扩散板及蚀刻设备的制作方法

本新型有关一种扩散板、设备及扩散板布孔方法，且尤其是有关一种用于扩散工艺气体的扩散板、蚀刻设备及扩散板布孔方法。

背景技术：

1、嵌入式芯片基板(embedded die in substrate，eds)、嵌入式被动元件基板(embedded passive in substrate，eps)、扇出型面板级封装(fan-out panel levelpackaging，foplp)、重布线层(redistribution layer，rdl)等先进封装技术，或应用于micro-led或mini-led等先进显示技术，一般采用包含介电绝缘材料、半导体元件芯片、金属导线(interconnection)的复合基板。在一些采用前述技术的制造过程中，已切割的半导体元件、被动元件或金属凸块(metal bump，例如铜柱(copper pillar))会被排列，并埋入大型有机绝缘基板、增层材料(例如模塑料、铜箔基板(copper clad laminate，ccl)、abf增层膜(ajinomoto build-up film))、或干膜光阻(dry film resist)之中，然后再通过研磨的方式减薄不需要的基板或材料，以便选择性地露出芯片元件或金属导线。然而，在研磨过程中，芯片、元件或铜柱可能会受到外加应力而破损。

2、随着半导体产业的进步，等离子体工艺被广泛应用，例如用于减薄多余的基板或材料。在这样的应用中，基板或材料被水平地放置在真空腔体内，再利用等离子体源将工艺气体分解为自由基，并使其均匀接触基板或材料的表面，进而进行化学性干式蚀刻；或于真空腔体内施以电场而使等离子体以特定方向轰击基板或材料的表面进行物理性干式蚀刻，借此达到薄化、去除氧化层、平坦化等目的。

3、一般而言，前述蚀刻工艺会将包含多个孔洞的一扩散板放置于一腔室内，并设置一气体入口。在例如化学性干式蚀刻中，工艺气体会自扩散板的孔洞均匀地扩散至腔室内的不同位置，进而能对所欲蚀刻的基板进行蚀刻。

4、然而，气体入口大多位于腔室的中间位置并对应基板中间，因此导致基板周围的工艺气体密度较低。此外，现有的扇出型(fan-out)封装技术仍以晶圆级封装(wafer-levelpackaging，wlp)为主，于此应用中，扩散板的孔洞配置是以同心圆状进行排列。当运用于面板级封装时，由于基板的形状由圆形改为矩形，且尺寸大幅增大之后，若仍使用同心圆状的孔位配置(如图1，其绘示先前技术的一种扩散板p1的正视示意图)时，将容易产生工艺气体的分布不均(如图2，其绘示依照图1先前技术的扩散板p1于扩散cf4时的cf4扩散状况与cf4饱和度的关系图)，而使得蚀刻的良率降低。

5、有鉴于此，如何发展出一种能有助于让工艺气体均匀扩散的扩散板，遂成相关业者努力的目标。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本新型提供一种扩散板、蚀刻设备及扩散板布孔方法，通过孔洞的配置，可以提升工艺气体的均匀度。

2、依据本新型一实施方式提供一种扩散板，其包含一板体以及多个孔洞。板体包含一矩形布孔范围，矩形布孔范围包含涵盖四角落的一外围区域，外围区域的面积占比不大于矩形布孔范围的62％。前述多个孔洞分布于矩形布孔范围，且前述多个孔洞由内而外依序排列成同心的第1个至第n个矩形，第1个至第n个矩形的尺寸由第1个矩形朝第n个矩形逐渐变大，n为正整数。其中，前述多个孔洞中的一部分孔洞位于外围区域内，且前述一部分孔洞的孔径大于前述多个孔洞中的其他部分孔洞的孔径。

3、借此，扩散板的孔洞呈同心矩形分布，且矩形布孔范围的外围区域的孔洞的孔径较大，而能提升角落工艺气体的密度，以提升工艺气体的扩散均匀度。

4、依据前述实施方式的扩散板，其中，δsi可表示为第1个至第n个矩形中的一第i个矩形与其相邻者的边长差值，δsi为正，i为各矩形的引数且介于1至n之间，δs1等于第1个矩形的边长，满足3mm≦δsi≦50mm的关系。

