太阳能电池及其制造方法、光伏组件与流程

文档序号:37358841发布日期:2024-03-22 10:12阅读:9来源:国知局
太阳能电池及其制造方法、光伏组件与流程

本公开实施例涉及光伏领域,特别涉及一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件。


背景技术:

1、目前,随着化石能源的逐渐耗尽,太阳能电池作为新的能源替代方案,使用越来越广泛。太阳能电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子,然后使用电极将载流子引出,从而利于将电能有效利用。

2、目前的太阳能电池主要包括单层电池,例如ibc电池(交叉背电极接触电池,interdigitated back contact)、topcon(tunnel oxide passivated contact,隧穿氧化层钝化接触)电池、perc电池(钝化发射极和背面电池,passivated emitter and realcell)、hit/hjt电池(heterojunction technology,异质结电池)以及钙钛矿电池等。通过不同的膜层设置以及功能性限定减少光学损失以及降低硅基底表面及体内的光生载流子复合以提升太阳能电池的光电转换效率。

3、然而,目前ibc电池对光的利用率还有待提高。


技术实现思路

1、本公开实施例提供一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件,至少有利于提高太阳能电池对光的利用率。

2、根据本公开一些实施例,本公开实施例一方面提供一种太阳能电池,包括:基底,所述基底具有相对的正面以及背面;在所述背面且沿第一方向交替排布的第一掺杂层以及第二掺杂层,所述第一掺杂层与相邻的所述第二掺杂层之间由隔离区间隔开,所述第一掺杂层的掺杂类型与所述第二掺杂层的掺杂类型不同,所述隔离区露出部分所述背面;其中,所述第一掺杂层朝向所述隔离区的侧壁为第一斜坡侧壁,所述第二掺杂层朝向所述隔离区的侧壁为第二斜坡侧壁;第一电极以及第二电极,所述第一电极与所述第一掺杂层电接触,所述第二电极与所述第二掺杂层电接触。

3、在一些实施例中,所述第一斜坡侧壁与所述第一掺杂层朝向所述背面的表面之间的夹角为第一夹角,所述第一夹角为锐角;所述第二斜坡侧壁与所述第二掺杂层朝向所述背面的表面之间的夹角为第二夹角,所述第二夹角为锐角。

4、在一些实施例中,所述第一夹角小于或等于第二夹角。

5、在一些实施例中,所述第一夹角在25°-60°范围内;所述第二夹角在30°-65°范围内。

6、在一些实施例中,所述隔离区露出的所述背面具有绒面结构,所述绒面结构包括多个金字塔结构。

7、在一些实施例中,在沿平行于所述背面的方向上,一所述金字塔结构底面的宽度为2μm-4μm。

8、在一些实施例中,在沿远离所述基底背面的方向上,所述第一斜坡侧壁包括依次连接的第一子斜坡侧壁、平台面以及第二子斜坡侧壁。

9、在一些实施例中,在沿垂直于所述基底背面的方向上,所述第一掺杂层远离所述基底的一侧表面与所述基底正面的距离大于所述第二掺杂层远离所述基底的一侧表面与所述基底正面的距离;其中,所述平台面相较于所述第二掺杂层远离所述基底的一侧表面更靠近所述背面。

10、在一些实施例中,在沿垂直于所述基底背面的方向上,所述第二子斜坡侧壁的厚度小于所述第一子斜坡侧壁的厚度。

11、在一些实施例中,相对于所述背面而言,所述第二子斜坡侧壁的斜率大于所述第一子斜坡侧壁的斜率。

12、在一些实施例中,在沿垂直于所述基底背面的方向上,所述第一掺杂层远离所述基底的一侧表面与所述基底正面的距离小于或等于所述第二掺杂层远离所述基底的一侧表面与所述基底正面的距离。

