一种改善TopCon电池EL氧化脏污的方法与流程

本发明属于光伏电池，具体涉及一种改善topcon电池el氧化脏污的方法。

背景技术：

1、tunnel oxide passivated contact(topcon)隧穿氧化硅钝化接触技术为当今太阳能电池发展中较成熟以及各项指标较好的技术，如今全国各光伏企业在大规模扩产，主要是背面采用topcon结构来减少背面金属电极与硅基体接触导致的复合损失，以及接触点处的接触电阻。使载流子传动变成隧穿传动，有效降低接触电阻，从而提高电池的效率。

2、对于topcon电池来说其核心为背面的遂穿氧化层，由于超薄遂穿氧化层和重掺杂硅膜具有良好的钝化效果，硅片表面的能带被弯曲，从而形成场钝化效应，电子隧穿的概率将会大大增加，ρc也大大降低。由于优良的载流子选择性钝化接触性能(j0c<10fa/cm2，ρc<30mω·cm2)，采用topcon技术制备的晶体硅电池效率达到26％以上，

3、对于超薄隧道氧化层，有两种载流子输运理论。第一种是量子隧穿。也就是说，当势垒高度大于粒子能量时，电子等微观粒子仍然可以概率地穿过势垒到达另一侧。根据“测不准原理”，时间和能量不能同时具有确定的值，一个量越确定，另一个量就越不确定。即粒子在极短时间内的能量将具有极大的不确定性，能量值的范围将变得更大。因此，虽然粒子的能量(应该是粒子在其能量范围内的平均值)小于势垒高度，但在这个范围内的高能态有一定的概率在很短的时间内超过势垒高度。如果势垒空间跨度较小，具有高能态的粒子可以在很短的时间内穿过势垒。二是针孔理论，当氧化层超过2nm时，载流子穿隧的概率会大大降低。此时载流子主要通过针孔传输，当氧化层的针孔数量过少时，载流子的传输将受到限制。针孔数量过多说明氧化层缺陷过多，导致氧化层化学钝化效果降低。在这种输运机制下，遂穿氧化层的质量要求非常高。

4、氧化脏污产生原因主要是由于遂穿氧化层偏厚导致电子不能通过遂穿效应或者针孔传输进行传导，氧化层厚度在1-3nm时能有效的进行传输，当大于3nm时，传输效果将明显降低，会导致el发暗，主要是碱抛后滞留时间过长导致的电池片被氧化产生的氧化脏污，而在量产时，机台难免发生异常报警导致产线流转变慢，增加电池片氧化时间，因此如何解决碱抛后滞留时间过长导致电池片被氧化产生氧化脏污是本领域亟需解决的一个问题。

技术实现思路

1、为解决上述背景技术中提出的问题，本发明提供一种改善topcon电池el氧化脏污的方法，以解决现有技术中电池片在碱抛后滞留时间过长导致电池片被氧化产生氧化脏污的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

3、一种改善topcon电池el氧化脏污的方法，包括以下步骤：

4、s1：将多个硅片进行制绒操作，得到多个制绒后硅片；

5、s2：将多个制绒后硅片依次进行前硼扩操作、se操作、氧化操作、去bsg操作和碱抛操作，得到多个片子；

6、s3：设置无氧通道，无氧通道一端与碱抛操作设备的下料口连通，无氧通道另一端与poly操作设备的入料口连通；

7、s4：多个片子从碱抛操作设备的下料口下料后，使用至少一个agv小车将多个片子通过无氧通道运输至poly操作设备的上料口中，agv小车运输完成后掉头穿过无氧通道返回碱抛操作设备的下料口；

8、s5：重复s4直至所有片子均完成从碱抛操作设备的下料口至poly操作设备的上料口的运输，进入下一步骤；

9、s6、对所有进入poly操作设备上料口的片子依次进行poly操作、退火操作、去psg+rca操作、ald操作、正背镀膜操作和金属化操作，得到多个topcon电池。

10、优选地，无氧通道侧面还设有缓存站，缓存站与无氧通道侧面连通，缓存站内环境为无氧环境；

11、当poly操作设备发出异常警报无法接收片子时，碱抛操作设备停止下料，每一个接收到片子的agv小车均携带片子进入缓存站进行等待；

12、当异常解除，poly操作设备可正常接收片子时，碱抛操作设备开始下料，agv小车运送片子至poly操作设备的上料口中，agv小车运输完成后掉头穿过无氧通道返回碱抛操作设备的下料口。

13、优选地，无氧通道采用双层抽真空钢化玻璃。

14、优选地，缓存站上设有可控制开合的玻璃门。

15、优选地，无氧通道和缓存站内部均采用氮气持续填充，氮气压力在1-1.5个大气压之内，氮气占比为80％-90％。

16、优选地，无氧通道中还设有气压表。

17、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

18、本申请提供了一种改善topcon电池el氧化脏污的方法，通过在碱抛下料到poly上料中间段设计出一个无氧通道来实现碱抛后的无氧环境，通过密闭空间通入其他气体，使氧气含量降低，在机台发生异常报警导致产线流转变慢时，电池片在无氧通道运输和留存时将不会被氧化生成氧化层，简便有效的解决了电池片在碱抛后滞留时间过长导致电池片被氧化产生氧化脏污的问题。

技术特征：

1.一种改善topcon电池el氧化脏污的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种改善topcon电池el氧化脏污的方法，其特征在于，无氧通道侧面还设有缓存站，缓存站与无氧通道侧面连通，缓存站内环境为无氧环境；

3.根据权利要求1所述的一种改善topcon电池el氧化脏污的方法，其特征在于，无氧通道采用双层抽真空钢化玻璃。

4.根据权利要求1所述的一种改善topcon电池el氧化脏污的方法，其特征在于，缓存站上设有可控制开合的玻璃门。

5.根据权利要求2所述的一种改善topcon电池el氧化脏污的方法，其特征在于，无氧通道和缓存站内部均采用氮气持续填充，氮气压力在1-1.5个大气压之内，氮气占比为80％-90％。

6.根据权利要求1所述的一种改善topcon电池el氧化脏污的方法，其特征在于，无氧通道中还设有气压表。

技术总结
本发明公开了一种改善TopCon电池EL氧化脏污的方法，包括以下步骤：S1：将多个硅片依次进行制绒操作、前硼扩操作、SE操作、氧化操作、去BSG操作和碱抛操作，得到多个片子；S2：设置连通碱抛操作设备和poly操作设备的无氧通道；S3：使用AGV小车将片子通过无氧通道运输至poly操作设备中；S4：重复S3直至所有片子均完成运输，进入下一步骤；S6：对所有进入poly操作设备的片子依次进行poly操作、退火操作、去PSG+RCA操作、ALD操作、正背镀膜操作和金属化操作，得到多个TopCon电池，本申请通过设置无氧通道来实现碱抛后的无氧环境，产线流转变慢时，电池片在无氧通道运输和留存时将不会被氧化生成氧化层，避免了电池片被氧化产生氧化脏污的情况发生。

技术研发人员：梁静,谢毅
受保护的技术使用者：和光同程光伏科技（宜宾）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/29