一种实现双面多芯片横向互连的2.5D封装结构的制作方法

本技术涉及芯片封装领域，特别涉及一种实现双面多芯片横向互连的2.5d封装结构。

背景技术：

1、近年来，业界迅速发展到2.5d/3d先进封装技术，2.5d封装的传统做法是在硅转接板上制备硅通孔(tsv)，在对tsv减薄露出铜层后在硅转接板的正面或反面进行单面rdl制备，进而实现单面多芯片互连。

2、目前这种单面rdl布线方式无法最大效率的利用转接板，使得芯片的体积过大，有违于目前减小芯片封装体积减小的趋势，不能满足hpc细分市场的需求和产品性能的需要。

技术实现思路

1、本实用新型提供了实现双面多芯片横向互连的2.5d封装结构，其目的是为了实现芯片双面互连和封装，减小封装结构的体积。

2、为了达到上述目的，本实用新型的实施例提供了一种实现双面多芯片横向互连的2.5d封装结构，包括：

3、基板，所述基板上设置有贯穿基板的第一导电体；

4、设置在基板上、下表面的布线层，包括结构相同的第一布线层和第二布线层，所述第一布线层包括依次叠设在基板上的二氧化硅层和光刻胶层，所述二氧化硅层和光刻胶层上贯穿有第二导电体，所述第二导电体与第一导电体电连接；

5、在所述第一导电体和第二导电体之间设置有第一种子层，所述第一种子层分别与第一导电体和第二导电体电性连接；

6、所述第一布线层还包括金属层，所述金属层设置在所述光刻胶层上，并且与第二导电体电性连接；

7、所述第二布线层的二氧化硅层设置在所述第一布线层的金属层上，且第二布线层的第二导电体与第一布线层的金属层电性连接。

8、优选地，所述基板由硅晶圆制成。

9、优选地，所述基板上设置有第一贯穿孔，所述第一贯穿孔呈倒锥型，所述第一导电体填充于所述第一贯穿孔内。

10、优选地，所述二氧化硅层和光刻胶层上设置有第二贯穿孔，所述第二导电体填充于所述第二贯穿孔内，所述第一贯穿孔和第二贯穿孔错位设置并且第一贯穿孔的顶面与第二贯穿孔的底面部分重合。

11、优选地，所述金属层为电镀铜层。

12、优选地，所述二氧化硅层为物理气相沉积而成。

13、优选地，所述第一种子层为包括ti层和cu层，所述cu层相对ti层更靠近第一导电体。

14、优选地，所述第一导电体和第二导电体由铜材料制成。

15、本实用新型的上述方案有如下的有益效果：

16、本申请中通过在基板的上下表面分别设置布线层，实现基板的上下两面均制备布线层，使得芯片可以安装在第二布线层上，从而实现多颗芯片横向互连，不但实现基板面积使用效率最大化，而且能实现更高的封装i/o数和密度，以满足hpc细分市场的需求和产品性能的需要。

17、本实用新型的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

技术特征：

1.一种实现双面多芯片横向互连的2.5d封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的实现双面多芯片横向互连的2.5d封装结构，其特征在于：所述基板(1)由硅晶圆制成。

3.根据权利要求1所述的实现双面多芯片横向互连的2.5d封装结构，其特征在于：所述基板(1)上设置有第一贯穿孔，所述第一贯穿孔呈倒锥型，所述第一导电体(11)填充于所述第一贯穿孔内。

4.根据权利要求3所述的实现双面多芯片横向互连的2.5d封装结构，其特征在于：所述二氧化硅层(211)和光刻胶层(212)上设置有第二贯穿孔，所述第二导电体(213)填充于所述第二贯穿孔内，所述第一贯穿孔和第二贯穿孔错位设置并且第一贯穿孔的顶面与第二贯穿孔的底面部分重合。

5.根据权利要求1所述的实现双面多芯片横向互连的2.5d封装结构，其特征在于：所述金属层(215)为电镀铜层。

6.根据权利要求1所述的实现双面多芯片横向互连的2.5d封装结构，其特征在于：所述二氧化硅层(211)为物理气相沉积而成。

7.根据权利要求1所述的实现双面多芯片横向互连的2.5d封装结构，其特征在于：所述第一种子层(214)为包括ti层和cu层，所述cu层相对ti层更靠近第一导电体(11)。

8.根据权利要求1所述的实现双面多芯片横向互连的2.5d封装结构，其特征在于：所述第一导电体(11)和第二导电体(213)由铜材料制成。

技术总结
本技术提供了一种实现双面多芯片横向互连的2.5D封装结构，涉及芯片封装领域，包括基板，基板上设置有贯穿基板的第一导电体；设置在基板上、下表面的布线层，包括结构相同的第一布线层和第二布线层，第一布线层包括二氧化硅层和光刻胶层，二氧化硅层和光刻胶层上贯穿有第二导电体，在第一导电体和第二导电体之间设置有第一种子层，第一种子层分别与第一导电体和第二导电体电性连接；第一布线层还包括金属层，金属层设置在光刻胶层上，并且与第二导电体电性连接；第二布线层的二氧化层设置在第一布线层的金属层上，且第二布线层的第二导电体与第一布线层的金属层电性连接，本申请实现基板的上下两面均制备布线层，从而实现多颗芯片横向互。

技术研发人员：滕晓东,郑博宇,刘振
受保护的技术使用者：长沙安牧泉智能科技有限公司
技术研发日：20230427
技术公布日：2024/1/15