一种新型铜基板载体及智能功率半导体模块的制作方法

本技术涉及电路板，尤其涉及一种新型铜基板载体及智能功率半导体模块。

背景技术：

1、智能功率模块(ipm)是intelligent power module的缩写，是一种先进的功率开关器件，具有gtr(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及mosfet(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且ipm内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，使用起来方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间，也大大增强了系统的可靠性，适应了当今功率器件的发展方向——模块化、复合化和功率集成电路(pic)，在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。

2、在智能功率模块的生产中，现有技术的工艺流程如下：

3、1、在陶瓷电路板上进行control ic及外围元器件的smt贴片；

4、2、在铜框架上进行功率igbt的die bonding；

5、3、陶瓷电路板点胶粘接到铜框架中，粘接胶需要高温固化；

6、4、igbt、电路板、铜框架pin之间进行wire bonding完成电气连接。

7、由以上工艺得知，生产中需要用到贴片设备、die bonding设备、点胶设备、高温固化设备、wire bonding设备等，生产设备投入大；铜框架表面需要特殊处理，才能满足wirebonding工艺要求，材料成本高；陶瓷电路板本身材料性质，机械强度不高，容易受应力作用破裂损坏。

技术实现思路

1、鉴于以上技术问题，本实用新型提供了一种新型铜基板载体及智能功率半导体模块，以解决上述提及的几点问题。

2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

3、根据本实用新型的一方面，公开一种新型铜基板载体，包括铜基板本体，所述铜基板表面设置有供元器件和连接片机械固定的多个焊盘，和所述铜基板上腐蚀形成有连通于各个所述焊盘的走线道，所述走线道中压合有绝缘材料，所述绝缘材料上压合有铜箔，所述铜基板的除了所述焊盘位置的表面塑封有环氧树脂。

4、根据本实用新型的另一方面，公开一种智能功率半导体模块，包括如上述的新型铜基板载体，所述元器件包括igbt芯片、asic集成芯片、多个外围元件，所述igbt芯片、所述asic集成芯片、所述外围元件、所述连接片焊接于铜基板的焊盘上且通过所述铜箔连接，且所述连接片从所述铜基板上往外引出。

5、采用上述方案，本实用新型的有益效果是：

6、基于一个铜基板来作为电路载体，可以减少现有技术的生产过程中所需点胶设备、高温固化设备，从而大大减小了生产设备投入成本；铜基板在成本上比陶瓷电路板更低，更易于生产和改造，大大提高了生产效率，且采用铜基板取代陶瓷电路板，可以消除电路板受应力作用破裂风险；

7、铜基板是一个完整的、非常可靠的接“地”平面，可以有效的屏蔽外界的电磁干扰。

技术特征：

1.一种新型铜基板载体，其特征在于，包括铜基板本体，所述铜基板表面设置有供元器件和连接片机械固定的多个焊盘，和所述铜基板上腐蚀形成有连通于各个所述焊盘的走线道，所述走线道中压合有绝缘材料，所述绝缘材料上压合有铜箔，所述铜基板的除了所述焊盘位置的表面塑封有环氧树脂。

2.一种智能功率半导体模块，其特征在于，包括如权利要求1所述的新型铜基板载体，所述元器件包括igbt芯片、asic集成芯片、多个外围元件，所述igbt芯片、所述asic集成芯片、所述外围元件、所述连接片焊接于铜基板的焊盘上且通过所述铜箔连接，且所述连接片从所述铜基板上往外引出。

技术总结
本技术公开一种新型铜基板载体及智能功率半导体模块，该新型铜基板载体包括铜基板本体，铜基板表面设置有供元器件和连接片机械固定的多个焊盘，和铜基板上腐蚀形成有连通于各个焊盘的走线道，走线道中压合有绝缘材料，绝缘材料上压合有铜箔，铜基板的除了焊盘位置的表面塑封有环氧树脂。本技术基于一个铜基板来作为电路载体，可以减少现有技术的生产过程中所需点胶设备、高温固化设备，从而大大减小了生产设备投入成本；铜基板在成本上比陶瓷电路板更低，更易于生产和改造，大大提高了生产效率，且采用铜基板取代陶瓷电路板，可以消除电路板受应力作用破裂风险。

技术研发人员：曾慧,袁伟峰,钟建军
受保护的技术使用者：深圳市健科电子有限公司
技术研发日：20230324
技术公布日：2024/1/12