基岛、封装框架及电子设备的制作方法

本技术涉及集成电路封装，尤其是涉及基岛、封装框架及电子设备。

背景技术：

1、现有的半导体封装中，特别是高密度、粗化框架、超薄芯片、超短地线的框架应用中，胶沾润率、芯片侧面溢胶高度以及溢胶宽度均会对芯片工况产生较大影响。芯片通过胶与基座互联过程中，因画的胶堆积量集中、粗化框架表面胶流动复杂程度、胶浸润程度、张力弧度问题等，常会出现胶沾润率以及厚度不足、爬胶污染芯片表面的问题，影响wb打线、分层，进而影响产品性能的稳定性。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种基岛，所述基岛提高了胶的沾润率以及厚度，并且使得胶不易污染芯片表面。

2、本实用新型还旨在提出一种具有上述基岛的半导体封装框架。

3、本实用新型还旨在提出一种具有上述半导体封装框架的电子设备。

4、根据本实用新型第一方面的基岛，基岛上开设有导流凹槽，导流凹槽经过基岛的中心。

5、根据本实用新型的基岛，通过开设导流凹槽，提高了胶的流动性，改善了胶的沾润率，同时，提高了胶与基岛的结合强度，增加了胶的厚度。

6、根据本实用新型的一些实施例，导流凹槽均匀设置在基岛上。通过将导流凹槽均匀设置在基岛上，使得在芯片进行预压时，堆积的胶沿导流凹槽均匀流动至基岛的区域，继续下压芯片，胶由导流凹槽中溢出，能够在芯片背面均匀沾润，进一步提高了胶的沾润率，以及胶的厚度。

7、根据本实用新型的一些实施例，导流凹槽包括多个第一凹槽，第一凹槽为直线型，第一凹槽的一端位于基岛的中心，另一端朝向基岛的边缘延伸，且相邻两个第一凹槽之间的夹角相同。通过设置多个第一凹槽，使得胶在基岛中心堆积后，能够沿多个第一凹槽流动，在均匀沾润芯片背面的基础上，提高了胶的流动速率，进而提高了封装的效率。

8、根据本实用新型的一些实施例，导流凹槽还包括第二凹槽，第二凹槽为环形槽，第二凹槽的中心为基岛的中心，第二凹槽与多个第一凹槽连通。通过设置第二凹槽，将多个第一凹槽连通，这样，胶在流动过程中能够通过第二凹槽流动在不同第一凹槽之间进行流通，使得胶能够更均匀的沾润在芯片的背面，同时，提高了胶的流动速率，增强了基岛与胶的结合强度，增加了胶的厚度。

9、根据本实用新型的一些实施例，第二凹槽为多个，多个第二凹槽的周长依次增大。通过设置多个第二凹槽，进一步增加了第一凹槽与第一凹槽和第二凹槽的连通点，便于胶在不同导流凹槽之间的流通，使得基岛上的胶能够更加均匀的流动到不同位置。同时，进一步提高了胶的流动速率，增强了基岛与胶的结合强度，增加了胶的厚度。

10、根据本实用新型的一些实施例，导流凹槽通过蚀刻或镭射形成。通过蚀刻或镭射的方式开槽，工艺简单，便于生产制造。

11、根据本实用新型第二方面实施例的半导体封装框架，包括框架基体及上述实施例中的基岛，基岛位于框架基体的中心。

12、根据本实用新型实施例的半导体封装框架，通过采用上述基岛，提高了芯片与封装框架连接的效果，提升了粗化框架、薄芯片作业性。

13、根据本实用新型第三方面实施例的电子设备，包括上述实施例中的半导体封装框架。

14、根据本实用新型实施例的电子设备，通过采用上述半导体封装框架，提高了电子设备性能的稳定性，降低了安全隐患。

15、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

1.一种基岛，其特征在于，所述基岛(100)上开设有导流凹槽(10)，所述导流凹槽(10)经过所述基岛(100)的中心；

2.根据权利要求1所述的基岛，其特征在于，所述第二凹槽(12)为多个，多个所述第二凹槽(12)的周长依次增大。

3.根据权利要求1所述的基岛，其特征在于，所述导流凹槽(10)通过蚀刻或镭射形成。

4.一种半导体封装框架，其特征在于，包括：

5.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求4所述的半导体封装框架(200)。