基板上,在基板上进行塑封胶体的封装,需要根据led芯片的规格尺寸在基板上预设线路层,并在基板的表面设置有金属层,以便将led芯片对贴安装在基板上,但是这种封装方式需要在基板上进行线路的加工,导致led封装器件的制备工艺复杂繁琐,影响led封装器件的制备效率。


技术实现思路

1、本发明的目的在于克服现有技术的不足,本发明提供了一种led封装器件的制备方法及led封装器件,所述制备方法通过在临时载板上设置图案化金属层实现对led芯片的封装,节省工艺制程,提高制备效率。

2、本发明提供了一种led封装器件的制备方法,所述led封装器件的制备方法包括:

3、提供一临时载板,在所述临时载板的顶面上基于气相沉积制备形成钝化层;

4、在所述钝化层上通过光刻胶制备形成一层图案化掩膜,并基于所述图案化掩膜在所述钝化层上蒸镀形成若干个图案化金属层;

5、在每一个图案化金属层上设定芯片安装位置,并在每一个芯片安装位置涂覆锡膏形成锡焊点位,将若干个led芯片中的焊盘对应贴合在所对应的锡焊点位上;

6、通过压胶工艺在所述图案化金属层上压合形成包覆所述若干个led芯片的封装胶体;

7、在封装胶体上刻画线路,通过切割机构沿所述线路切割所述封装胶体并在所述临时载板上形成若干个led封装器件;

8、在所述若干个led封装器件的顶面上覆盖一层黏性蓝膜;

9、通过刻蚀处理所述钝化层,使得所述临时载板从若干个led封装器件上剥离。

10、进一步的,所述在所述钝化层上通过光刻胶制备形成一层图案化掩膜,并基于所述图案化掩膜在所述钝化层上蒸镀形成若干个图案化金属层包括:

11、在所述钝化层上旋涂覆盖光刻胶,通过曝光和显影在所述光刻胶上形成裸露部分所述钝化层的图案化掩膜;

12、通过电子束蒸发台机在所述图案化掩膜上蒸镀金属材料,形成覆盖所述钝化层和光刻胶的初始金属层;

13、去除所述光刻胶,在所述钝化层上形成若干个图案化金属层。

14、进一步的,所述在图案化金属层上设定芯片安装位置,并在所述芯片安装位置涂覆锡膏形成锡焊点位,将led芯片的焊盘对应贴合在所述锡焊点位上包括:

15、在所述图案化金属层上标记芯片安装位置,在所述芯片安装位置上涂覆锡膏形成锡焊点位;

16、将led芯片的焊盘对应贴合在所述锡焊点位上,并通过高温回炉对所述锡焊点位进行固化操作。

17、进一步的,所述通过压胶工艺在所述图案化金属层上压合形成包覆所述led芯片的封装胶体包括:

18、在所述图案化金属层上覆盖初始胶体,使得初始胶体包覆所述图案化金属层表面和led芯片;

19、设定压胶机在预设压合压力和预设烘烤温度下,对所述初始胶体持续热压第一预设时间,形成所述封装胶体。

20、进一步的,所述预设压合压力为p,所述p的取值范围为:3t≤p≤5t;

21、所述预设烘烤温度为f,所述f的取值范围为:110℃≤f≤150℃;

22、所述第一预设时间为t1,所述t1的取值范围为:3h≤t≤5h。

23、进一步的,在封装胶体上刻画线路,通过切割机构沿所述线路切割所述封装胶体并在所述临时载板上形成若干个led封装器件包括:

24、在所述封装胶体的顶面上刻画线路,通过砂轮沿所述线路对所述封装胶体进行切割,在所述封装胶体上基于切割形成若干条线槽;

25、所述封装胶体基于所述若干条线槽划分为若干个封装层,使得所述临时载板上形成有若干个led封装器件。

26、进一步的,所述砂轮的宽度为w,所述w的取值范围为:40μm≤w≤100μm。

27、进一步的,通过刻蚀处理所述钝化层,使得所述临时载板从若干个led封装器件上剥离包括:

