封装基板的制作方法

本发明涉及毫米波天线电路，特别涉及封装基板。

背景技术：

1、随着芯片集成度不断提高，对集成电路的封装要求更加严格。封装基板作为芯片与pcb之间重要的电气连接组成部分，同时兼具保护、支撑、散热等重要作用，其i/o引脚数不断增加，同时面积不断缩小，传统的导线(金线键合)连接方式已无法胜任。倒装芯片平面栅格阵列(flip chip land grid array,fclga)封装采用倒装方式，通过凸点(bump)将芯片焊盘与基板相连，减小封装尺寸的同时，可提供更多的i/o接口、减少组件互连间的损耗及电感，减低电磁干扰问题，并向较高频率应用。

2、现有技术中无论针对fclga封装还是其他类似的封装(例如，球栅阵列(ballgridarray,bga))的宽带匹配结构，都没有完整考虑基板与芯片或基板与pcb联合匹配问题，也没有考虑其他特殊匹配结构。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供封装基板，解决fclga封装中基板与芯片或基板与线路板(pcb)联合宽带匹配的技术问题。

2、本发明的实施方式公开了一种封装基板，包括：射频传输线层，所述射频传输线层中具有多个段的射频传输线，所述多个段中的相邻的段的宽度不同，并且所述多个段中，两个末端的段的宽度小于其他段中至少一个段的宽度；所述射频传输线与芯片之间的第一连接结构；所述射频传输线与线路板之间的第二连接结构。

3、本发明实施方式与现有技术相比，主要区别及其效果在于：

4、在本发明中，提供了一种fclga基板+芯片+线路板结构的联合优化匹配设计方法，从整体角度优化了宽带匹配设计的实现。射频传输线具有多个段，所述多个段中的相邻的段的宽度不同，实现多段过渡的匹配结构，以利用不同段的线宽的阻抗不匹配，来实现基板两侧的阻抗匹配。

5、在本发明中，射频传输线的多个段中，两个末端的段的宽度小于其他段中至少一个段的宽度，使得总体上越靠近焊盘，传输线的宽度越细，以提高焊盘处的电感，更容易实现阻抗匹配；同时，中间的某一段射频传输线宽度大，与两端的传输线产生宽度差，可以用于调节阻抗，以在更小的封装基板尺寸下，实现阻抗匹配。

6、在本发明中，匹配结构的阻抗过渡部分采用圆形倒角的方式，降低了阻抗变换过程中的结构不连续对性能产生的负面影响。

7、在本发明中，射频传输线为s型弯线，在匹配空间不足的情况下，过渡段与其他支路保持相同的电长度，并且满足匹配所要求的电长度要求。

8、在本发明中，射频传输线的上下方金属层具有覆盖遮挡，该种结构过渡相较于多段过渡匹配更加灵活，同时阻抗变化更加平滑，可以拓展带宽。

技术特征：

1.一种封装基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述射频传输线的宽度变化处具有倒角。

3.根据权利要求2所述的封装基板，其特征在于，所述倒角为弧形。

4.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述射频传输线为直线或圆滑曲线。

5.根据权利要求4所述的封装基板，其特征在于，所述圆滑曲线为s形圆滑曲线。

6.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，还包括：分别位于与所述射频传输线层相邻的两个金属层中的两块遮挡板，两块所述遮挡板垂直对齐，两块所述遮挡板遮挡所述射频传输线的一部分。

7.根据权利要求6所述的封装基板，其特征在于，所述基板至少还包括顶层金属层和底层金属层。

8.根据权利要求7所述的封装基板，其特征在于，所述顶层金属层和所述射频传输线层之间有第一中间金属层，从所述射频传输线层到所述底层金属层之间依次有第二中间金属层和第三中间金属层。

9.根据权利要求8所述的封装基板，其特征在于，两块所述遮挡板为矩形金属板，分别形成于所述第一中间金属层和所述第二中间金属层中。

10.根据权利要求6-9中任一项所述的封装基板，其特征在于，所述射频传输线具有三个段；

11.根据权利要求1-5中任一项所述的封装基板，其特征在于，所述射频传输线具有三个段；

12.根据权利要求1-9中任一项所述的封装基板，其特征在于，沿所述第一连接结构向所述第二连接结构方向，所述射频传输线依次具有第一段、第二段、第三段、第四段和第五段，所述第一段的宽度＜所述第二段的宽度＜所述第三段的宽度＜所述第四段的宽度＞所述第五段的宽度。

13.根据权利要求1-9中任一项所述的封装基板，其特征在于，沿所述第一连接结构向所述第二连接结构方向，所述射频传输线依次具有第六段、第七段、第八段、第九段、第十段、第十一段和第十二段，所述第六段的宽度＜所述第七段的宽度＜所述第八段的宽度＞所述第九段的宽度＜所述第十段的宽度＜所述第十一段的宽度＞所述十二段的宽度。

14.根据权利要求7所述的封装基板，其特征在于，还包括：

15.根据权利要求14所述的封装基板，其特征在于，还包括：

16.根据权利要求15所述的封装基板，其特征在于，所述缝隙中填充介质。

技术总结
本发明涉及封装基板，包括射频传输线层，射频传输线层中具有多个段的射频传输线，多个段中的相邻的段的宽度不同，并且所述多个段中，两个末端的段的宽度小于其他段中至少一个段的宽度；射频传输线与芯片之间的第一连接结构；射频传输线与线路板之间的第二连接结构。

技术研发人员：石城毓,战吉超
受保护的技术使用者：上海安其威微电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27