量子点发光二极管及显示设备的制作方法

本技术涉及显示，尤其涉及一种量子点发光二极管及显示设备。

背景技术：

1、在全彩显示方面，微型发光二极管芯片由于尺寸小、集成度高和自发光等特点，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有很大的优势。但全彩发光二极管芯片因为红光效率低，导致无法商用。

2、量子点色转换技术只需要整体地制造具有极高像素密度的蓝光发光二极管芯片，通过图案化的量子点色转换阵列将其部分蓝光发光二极管芯片的出射光分别转换成红色光和绿色光，从而实现全彩化显示。因此，量子点发光二极管芯片被作为实现全彩发光二极管芯片显示的一条重要途径。

3、因此，如何优化红光量子点发光二极管，进而实现全彩发光二极管芯片的商用是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种量子点发光二极管及显示设备，旨在解决如何优化红光量子点发光二极管，进而实现全彩发光二极管芯片的商用。

2、本申请实施例提供了一种量子点发光二极管，包括衬底、量子点层以及发光二极管芯片。量子点层位于衬底的第一表面。发光二极管芯片键合于量子点层背离衬底的一侧。其中，发光二极管芯片在第一表面上的正投影位于量子点层在第一表面上的正投影范围内，且发光二极管芯片在第一表面上的正投影边界与量子点层在第一表面上的正投影边界之间具有第一间隔区域。

3、本申请实施例中，发光二极管芯片在衬底第一表面上的正投影边界与量子点层在衬底第一表面上的正投影边界之间具有第一间隔区域。也即，发光二极管芯片与量子点层构成台阶结构。如此，发光二极管芯片侧壁发出的光(例如蓝光)，仍可以被量子点层吸收以转化为其他颜色的光(例如红光)。从而提高了红光量子点发光二极管的发光效率，进而加速了全彩发光二极管芯片的商用。

4、可选地，量子点层在第一表面上的正投影边界与第一表面的边界之间具有第二间隔区域。

5、本申请实施例中，量子点层在衬底第一表面上的正投影边界与衬底第一表面的边界之间具有第二间隔区域。也即，量子点层与衬底构成台阶结构。如此，一部分没有被量子点层吸收的光，可以被衬底反射，从而降低了光串扰问题。

6、可选地，量子点发光二极管还包括：位于第二间隔区域内且覆盖量子点层的侧壁的全反射层。

7、本申请实施例中，全反射层位于第二间隔区域内且覆盖量子点层的侧壁。如此，当发光二极管芯片发出的光入射到衬底时，全反射层可将光反射走，避免了发光二极管芯片的漏光问题。

8、可选地，全反射层在垂直第一表面方向上的截面形状包括l形。

9、可选地，全反射层包括分布式布拉格反射层。

10、可选地，量子点层包括孔洞外延层和量子点；其中，孔洞外延层具有多个孔洞；量子点填充于孔洞。

11、可选地，量子点层的厚度的取值范围包括：2μm～10μm。

12、可选地，发光二极管芯片的厚度的取值范围包括：5μm～15μm。

13、可选地，衬底的厚度的取值范围包括：70μm～200μm。

14、基于同样的实用新型构思，本申请实施例还提供一种显示设备，包括如上一些实施例中所述的量子点发光二极管。前述量子点发光二极管所能实现的技术效果，该显示设备也均能实现，此处不再详述。

技术特征：

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点层在所述第一表面上的正投影边界与所述第一表面的边界之间具有第二间隔区域。

3.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，还包括：位于所述第二间隔区域内且覆盖所述量子点层的侧壁的全反射层。

4.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述全反射层在垂直所述第一表面方向上的截面形状包括l形。

5.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述全反射层包括分布式布拉格反射层。

6.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点层包括孔洞外延层和量子点；其中，所述孔洞外延层具有多个孔洞；所述量子点填充于所述孔洞。

7.如权利要求1～6中任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点层的厚度的取值范围包括：2μm～10μm。

8.如权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述发光二极管芯片的厚度的取值范围包括：5μm～15μm。

9.如权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述衬底的厚度的取值范围包括：70μm～200μm。

10.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的量子点发光二极管。

技术总结
本技术涉及一种量子点发光二极管及显示设备。所述量子点发光二极管，包括衬底、量子点层以及发光二极管芯片。量子点层位于衬底的第一表面。发光二极管芯片键合于量子点层背离衬底的一侧。其中，发光二极管芯片在第一表面上的正投影位于量子点层在第一表面上的正投影范围内，且发光二极管芯片在第一表面上的正投影边界与量子点层在第一表面上的正投影边界之间具有第一间隔区域。本技术的量子点发光二极管及显示设备，提高了红光量子点发光二极管的发光效率，进而加速了全彩发光二极管芯片的商用。

技术研发人员：戴广超,马非凡,赵永周,黄兆斌,马振琦
受保护的技术使用者：重庆康佳光电科技有限公司
技术研发日：20230404
技术公布日：2024/1/13