一种光学传感器芯片及温度检测装置的制作方法

文档序号:36432728发布日期:2023-12-21 08:36阅读:24来源:国知局
一种光学传感器芯片及温度检测装置的制作方法

本技术涉及传感器封装,特别涉及一种光学传感器芯片及温度检测装置。


背景技术:

1、光学传感器是一种依据光学原理进行测量的传感器。

2、常见的光学传感器包括传感器元件7和微透镜8(如图1所示),通常的,微透镜8是通过支架9叠加在传感器元件7正上方。

3、由于需要将微透镜8粘接在支架9上,再将支架组装到传感器元件7正上方,一方面会导致微透镜8无法靠近传感器元件7,例如在一般工艺上,会保留有一定的空隙(如0.1mm的空隙),这部分的空隙会导致光学传感器的视场角(fov)容易扩大;另一方面,光学传感器的四周也可以进入光学能量,会干扰预期收到的光学能量,降低光学传感器的信噪比;另一方面,由于需要支架9支撑,支架9会占据平面较大的面积、整个光学传感器的封装厚度较大,不利于终端产品的集成化。

4、因此,有必要对现有技术予以改良以克服现有技术中的所述缺陷。


技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种光学传感器芯片及温度检测装置,有利于控制视场角、提高信噪比、减小产品尺寸。

2、为了解决上述技术问题,一方面,本实用新型提出了一种光学传感器芯片,包括:

3、基板;

4、光学传感器裸片,与所述基板相连,具有光学区域;

5、光学透镜,与所述光学传感器裸片的光学区域的表面相连。

6、作为优选,所述光学透镜(3)满足在3~9微米波段整体累积透过率积分大于等于50%。

7、作为优选,所述光学透镜为光学平片、凸透镜、凹透镜、菲尼尔透镜或微纳透镜。

8、作为优选,所述光学透镜表面设置有减反射镀膜层。

9、作为优选的,所述光学透镜的材料为硅化玻璃、锗化玻璃或者硫化玻璃。

10、作为优选,所述光学传感器裸片的光学区域的表面与所述光学透镜之间连接有粘连层。

11、作为优选,所述粘连层(6)满足在3~9微米波段整体累计透过率积分值大于等于50%。

12、作为优选,所述粘连层为光学薄膜和/或光学胶粘剂固化形成。

13、作为优选,所述光学传感器芯片还包括与所述基板相连的集成电路裸片,所述集成电路裸片与所述光学传感器裸片间隔设置、且通过所述基板走线连接。

14、作为优选,所述光学传感器芯片还包括塑封体,所述塑封体将所述集成电路裸片、光学传感器裸片、基板以及光学透镜塑封、且部分所述光学透镜露于所述塑封体外。

15、第二方面,本实用新型还提出一种温度检测装置,包括一个或多个第一方面所述的光学传感器芯片,所述光学传感器裸片为红外传感器裸片。

16、与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:

17、本实用新型的光学传感器芯片将光学透镜直接粘连在光学传感器裸片光学区域的表面上,既实现了光学透镜的功能,即通过光学透镜可有效控制视场角,从而提升检测范围,提升检测距离,提升检测精度、提高信噪比;又减小产品尺寸,使得设计更紧密,更利于终端产品的集成化。

18、在一种优选实施方式中,光学传感器裸片与集成电路裸片分开布局,减少了电路干扰,提升了布局紧凑度,同时也降低了工艺要求和成本。



技术特征:

1.一种光学传感器芯片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光学传感器芯片,其特征在于,所述光学传感器裸片(2)的光学区域的表面与所述光学透镜(3)之间连接有粘连层(6)。

3.根据权利要求2所述的光学传感器芯片,其特征在于,所述粘连层(6)满足在3~9微米波段整体累计透过率积分值大于等于50%。

4.根据权利要求2所述的光学传感器芯片,其特征在于,所述粘连层(6)为光学薄膜和/或光学胶粘剂固化形成。

5.根据权利要求1所述的光学传感器芯片,其特征在于,所述光学传感器芯片还包括与所述基板相连的集成电路裸片(4),所述集成电路裸片(4)与所述光学传感器裸片(2)间隔设置、且通过所述基板(1)走线连接。

6.根据权利要求5所述的光学传感器芯片,其特征在于,所述光学传感器芯片还包括塑封体(5),所述塑封体(5)将所述集成电路裸片(4)、光学传感器裸片(2)、基板(1)以及光学透镜(3)塑封、且部分所述光学透镜(3)露于所述塑封体(5)外。

7.一种温度检测装置,其特征在于,包括一个或多个如权利要求1-6任一项所述的光学传感器芯片。


技术总结
本技术公开的一种光学传感器芯片及温度检测装置,其中光学传感器芯片包括:基板(1);光学传感器裸片(2),与所述基板(1)相连,具有光学区域;光学透镜(3),与所述光学传感器裸片(2)的光学区域的表面(21)相连。本技术公开的一种光学传感器芯片及温度检测装置,有利于控制视场角、提高信噪比、减小产品尺寸。

技术研发人员:骆剑锋
受保护的技术使用者:苏州灵动佳芯科技有限公司
技术研发日:20230119
技术公布日:2024/1/15
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