一种折弯吸笔的制作方法

文档序号:35783475发布日期:2023-10-21 17:36阅读:19来源:国知局
一种折弯吸笔的制作方法

本申请涉及吸笔,具体而言,涉及一种折弯吸笔。


背景技术:

1、硅在自然界中主要以二氧化硅和硅酸盐等形式存在,需要经过较为复杂的冶炼过程和超高的提纯加工工艺才能达到和满足半导体产业生产制造的要求,用于半导体的单晶硅纯度要求为99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。单晶硅生长方法按照晶体的生长方式不同,可分为直拉法、区熔法和外延法等,其中,直拉法是现在比较主流的单晶硅生长方法。单晶硅通过切片、圆边、研磨等工序后得到硅片。

2、目前在硅片加工行业常用的几款吸笔中,吸笔的主体平直,制法简单,使用此类吸笔可以吸取硅片,以达到检验、转移硅片的目的。而由于现有吸笔的主体平直,所以当硅片处于工装的弧面上时,为了将吸笔的前端即吸盘贴合于硅片,往往将吸笔的手柄也接触到硅片,吸笔的手柄接触硅片会使得硅片产生损伤。


技术实现思路

1、本申请的目的包括,例如,提供了一种折弯吸笔,其能够较好地避免吸笔的手柄对硅片产生损伤。

2、本申请的实施例可以这样实现:

3、本申请的实施例提供了一种折弯吸笔,其包括依次连接的吸盘安装段、连接段和手柄段,所述吸盘安装段上设置有吸盘,所述吸盘安装段和所述连接段的延伸方向相同,所述连接段和所述手柄段的连接处折弯,以使所述手柄段远离所述吸盘。

4、可选的,所述连接段和所述手柄段之间具有夹角。

5、可选的,所述连接段和所述手柄段之间的夹角大于90°。

6、可选的,所述连接段和所述手柄段之间连接有过渡段,所述连接段和所述手柄段不共线。

7、可选的,所述连接段和所述手柄段相平行。

8、可选的,所述过渡段垂直于所述连接段和所述手柄段中的至少一者。

9、可选的,所述过渡段为圆弧过渡段。

10、可选的,所述吸盘设置于所述吸盘安装段的侧面。

11、可选的,所述吸盘安装段、所述连接段和所述手柄段上贯穿设置有气路,所述气路与所述吸盘相连通。

12、可选的,所述吸盘安装段、所述连接段和所述手柄段上的任意一者上设置有气阀,所述气阀用于控制所述气路的通断。

13、本申请实施例的折弯吸笔的有益效果包括,例如:为了避免吸笔的手柄对硅片产生损伤,将折弯吸笔设置为依次连接的吸盘安装段、连接段和手柄段,吸盘安装段和连接段的延伸方向相同,连接段和手柄段的连接处折弯,能够使得手柄段远离吸盘,在通过吸盘吸附硅片时手柄段便不易接触到硅片,从而较好地避免了吸笔的手柄对硅片产生损伤,起到对硅片保护的作用,符合人体工程学。



技术特征:

1.一种折弯吸笔,其特征在于,所述折弯吸笔包括依次连接的吸盘安装段(100)、连接段(200)和手柄段(300),所述吸盘安装段(100)上设置有吸盘(110),所述吸盘安装段(100)和所述连接段(200)的延伸方向相同,所述连接段(200)和所述手柄段(300)的连接处折弯,以使所述手柄段(300)远离所述吸盘(110)。

2.根据权利要求1所述的折弯吸笔,其特征在于,所述连接段(200)和所述手柄段(300)之间具有夹角。

3.根据权利要求2所述的折弯吸笔,其特征在于,所述连接段(200)和所述手柄段(300)之间的夹角大于90°。

4.根据权利要求1所述的折弯吸笔,其特征在于,所述连接段(200)和所述手柄段(300)之间连接有过渡段(400),所述连接段(200)和所述手柄段(300)不共线。

5.根据权利要求4所述的折弯吸笔,其特征在于,所述连接段(200)和所述手柄段(300)相平行。

6.根据权利要求4所述的折弯吸笔,其特征在于,所述过渡段(400)垂直于所述连接段(200)和所述手柄段(300)中的至少一者。

7.根据权利要求4所述的折弯吸笔,其特征在于,所述过渡段(400)为圆弧过渡段。

8.根据权利要求1所述的折弯吸笔,其特征在于,所述吸盘(110)设置于所述吸盘安装段(100)的侧面。

9.根据权利要求1所述的折弯吸笔,其特征在于,所述吸盘安装段(100)、所述连接段(200)和所述手柄段(300)上贯穿设置有气路,所述气路与所述吸盘(110)相连通。

10.根据权利要求9所述的折弯吸笔,其特征在于,所述吸盘安装段(100)、所述连接段(200)和所述手柄段(300)上的任意一者上设置有气阀(500),所述气阀(500)用于控制所述气路的通断。


技术总结
本申请的实施例提供了一种折弯吸笔,涉及吸笔技术领域。该折弯吸笔包括依次连接的吸盘安装段、连接段和手柄段,所述吸盘安装段上设置有吸盘,所述吸盘安装段和所述连接段的延伸方向相同,所述连接段和所述手柄段的连接处折弯,以使所述手柄段远离所述吸盘,其能够较好地避免吸笔的手柄对硅片产生损伤,其能够较好地避免吸笔的手柄对硅片产生损伤。

技术研发人员:祁林波,张超,潘蔡军
受保护的技术使用者:捷捷半导体有限公司
技术研发日:20230525
技术公布日:2024/1/15
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