28、将所述钝化层完全浸没在刻蚀溶液中,并持续浸泡第二预设时间,对钝化层进行刻蚀消除。

29、进一步的,所述第二预设时间为t2,所述t2的取值范围为:15min≤t2≤30min。

30、本发明还提供了一种led封装器件,所述led封装器件基于所述制备方法制备形成;

31、所述led封装器件包括图案化金属层、设置在所述图案化金属层的led芯片,以及覆盖在所述led芯片上的封装胶层;

32、所述图案化金属层的底面与所述封装胶层的底面持平。

33、本发明提供了一种led封装器件的制备方法及led封装器件,所述制备方法通过在临时载板上进行led芯片的封装,并在封装完成后将临时载板剥离,可以对临时载板进行回收并重复使用,通过设置临时载板承载led芯片的封装操作,可以减少临时载板上加工线路的工艺,从而简化led封装器件的工艺制程,并通过在临时载板上同时封装多个led封装器件,提高led封装器件的制备效率。

34、基于所述制备方法制备而成的led封装器件减少基板结构,简化led器件的整体结构,使得led封装器件能够适应小型化器件安装要求,同时配合图案化金属层,使得led封装器件便于贴合外部电路板,提高led封装器件的实用性和可靠性。



技术特征:

1.一种led封装器件的制备方法,其特征在于,所述led封装器件的制备方法包括:

2.如权利要求1所述的led封装器件的制备方法,其特征在于,所述在所述钝化层上通过光刻胶制备形成一层图案化掩膜,并基于所述图案化掩膜在所述钝化层上蒸镀形成若干个图案化金属层包括:

3.如权利要求1所述的led封装器件的制备方法,其特征在于,所述在每一个图案化金属层上设定芯片安装位置,并在每一个芯片安装位置涂覆锡膏形成锡焊点位,将若干个led芯片中的焊盘对应贴合在所对应的锡焊点位上包括:

4.如权利要求1所述的led封装器件的制备方法,其特征在于,所述通过压胶工艺在所述图案化金属层上压合形成包覆所述若干个led芯片的封装胶体包括:

5.如权利要求4所述的led封装器件的制备方法,其特征在于,所述预设压合压力为p,所述p的取值范围为:3t≤p≤5t;

6.如权利要求1所述的led封装器件的制备方法,其特征在于,在封装胶体上刻画线路,通过切割机构沿所述线路切割所述封装胶体并在所述临时载板上形成若干个led封装器件包括:

7.如权利要求6所述的led封装器件的制备方法,其特征在于,所述砂轮的宽度为w,所述w的取值范围为:40μm≤w≤100μm。

8.如权利要求1所述的led封装器件的制备方法,其特征在于,通过刻蚀处理所述钝化层,使得所述临时载板从若干个led封装器件上剥离包括:

9.如权利要求8所述的led封装器件的制备方法,其特征在于,所述第二预设时间为t2,所述t2的取值范围为:15min≤t2≤30min。

10.一种led封装器件,其特征在于,所述led封装器件基于如权利要求1至9任一所述的制备方法制备形成;


技术总结
本发明公开了一种LED封装器件的制备方法及LED封装器件,制备方法包括:提供一临时载板,在临时载板上制备形成钝化层;在钝化层上制备一层图案化掩膜,在钝化层上蒸镀形成若干个图案化金属层;在图案化金属层上设定芯片安装位置,并在芯片安装位置涂覆锡膏,形成锡焊点位,将芯片的焊盘对应贴合在锡焊点位上;通过压胶工艺在图案化金属层上压合形成包覆LED芯片的封装胶体;在封装胶体上刻画线路,沿线路切割封装胶体并在临时载板上形成若干个LED封装器件;在LED封装器件的顶面上覆盖一层黏性蓝膜;通过刻蚀处理钝化层,实现临时载板的剥离。通过在临时载板上设置图案化金属层实现对LED芯片的封装,节省工艺制程,提升效率。

技术研发人员:崔永进,秦明惠,程绮琳,梁文科,于倩倩,徐亮
受保护的技术使用者:佛山市国星半导体技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/4
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