本技术涉及半导体,具体而言,涉及一种散热结构和封装结构。
背景技术:
1、现有的芯片封装结构中,需要堆叠的芯片越来越多,芯片的集成度越来越高。芯片的散热问题成为封装领域的一大焦点问题。尤其是对于chiplet技术新的设计方式,将不同功能的小芯片封装在一起,其封装结构内部各种材料热膨胀系数以及杨氏模量等不一致,容易导致结构的翘曲以及产生分层现象。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种散热结构和封装结构,其能够提高封装结构的散热性能,以及缓解封装结构的翘曲和分层问题。
2、本实用新型的实施例是这样实现的:
3、第一方面,本实用新型提供一种散热结构,包括:
4、底壁,用于与衬底连接;
5、侧壁,所述侧壁凸设于所述底壁,所述侧壁和所述底壁形成容置槽,所述容置槽内用于贴装芯片;
6、凸块,所述凸块设于所述底壁远离所述容置槽的一侧。
7、在可选的实施方式中,所述底壁包括本体、连接筋和散热部,所述连接筋的一端与所述本体连接,另一端与所述散热部连接,所述凸块设于所述散热部上。
8、在可选的实施方式中,所述底壁开设有环形孔,所述散热部位于所述环形孔内。
9、在可选的实施方式中,所述底壁上设有多个通孔,多个通孔间隔设于所述散热部的外围。
10、第二方面,本实用新型提供一种封装结构,包括衬底、芯片、塑封体和如前述实施方式中任一项所述的散热结构,所述散热结构贴装于所述衬底,所述容置槽背离所述衬底设置;所述芯片设于所述容置槽内,所述塑封体覆盖所述芯片和所述散热结构。
11、在可选的实施方式中,所述衬底设有接地焊盘和功能焊盘,所述凸块和所述接地焊盘电连接;所述芯片和所述功能焊盘电连接。
12、在可选的实施方式中,所述接地焊盘位于所述衬底远离所述芯片的一侧,所述凸块贯穿所述衬底,以与所述接地焊盘电连接。
13、在可选的实施方式中,所述芯片包括第一芯片、第二芯片和第三芯片,所述第一芯片贴装于所述底壁,所述第二芯片和所述第三芯片位于所述第一芯片远离所述衬底的一侧;所述第一芯片分别与所述第二芯片、所述第三芯片电连接;所述第二芯片和所述第三芯片分别与所述衬底电连接。
14、在可选的实施方式中,所述第二芯片和所述第三芯片采用倒装芯片,所述第二芯片和所述第三芯片分别设有第一凸点和第二凸点,所述第一凸点与所述第一芯片电连接,所述第二凸点与所述衬底电连接。
15、在可选的实施方式中,还包括导电柱,所述导电柱的一端与所述第二凸点电连接,另一端与所述衬底电连接。
16、在可选的实施方式中,还包括屏蔽层,所述屏蔽层位于所述塑封体远离所述衬底的一侧,所述散热结构接地,所述屏蔽层和所述散热结构电连接。
17、本实用新型实施例的有益效果包括:
18、本实用新型实施例提供的散热结构,底壁和侧壁形成容置槽,容置槽内可放置芯片,底壁远离容置槽的一侧设有凸块,散热性能好。凸块还能在封装过程中起到支撑作用,提高结构强度,缓解封装结构的翘曲。同时提升塑封体和衬底之间的结合力,防止结构分层,封装结构更加可靠。
19、本实用新型实施例提供的封装结构,包括上述的散热结构,散热性能好,同时有利于缓解封装结构的翘曲和分层问题,提高封装质量。
1.一种散热结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的散热结构,其特征在于,所述底壁包括本体、连接筋和散热部,所述连接筋的一端与所述本体连接,另一端与所述散热部连接,所述凸块设于所述散热部上。
3.根据权利要求2所述的散热结构,其特征在于,所述底壁开设有环形孔,所述散热部位于所述环形孔内。
4.根据权利要求2所述的散热结构,其特征在于,所述底壁上设有多个通孔,多个通孔间隔设于所述散热部的外围。
5.一种封装结构,其特征在于,包括衬底、芯片、塑封体和如权利要求1至4中任一项所述的散热结构,所述散热结构贴装于所述衬底,所述容置槽背离所述衬底设置;所述芯片设于所述容置槽内,所述塑封体覆盖所述芯片和所述散热结构。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述衬底设有接地焊盘和功能焊盘,所述凸块和所述接地焊盘电连接;所述芯片和所述功能焊盘电连接。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述接地焊盘位于所述衬底远离所述芯片的一侧,所述凸块贯穿所述衬底,以与所述接地焊盘电连接。
8.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述芯片包括第一芯片、第二芯片和第三芯片,所述第一芯片贴装于所述底壁,所述第二芯片和所述第三芯片位于所述第一芯片远离所述衬底的一侧;所述第一芯片分别与所述第二芯片、所述第三芯片电连接;所述第二芯片和所述第三芯片分别与所述衬底电连接。
9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述第二芯片和所述第三芯片采用倒装芯片,所述第二芯片和所述第三芯片分别设有第一凸点和第二凸点;所述封装结构还包括导电柱;
10.根据权利要求9所述的封装结构,其特征在于,还包括屏蔽层,所述屏蔽层位于所述塑封体远离所述衬底的一侧,所述散热结构接地,所述屏蔽层和所述散热结构电连接。