一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架的制作方法

文档序号:36041844发布日期:2023-11-17 17:53阅读:80来源:国知局

本技术涉及集成电路封装结构,尤其涉及一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架。


背景技术:

1、集成电路是一种微型电子器件或部件,采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管,电阻,电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构,晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。

2、如现有技术中公开号为cn 214898391 u的专利申请,其通过顶盖和弹簧片的配合设置,在将基板和顶盖安装好之后,弹簧片会顶在晶片上方,确保晶片和基板紧密贴合,以防因为晶片没有完全贴合造成的良品率降低,进而降低了使用者的生产成本,并且通过针脚和焊锡的配合设置,针脚和焊锡固定在一起,在焊接集成电路的时候也会更为方便。

3、但是该晶体管在多个芯片进行限位的时候,均采用同一个弹性件进行限位,当其中的芯片尺寸不同的时候,会造成其他芯片限位不牢靠的情况。

4、因此,有必要提供一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架解决上述技术问题。


技术实现思路

1、本实用新型提供一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,解决了当芯片尺寸不同时,容易造成芯片限位不牢靠的问题。

2、为解决上述技术问题,本实用新型提供的一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,包括:

3、顶盖;

4、定位孔,所述定位孔开设于所述顶盖的内侧面的顶部,所述定位孔的内侧面开设有卡接槽;

5、定位柱,所述定位柱设置于所述定位孔的内侧面,所述定位柱的外侧面固定安装有卡接块,所述卡接块卡接于所述卡接槽的内侧面;

6、安装板,所述安装板固定安装于所述定位柱的底部,所述安装板的底部固定安装有弹性件。

7、优选的,所述顶盖的内部开设有空腔,所述空腔的内侧面设置有屏蔽层。

8、优选的,所述顶盖的底部设置有外壳,所述外壳的顶部开设有定位槽。

9、优选的,所述顶盖的底部的两端的两侧均固定安装有定位板,所述定位板卡接于定位槽的内侧面。

10、优选的,所述外壳的内侧面的底部固定安装有基座,所述基座的顶部设置有若干个芯片,所述芯片设置于所述弹性件的底部,所述外壳的两侧的内部均固定安装有针脚。

11、优选的,所述定位柱的外侧面开设有凹槽,所述凹槽的外侧面套设有橡胶圈。

12、优选的,所述橡胶圈设置于所述卡接槽的内侧面。

13、与相关技术相比较,本实用新型提供的一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架具有如下有益效果:

14、本实用新型提供一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,通过多个弹性件对多个芯片进行限位固定,在进行使用的时候,能够避免由于不同芯片的厚度不同,使用同一个弹性件进行抵住限位,容易造成对其他芯片限位不牢靠的问题。



技术特征:

1.一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,其特征在于,所述顶盖的内部开设有空腔,所述空腔的内侧面设置有屏蔽层。

3.根据权利要求2所述的一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,其特征在于,所述顶盖的底部设置有外壳,所述外壳的顶部开设有定位槽。

4.根据权利要求3所述的一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,其特征在于,所述顶盖的底部的两端的两侧均固定安装有定位板,所述定位板卡接于定位槽的内侧面。

5.根据权利要求4所述的一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,其特征在于,所述外壳的内侧面的底部固定安装有基座,所述基座的顶部设置有若干个芯片,所述芯片设置于所述弹性件的底部,所述外壳的两侧的内部均固定安装有针脚。

6.根据权利要求5所述的一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,其特征在于,所述定位柱的外侧面开设有凹槽,所述凹槽的外侧面套设有橡胶圈。

7.根据权利要求6所述的一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,其特征在于,所述橡胶圈设置于所述卡接槽的内侧面。


技术总结
本技术提供一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,包括:顶盖;定位孔,所述定位孔开设于所述顶盖的内侧面的顶部,所述定位孔的内侧面开设有卡接槽;定位柱,所述定位柱设置于所述定位孔的内侧面,所述定位柱的外侧面固定安装有卡接块,所述卡接块卡接于所述卡接槽的内侧面;安装板,所述安装板固定安装于所述定位柱的底部,所述安装板的底部固定安装有弹性件;所述顶盖的内部开设有空腔。本技术提供的一种多基岛晶体管封装用高散热型引线框架,通过多个弹性件对多个芯片进行限位固定,在进行使用的时候,能够避免由于不同芯片的厚度不同,使用同一个弹性件进行抵住限位,容易造成对其他芯片限位不牢靠的问题。

技术研发人员:陈力
受保护的技术使用者:福建福顺半导体制造有限公司
技术研发日:20230504
技术公布日:2024/1/15
网友询问留言 留言:0条
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1