使用高密度互连桥接器的2XD模块的组件的制作方法

本公开的实施例涉及电子封装，并且更具体而言，涉及一种具有高密度互连桥接器的多芯片封装。

背景技术：

1、向多管芯模块的发展导致需要先进的互连架构以便容纳多个管芯。在一种类型的架构中，多个管芯附接到在多个管芯之间提供电耦合的插入件。然而，插入件的面积必须至少与若干管芯的面积之和一样大，并且包括附加的组装和布线开销。插入件面积的增长增加了成本并带来了制造问题。

2、在另一方法中，在封装衬底中提供嵌入式桥接器。桥接器提供高密度布线以便将多个管芯电耦合在一起。然而，由于需要多个桥接器管芯，因此存在获得所有桥接器管芯的适当对准的问题。由于其中嵌入桥接器管芯的封装衬底的翘曲，也使得对准变得困难。随着封装所需的桥接器管芯的数量增加，对准问题变成越来越困难的设计挑战。

技术实现思路

技术特征：

1.一种多芯片模块，包括：

2.根据权利要求1所述的多芯片模块，其中，所述模制层与所述桥接器管芯的所述第一侧壁和所述第二侧壁直接接触。

3.根据权利要求1所述的多芯片模块，其中，所述模制层具有在所述桥接器管芯的所述顶侧之上的最上表面。

4.根据权利要求1所述的多芯片模块，其中，所述模制层的所述最上表面处于与所述第一管芯的最上表面相同的水平，并且处于与所述第二管芯的最上表面相同的水平。

5.根据权利要求1所述的多芯片模块，其中，所述再分布层具有与所述模制层的边缘垂直对准的边缘。

6.根据权利要求5所述的多芯片模块，其中，所述再分布层具有与所述模制层的第二边缘垂直对准的第二边缘，所述再分布层的所述第二边缘与所述再分布层的所述边缘横向相反，并且所述模制层的所述第二边缘与所述模制层的所述边缘横向相反。

7.根据权利要求1所述的多芯片模块，其中，所述多个焊球的一部分在所述第一管芯和所述第二管芯的占用区域之外。

8.一种多芯片模块，包括：

9.根据权利要求8所述的多芯片模块，其中，所述模制层与所述第一管芯的所述第一侧壁和所述第二侧壁直接接触。

10.根据权利要求8所述的多芯片模块，其中，所述模制层具有在所述第一管芯的所述顶侧之上的最上表面。

11.根据权利要求8所述的多芯片模块，其中，所述模制层的所述最上表面处于与所述第二管芯的最上表面相同的水平，并且处于与所述第三管芯的最上表面相同的水平。

12.根据权利要求8所述的多芯片模块，其中，用于间距扩展和集成的所述层具有与所述模制层的第一边缘垂直对准的第一边缘，并且其中，用于间距扩展和集成的所述层具有与所述模制层的第二边缘垂直对准的第二边缘，用于间距扩展和集成的所述层的所述第二边缘与用于间距扩展和集成的所述层的所述第一边缘横向相反，并且所述模制层的所述第二边缘与所述模制层的所述第一边缘横向相反。

13.根据权利要求8所述的多芯片模块，还包括在所述第二管芯和所述第三管芯的占用区域之外的第四焊球。

14.一种多芯片模块，包括：

15.根据权利要求14所述的多芯片模块，其中，所述模制层与所述桥接器管芯的所述第一侧壁和所述第二侧壁直接接触。

16.根据权利要求14所述的多芯片模块，其中，所述模制层具有在所述桥接器管芯的所述顶侧之上的最上表面。

17.根据权利要求14所述的多芯片模块，其中，所述模制层的所述最上表面处于与所述第一管芯的最上表面相同的水平，并且处于与所述第二管芯的最上表面相同的水平。

18.根据权利要求14所述的多芯片模块，其中，所述再分布层具有与所述模制层的边缘垂直对准的边缘。

19.根据权利要求14所述的多芯片模块，其中，所述再分布层具有与所述模制层的第二边缘垂直对准的第二边缘，所述再分布层的所述第二边缘与所述再分布层的所述边缘横向相反，并且所述模制层的所述第二边缘与所述模制层的所述边缘横向相反。

20.根据权利要求14所述的多芯片模块，其中，所述焊球的一部分在所述第一管芯和所述第二管芯的占用区域之外。

技术总结
本文公开的实施例包括电子封装和形成这种封装的方法。在实施例中，电子封装包括模制层和嵌入在模制层中的第一管芯。在实施例中，第一管芯包括具有第一间距的第一焊盘和具有第二间距的第二焊盘。在实施例中，电子封装还包括嵌入在模制层中的第二管芯，其中第二管芯包括具有第一间距的第三焊盘和具有第二间距的第四焊盘。在实施例中，桥接器管芯嵌入在模制层中，并且桥接器管芯将第二焊盘电耦合到第四焊盘。

技术研发人员：B·魏达斯,A·沃尔特,G·塞德曼,T·瓦格纳
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17