一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器的制作方法

本技术属于电子元器件领域，进一步来说涉及片式膜固定衰减器领域，具体来说，涉及一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器。

背景技术：

1、衰减器的电路结构如图1所示，由电阻r1、r2、r3组成π型或t型衰减网络，在电子系统中起着电平调节，阻抗匹配等作用。片式膜固定衰减器是衰减器的一个重要分支，具有设计灵活，性能稳定，装配方便，可靠性高，特征阻抗与衰减精度高等特点，广泛应用于汽车电子，工业互联、人机交付、5g通信等领域。

2、目前，片式膜固定衰减器的结构如图2、图3所示，采用方形的电阻结构在陶瓷基片上形成π型或t型衰减网络，再根据所需衰减量，调整r1，r2，r3电阻的阻值，通过方形电阻形成的传输矩阵使输入阻抗与信号源的输出阻抗匹配，该匹配只针对于低频情况下的输入阻抗与输出阻抗。所以该种电阻结构有着以下局限：

3、方形电阻结构的片式膜固定衰减器在高频下将产生寄生阻抗，使输入阻抗与信号源的输出阻抗不再匹配，很难避免寄生阻抗产生的影响，最终导致衰减精度下降，出现衰减量的漂移问题。

4、所以，市面上提供的20db片式厚膜固定衰减器在12.4ghz时衰减量漂移到17.5db，衰减精度差，如图10所示。

5、有鉴于此，特提出本实用新型。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是：解决现有技术中方形电阻结构的片式膜固定衰减器在高频下易产生寄生阻抗，导致全频段下衰减精度差的问题。

2、本实用新型的发明构思是：采用曲线形电阻结构，通过曲线形电阻结构产生新的寄生阻抗，抵消原方形电阻结构在高频下的部分寄生阻抗。根据所需抵消寄生阻抗的大小设计曲线形电阻的曲线形单元个数（小数或整数），使曲线形结构电阻产生新的寄生阻抗增加，从而有效解决方形电阻结构的固定衰减器在全频段的衰减量漂移问题，同时也得到较好的驻波。

3、为此，本实用新型提供一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，如图5-9所示。 包括，陶瓷基片1，表电极2，背电极4，过渡台阶金属层5，绝缘性包封层7，膜电阻r1、r2及r3。

4、所述表电极2、背电极4、过渡台阶金属层5、绝缘性包封层7、膜电阻r1、r2及r3制作在陶瓷基片1的上表面，背电极4制作在陶瓷基片1的上表面的背面。

5、所述表电极2包括第一表电极201、第二表电极202、第三表电极203。

6、所述背电极4包括第一背电极401、第二背电极402、第三背电极403。

7、所述第一表电极201、第二表电极202、第三表电极203的正下方分别为第一背电极401、第二背电极402、第三背电极403，形成三组对应关系，每组的表电极与背电极通过内层端涂金属及外层电镀金属连接，形成片式固定衰减器的三个背面电极引出端。

8、所述r1、r2、r3中至少1个为曲线形电阻，其余为方形电阻。

9、所述r2的一端与第一表电极201连接，r2的另一端与第二表电极202连接；r1的一端与第一表电极201连接，r1的另一端与第三表电极203连接；r3的一端与第二表电极202连接，r3的另一端与第三表电极203连接。

10、所述方形电阻为方形，方形电阻的两端分别与两端的表电极连接。

11、所述曲线形电阻由规则的曲线形电阻单元组成，曲线形电阻的两端分别通过过渡台阶金属层与两端的表电极连接。曲线形电阻单元的数量为小数或整数，具体数量根据设计所需的寄生阻抗的大小进行确定。

12、所述绝缘性包封层7覆盖于膜电阻r1、r2、r3及部分表电极上面，对膜电阻r1、r2、r3进行保护。

13、本实用新型方案的技术效果：

14、能获得全频段衰减精度良好的固定衰减器。

15、可广泛应用于汽车电子，工业互联、人机交付、5g通信等技术领域。

技术特征：

1.一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，其特征在于，包括：陶瓷基片，表电极，背电极，过渡台阶金属层，绝缘性包封层，膜电阻r1、r2及r3；

2.如权利要求1所述的一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，其特征在于：所述曲线形电阻单元的数量为小数或整数，具体数量根据设计所需的寄生阻抗的大小进行确定。

3.如权利要求1所述的一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，其特征在于：所述曲线形电阻结构为s形电阻结构，s形电阻结构的两端与电极连接部分通过宽度比电阻宽的金属台阶连接，所述s形的个数为半个s形或多个s形。

4.如权利要求3所述的一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，其特征在于：所述r2为s形电阻结构。

5.如权利要求3所述的一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，其特征在于：所述r1及r3为s形电阻结构。

6.如权利要求1所述的一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，其特征在于：所述r1、r2及r3为s形电阻结构。

7.如权利要求1所述的一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，其特征在于：所述陶瓷基片为氧化铝陶瓷基片。

8.如权利要求1所述的一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，其特征在于：所述表电极的印刷材质为银钯浆料，所述膜电阻的印刷材质为钌系浆料。

9.如权利要求1所述的一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，其特征在于：所述绝缘性包封层的印刷材质为玻璃浆料。

10.如权利要求1所述的一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，其特征在于：所述内层端涂金属层为低温固化银浆涂层。

技术总结
一种电阻为曲线形结构的全频段高精度衰减器，属于电子元器件领域。包括陶瓷基片、表电极、背电极、过渡台阶金属层、绝缘性包封层，膜电阻R1、R2及R3；表电极、背电极、过渡台阶金属层、绝缘性包封层及膜电阻制作在陶瓷基片的上表面，背电极制作在陶瓷基片的上表面的背面；表电极与背电极通过内层端涂金属及外层电镀金属连接；R1、R2、R3中至少1个为曲线形电阻，其余为方形电阻；方形电阻的两端分别与两端的表电极连接；曲线形电阻的两端分别通过过渡台阶金属层与两端的表电极连接；包封层覆盖于膜电阻及部分表电极上面。解决了现有衰减器在全频段下衰减精度差的问题。广泛应用于汽车电子、工业互联、人机交付、5G通信等技术领域。

技术研发人员：钱琳鸿,贺勇,李淼,陈昌禧
受保护的技术使用者：中国振华集团云科电子有限公司
技术研发日：20230329
技术公布日：2024/1/13