5、依据前述实施方式的扩散板，其中，cii可表示为第i个矩形上的那些孔洞中的一孔洞与其相邻的另一孔洞的孔距，并满足0.3×δsi≦cii≦5×δsi的关系。

6、依据前述实施方式的扩散板，其中，第1个至第n个矩形可由内而外区分为j个群组，各该群组以引数j代表，包含从一第imin,j个矩形至一第imax,j个矩形的共dj个矩形，且imax,j＝imin,j+dj-1，各群组内的那些矩形的孔距随那些矩形的引数i增加而增加，第imin,j个矩形到第imax,j个矩形属于一群组，一第imax,j+1个矩形属于相邻的另一群组，且使第imax,j+1个矩形的孔距小于第imax,j个矩形的孔距，j、dj为正整数。

7、依据前述实施方式的扩散板，其中，可满足4≦dj≦n的关系。

8、依据前述实施方式的扩散板，其中，远离第1个矩形的一群组的那些矩形中尺寸最大者的孔距，可小于邻近第1个矩形的另一群组的那些矩形中尺寸最大者的孔距。

9、依据前述实施方式的扩散板，其中，第1个至一第m个矩形对应的边长差值可相异于一第m+1个矩形至第n个矩形对应的边长差值，m为正整数，m小于等于2分之n。

10、依据前述实施方式的扩散板，其中，第1个至第n个矩形中每一矩形的各角点可包含一孔洞。

11、依据前述实施方式的扩散板，适用于面板级封装工艺，其中，扩散板为浮接设置、接地设置、及连接交流电源的其中一者。

12、依据前述实施方式的扩散板，其中，矩形布孔范围更包含一中心区域以及位于中心区域及外围区域间的一第一同心圆区域，中心区域涵盖第1个至一第m个矩形，m为正整数，m小于等于2分之n，以φ1表示位于中心区域内的任一孔洞的孔径，φ2表示位于第一同心圆区域内的任一孔洞的孔径，φ3表示位于外围区域内的任一孔洞的孔径，更满足φ1≦φ2<φ3的关系。

13、依据前述实施方式的扩散板，其中，可更满足0.4mm≦φ1<φ2<φ3≦2.5mm。

14、依据前述实施方式的扩散板，其中，矩形布孔范围更包含一中心区域以及位于中心区域及外围区域间的一第一同心圆区域，第一同心圆区域可具有一第一同心圆边界，d1表示为第一同心圆边界与矩形布孔范围的中心间的一第一同心圆距离，d0表示为第n个矩形与矩形布孔范围的中心间的距离，满足0.7×d0≦d1≦d0的关系。

15、依据前述实施方式的扩散板，其中，矩形布孔范围可更包含一第二同心圆区域位于中心区域与第一同心圆区域之间，第二同心圆区域具有一第二同心圆边界，d2表示为第二同心圆边界与矩形布孔范围的中心间的一第二同心圆距离，以φ1表示位于该中心区域内的任一该孔洞的孔径，φ2'表示位于第二同心圆区域内的任一孔洞的孔径，φ2表示位于该第一同心圆区域内的任一该孔洞的孔径，φ3表示位于该外围区域内的任一该孔洞的孔径，满足0.3×d0≦d2≦0.8×d0及φ1<φ2'≦φ2<φ3的关系。

16、依据本新型另一实施方式提供一种蚀刻设备，其包含一腔室、一气体入口以及一前述实施方式的扩散板。气体入口连通腔室且适用于提供一工艺气体，扩散板设置于腔室内且位于气体入口的下方。

17、依据前述实施方式的蚀刻设备，可更包含一载台设置于腔室内且位于扩散板的下方，载台包含用以承载至少一基板的一工艺有效区域，工艺有效区域的外轮廓呈矩形，扩散板的第n个矩形的边长大于工艺有效区域的外轮廓边长且比值范围介于1.0至2.0之间。