一种LED灯珠的制作方法及LED灯珠与流程

本申请涉及led显示屏，具体涉及一种led灯珠的制作方法及led灯珠。

背景技术：

1、led灯珠作为led显示屏十分重要的元器件，它对于led显示屏的品质起着决定性作用，尤其是led灯珠的气密性一直是人们所关注的问题。

2、相关技术中，目前行业内的灯珠1010正装产品的气密性较差，在高温高湿的严酷实验下，容易出现芯片金属迁移&烧伤的情况，影响led灯珠的使用寿命以及降低用户对于led显示屏的体验效果。

3、因此，有必要设计一种新的led灯珠的制作方法及led灯珠，以克服上述问题。

技术实现思路

1、本申请提供一种led灯珠的制作方法及led灯珠，可以解决相关技术中灯珠气密性差，容易出现金属迁移与烧伤的技术问题。

2、第一方面，本申请实施例提供一种led灯珠的制作方法，其包括以下步骤：

3、以第一物质作为第一前驱体，第二物质作为第二前驱体，在50℃～180℃下进行反应生成保护膜层沉积到已固晶焊线的基体的表面，使所述保护膜层覆盖于所述基体的表面以及所述基体上的芯片和焊盘的表面。

4、结合第一方面，在一种实施方式中，所述保护膜层包括第一膜层、第二膜层和第三膜层；所述以第一物质作为第一前驱体，第二物质作为第二前驱体，在50℃～180℃下进行反应生成保护膜层沉积到已固晶焊线的基体的表面，包括：

5、以二甲胺基硅烷作为第一前驱体，o3作为第二前驱体，在50℃～180℃下进行反应生成所述第一膜层沉积到所述基体的表面以及所述基体上的芯片和焊盘的表面；

6、在50℃～180℃下，在所述第一膜层的表面沉积所述第二膜层，使所述第二膜层覆盖于所述第一膜层的表面；

7、在50℃～180℃下，在所述第二膜层的表面沉积所述第三膜层，使所述第三膜层覆盖于所述第二膜层的表面。

8、结合第一方面，在一种实施方式中，所述第一膜层的厚度范围为1～2nm。

9、结合第一方面，在一种实施方式中，所述第二膜层的材料包括al2o3，在所述第一膜层的表面沉积所述第二膜层的步骤包括：

10、以三甲基铝作为第一前驱体，h2o作为第二前驱体，在50℃～180℃下进行反应生成所述第二膜层沉积到所述第一膜层的表面。

11、结合第一方面，在一种实施方式中，所述第二膜层的厚度范围为15～20nm。

12、结合第一方面，在一种实施方式中，所述第一物质为二甲胺基硅烷，所述第二物质为o3；或者，所述第一物质为三甲基铝，所述第二物质为h2o；或者，所述第一物质为四(甲基)乙基二异丙酰胺钛，所述第二物质为h2o。

13、结合第一方面，在一种实施方式中，所述第三膜层的材料包括sio2，在所述第二膜层的表面沉积所述第三膜层的步骤包括：

14、以二甲胺基硅烷作为第一前驱体，o3作为第二前驱体，在50℃～180℃下进行反应生成所述第三膜层沉积到所述第二膜层的表面。

15、结合第一方面，在一种实施方式中，在所述以第一物质作为第一前驱体，第二物质作为第二前驱体，在50℃～180℃下进行反应生成保护膜层沉积到已固晶焊线的基体的表面之前，还包括以下步骤：

16、将已固晶焊线的基体除湿后，在所述基体的背面贴合耐高温胶带，其中，所述耐高温胶带与芯片分别设置于所述基体的相对两侧。

17、结合第一方面，在一种实施方式中，在所述将已固晶焊线的基体除湿后，在所述基体的背面贴合耐高温胶带之后，还包括：

18、将贴合有所述耐高温胶带的基体插入镀膜专用治具中，并进行等离子清洗。

19、第二方面，本申请实施例提供了一种采用上述的led灯珠的制作方法获得的led灯珠，所述led灯珠包括：基体，所述基体的表面固设有芯片和焊盘；所述基体的表面还沉积有第一膜层，且所述第一膜层覆盖于所述基体、所述芯片和所述焊盘的表面；所述第一膜层的表面还沉积有第二膜层和第三膜层，且所述第二膜层覆盖于所述第一膜层的表面，所述第三膜层覆盖于所述第二膜层的表面。

20、结合第二方面，在一种实施方式中，所述第一膜层和所述第三膜层的材料均包括sio2，所述第二膜层的材料包括al2o3；或者，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层的材料均包括sio2；所述第一膜层和所述第二膜层的厚度范围均为1～2nm，所述第二膜层的厚度范围为15～20nm。

21、本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：

22、通过在已固晶焊线完的基体上以第一物质作为第一前驱体，第二物质作为第二前驱体来沉积保护膜层，使得保护膜层可以有效且均匀的覆盖在基体以及芯片、焊盘的表面，能够防止水汽渗入灯珠内部后与芯片和基体直接接触，且保护膜层能防止金属迁移与烧伤，提升灯珠整体的气密性，同时，在50℃～180℃下沉积膜层不会损坏芯片与基体，解决了相关技术中灯珠气密性差，容易出现金属迁移与烧伤的技术问题。

技术特征：

1.一种led灯珠的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的led灯珠的制作方法，其特征在于，所述保护膜层(4)包括第一膜层(41)、第二膜层(42)和第三膜层(43)；

3.如权利要求2所述的led灯珠的制作方法，其特征在于，

4.如权利要求2所述的led灯珠的制作方法，其特征在于，所述第二膜层(42)的材料包括al2o3，在所述第一膜层(41)的表面沉积所述第二膜层(42)的步骤包括：

5.如权利要求2或4所述的led灯珠的制作方法，其特征在于，

6.如权利要求1所述的led灯珠的制作方法，其特征在于，

7.如权利要求1所述的led灯珠的制作方法，其特征在于，在所述以第一物质作为第一前驱体，第二物质作为第二前驱体，在50℃～180℃下进行反应生成保护膜层(4)沉积到已固晶焊线的基体(1)的表面之前，还包括以下步骤：

8.如权利要求7所述的led灯珠的制作方法，其特征在于，在所述将已固晶焊线的基体(1)除湿后，在所述基体(1)的背面贴合耐高温胶带之后，还包括：

9.一种采用如权利要求1-8任一项所述的led灯珠的制作方法获得的led灯珠，其特征在于，所述led灯珠包括：

10.如权利要求9所述的led灯珠，其特征在于，

技术总结
本申请涉及一种LED灯珠的制作方法及LED灯珠，LED灯珠的制作方法包括以下步骤：以第一物质作为第一前驱体，第二物质作为第二前驱体，在50℃～180℃下进行反应生成保护膜层沉积到已固晶焊线的基体的表面，使所述保护膜层覆盖于所述基体的表面以及所述基体上的芯片和焊盘的表面。本申请通过在已固晶焊线完的基体上第一物质作为第一前驱体，第二物质作为第二前驱体来沉积保护膜层，使得保护膜层可以有效且均匀的覆盖在基体以及芯片、焊盘的表面，能够防止水汽渗入灯珠内部后与芯片和基体直接接触，且保护膜层能防止金属迁移与烧伤，提升灯珠整体的气密性，同时，在50℃～180℃下沉积膜层不会损坏芯片与基体。

技术研发人员：周贤,李碧波,赵强,李九单,李年谱
受保护的技术使用者：湖北芯映光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24