13、在一些实施例中,所述第一斜坡侧壁为连续斜坡。

14、在一些实施例中,所述第二斜坡侧壁为连续斜坡。

15、在一些实施例中,所述第一掺杂层中的掺杂离子包括硼离子;所述第二掺杂层中的掺杂离子包括磷离子。

16、根据本公开一些实施例,本公开实施例另一方面还提供一种太阳能电池的制造方法,包括:提供基底,所述基底具有相对的正面以及背面;在所述基底背面形成初始第一掺杂层;对所述初始第一掺杂层进行第一图形化处理,以形成沿第一方向间隔排布的多个第一掺杂层,所述第一掺杂层的侧壁为初始第一斜坡侧壁;在所述基底背面形成初始第二掺杂层,所述初始第二掺杂层的掺杂类型与所述第一掺杂层的掺杂类型不同;对所述初始第二掺杂层进行第二图形化处理,以形成第二掺杂层,所述第一掺杂层与所述第二掺杂层在所述基底背面沿第一方向交替排布,所述第一掺杂层与相邻所述第二掺杂层之间由隔离区间隔开,所述隔离区露出部分所述背面;其中,所述第二图形化处理后的所述初始第一斜坡侧壁为第一斜坡侧壁,所述第一斜坡侧壁为所述第一掺杂层朝向所述隔离区的侧壁,所述第二掺杂层朝向所述隔离区的侧壁为第二斜坡侧壁;形成第一电极以及第二电极,所述第一电极与所述第一掺杂层电接触,所述第二电极与所述第二掺杂层电接触。

17、在一些实施例中,在形成所述初始第一掺杂层时,还在所述初始第一掺杂层表面形成初始第一氧化层;其中,所述第一图形化处理的工艺步骤包括:采用第一激光处理,图形化所述初始第一氧化层以形成第一氧化层,所述第一氧化层位于所述第一掺杂层远离所述基底的一侧表面上;采用第一湿法刻蚀工艺,去除所述第一氧化层露出的所述初始第一掺杂层;形成所述第一电极与所述第二电极之前,还包括:去除所述第一氧化层。

18、在一些实施例中,所述第一激光处理的激光功率为20w-30w;所述第一湿法刻蚀工艺的工艺时长为500s-1000s。

19、在一些实施例中,在形成所述初始第二掺杂层的步骤中,所述初始第二掺杂层还位于所述第一掺杂层的表面上,且还在所述初始第二掺杂层表面形成初始第二氧化层;所述第二图形化处理包括:进行第二激光处理,图形化所述初始第二氧化层,以形成第二氧化层,所述第二氧化层至少露出所述隔离区对应的所述初始第二掺杂层;进行第二湿法刻蚀处理,去除所述第二氧化层露出的所述初始第二掺杂层;形成所述第一电极与所述第二电极之前,还包括:去除所述第二氧化层。

20、在一些实施例中,所述第二湿法刻蚀工艺还去除所述第一掺杂层表面上的膜层;所述第二湿法刻蚀处理的工艺时长为300s-800s,所述第二湿法刻蚀的工艺温度为60℃-80℃。

21、根据本公开一些实施例,本公开实施例另一方面还提供一种光伏组件,包括:电池串,由多个如上述实施例所述的太阳能电池或者如上述实施例所述的太阳能电池的制造方法形成的太阳能电池电连接而成;封装胶膜,用于覆盖所述电池串表面;盖板,用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。

22、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点:

23、本公开实施例提供的太阳能电池中,包括:具有相对的正面以及背面的基底;在背面沿第一方向交替排布的第一掺杂层以及第二掺杂层,第一掺杂层与相邻第二掺杂层之间由隔离区间隔开,第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层的掺杂类型不同,隔离区露出部分背面;其中,第一掺杂层朝向隔离区的侧壁为第一斜坡侧壁,第二掺杂层朝向隔离区的侧壁为第二斜坡侧壁;与第一掺杂区电接触的第一电极以及与第二掺杂区电接触的第二电极。在相关ibc电池中,基底背面具有沿第一方向交替排布的第一掺杂层与第二掺杂层,第一掺杂层与第二掺杂层的掺杂类型不同且第一掺杂层与相邻第二掺杂层之间由隔离区间隔开。但是,第一掺杂层朝向隔离区的侧壁为普通垂直侧壁,第二掺杂层朝向隔离区的侧壁也为普通垂直侧壁,这会使得入射至太阳能电池中的光线被大量反射出去,降低了太阳能电池对光的利用率,影响电池的效率。本公开实施例提供的太阳能电池中,电池背面的第一掺杂区与相邻隔离区之间的侧壁为第一斜坡侧壁,第二掺杂区与相邻隔离区之间的侧壁为第二斜坡侧壁,第一斜坡侧壁与第二斜坡侧壁能够提高入射光的反射,从而能够提高太阳能电池对光的利用率,提升电池的效率。

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