一种DFN1610芯片框架结构的制作方法

文档序号:34850051发布日期:2023-07-22 14:03阅读:18来源:国知局
一种DFN1610芯片框架结构的制作方法

本技术属于芯片框架,尤其涉及一种dfn1610芯片框架结构。


背景技术:

1、esd成品对于低残压&大电流的性能要求,在芯片结构参数未有明显突破的前提下,为保证产品有良好的电参数,内封芯片需保持一定尺寸规格,与现有成品封装尺寸微型化之间的矛盾,对于产品装配结构提出了更高要求。

2、现有常规框架样式(见附图1)一般只能做芯片串联装片,若强行做并联装片,对于芯片尺寸负面影响很大,且只能装小尺寸的芯片,最终导致产品在电参数上往往无法占得优势。

3、因此,需要设计一款可在满足接线需求,且保证框架上装片区域规整(保持矩形形状)的前提下,能够增加装片区域面积,使该位置可以装配较大尺寸芯片的芯片框架结构。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种dfn1610芯片框架结构,其增加了装片区域面积,使其能够装配较大尺寸芯片,且可同时兼容双芯片对打串联结构及双芯片对打并联结构。

2、为了达到上述目的,本实用新型的技术方案是:

3、一种dfn1610芯片框架结构,包括dfn1610芯片框架,所述dfn1610芯片框架上设有左侧基岛和右侧基岛;

4、所述左侧基岛上设有第一装片区域,所述第一装片区域朝向右侧基岛的一侧设有左侧基岛打线区域,所述左侧基岛打线区域的的横截面为等腰梯形状;

5、所述右侧基岛上设有第二装片区域,所述第二装片区域朝向左侧基岛的一侧设有右侧基岛打线区域,所述右侧基岛打线区域的形状为凹槽状,其与所述左侧基岛打线区域紧密贴合。

6、上述的一种dfn1610芯片框架结构,所述左侧基岛打线区域的腰线斜度与第一装片区域的侧边夹角角度为45度;所述右侧基岛打线区域的凹槽斜面与第二装片区域的侧边夹角角度为45度。

7、上述的一种dfn1610芯片框架结构,所述左侧基岛的左侧、顶部和底部分别设有第一框架管脚;所述右侧基岛的右侧、顶部和底部分别设有第二框架管脚。

8、本实用新型的技术效果和优点:

9、本实用新型提供的一种dfn1610芯片框架结构,通过将左侧基岛和右侧基岛相接的打线区域预先做分离设计,可以在满足接线需求、保证框架上装片区域规整的前提下,增加装片区域面积,使该位置可以装配较大尺寸的芯片,框架的泛用性得到提高,同时兼容双芯对打串联结构及双芯对打并联结构,增加了在后续产品规格设计阶段的作业性,从而可以搭配出更多、更具优势的封装结构。



技术特征:

1.一种dfn1610芯片框架结构,其特征在于:包括dfn1610芯片框架(1),所述dfn1610芯片框架(1)上设有左侧基岛(2)和右侧基岛(3);

2.根据权利要求1所述的一种dfn1610芯片框架结构,其特征在于:所述左侧基岛打线区域(22)的腰线斜度与第一装片区域(21)的侧边夹角角度为45度;所述右侧基岛打线区域(32)的凹槽斜面与第二装片区域(31)的侧边夹角角度为45度。

3.根据权利要求2所述的一种dfn1610芯片框架结构,其特征在于:所述左侧基岛(2)的左侧、顶部和底部分别设有第一框架管脚(7);所述右侧基岛(3)的右侧、顶部和底部分别设有第二框架管脚(8)。


技术总结
本技术涉及一种DFN1610芯片框架结构,包括DFN1610芯片框架,所述DFN1610芯片框架上设有左侧基岛和右侧基岛;所述左侧基岛上设有第一装片区域,所述第一装片区域朝向右侧基岛的一侧设有左侧基岛打线区域,所述左侧基岛打线区域的形状为等腰梯形;所述右侧基岛上设有第二装片区域,所述第二装片区域朝向左侧基岛的一侧设有右侧基岛打线区域,所述右侧基岛打线区域的形状为凹槽状,其与所述等腰梯形形状契合。本技术增加了装片区域面积,使其能够装配较大尺寸芯片,且可同时兼容双芯片对打串联结构及双芯片对打并联结构。

技术研发人员:王康,张彪,焦彬,贺健民
受保护的技术使用者:西安迈驰半导体科技有限公司
技术研发日:20230104
技术公布日:2024/1/13
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1