半导体封装器件及功率模块的制作方法

本申请实施例涉及器件封装，特别涉及一种半导体封装器件及功率模块。

背景技术：

1、随着半导体技术的不断发展，半导体元器件的应用需求也在不断提升，对半导体元器件的封装要求也越来越高。特别是随着各类电子零部件朝着小型化发展，如何制造出更小的半导体封装器件，并使小型化后的半导体封装器件依然能够满足使用要求，便成为一个重要的课题。

2、其中，较为重要的一个方面在于，半导体元器件在使用过程中，其不同的位置之间存在电压差。故半导体元器件不同的位置间需要一定的绝缘距离，以防止半导体元器件在使用过程中出现漏电短路现象。也就是说，如何确保半导体封装器件在使用过程中的电压承载能力，是一个重要的问题。

技术实现思路

1、本申请实施方式的目的在于提供一种半导体封装器件及功率模块，能够确保半导体封装器件在使用过程中的电压承载能力。

2、为解决上述技术问题，本申请的实施方式提供了一种半导体封装器件，半导体封装器件包括芯片、第一引线框架、第二引线框架及塑封体；第一引线框架具有相对设置的第一表面与第二表面，第一表面承载芯片，第二表面为非平整表面；第二引线框架与芯片电连接，第二引线框架邻近第一引线框架设置；塑封体将芯片、第一引线框架以及第二引线框架包裹在内。

3、本申请的实施方式还提供了一种功率模块，包括上述的半导体封装器件。

4、本申请的实施方式提供的半导体封装器件及功率模块，在引线框架设计时针对承载芯片的第一引线框架载片台的背面散热部分进行半腐蚀工艺。使得产品在塑封后，第一引线框架背面散热部分与另一引线框架引脚的间距增大数倍，从而可以在不缩减引线框架载片台尺寸的前提下，在不同引线框架的引脚之间保留足够的爬电距离，有效地提升了大载片台产品的电压承载能力。

5、在一些实施方式中，第一引线框架与第二引线框架平行设置，且第一引线框架与第二引线框架位于不同平面上。

6、在一些实施方式中，第二表面设置为台阶面，第二引线框架邻近台阶面距离第一表面较近的部分设置。

7、在一些实施方式中，台阶面的台阶高度为第一引线框架的厚度的40%至80%。

8、在一些实施方式中，台阶面的台阶高度为第一引线框架的厚度的60%至70%。

9、在一些实施方式中，台阶面距离第一表面较远的部分为散热部。

10、在一些实施方式中，散热部的散热面积为台阶面的面积的20%至90%。

11、在一些实施方式中，散热部的散热面积为台阶面的面积的50%至70%。

12、在一些实施方式中，第一引线框架为漏极，第二引线框架为源极。

技术特征：

1.一种半导体封装器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其特征在于，所述第一引线框架与所述第二引线框架平行设置，且所述第一引线框架与所述第二引线框架位于不同平面上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体封装器件，其特征在于，所述第二表面设置为台阶面，所述第二引线框架邻近所述台阶面距离所述第一表面较近的部分设置。

4.根据权利要求3所述的半导体封装器件，其特征在于，所述台阶面的台阶高度为所述第一引线框架的厚度的40%至80%。

5.根据权利要求4所述的半导体封装器件，其特征在于，所述台阶面的台阶高度为所述第一引线框架的厚度的60%至70%。

6.根据权利要求3所述的半导体封装器件，其特征在于，所述台阶面距离所述第一表面较远的部分为散热部。

7.根据权利要求6所述的半导体封装器件，其特征在于，所述散热部的散热面积为所述台阶面的面积的20%至90%。

8.根据权利要求7所述的半导体封装器件，其特征在于，所述散热部的散热面积为所述台阶面的面积的50%至70%。

9.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其特征在于，所述第一引线框架为漏极，所述第二引线框架为源极。

10.一种功率模块，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的半导体封装器件。

技术总结
本申请实施例涉及器件封装技术领域，公开了一种半导体封装器件及功率模块。其中的半导体封装器件包括芯片、第一引线框架、第二引线框架及塑封体；第一引线框架具有相对设置的第一表面与第二表面，第一表面承载芯片，第二表面为非平整表面；第二引线框架与芯片电连接，第二引线框架邻近第一引线框架设置；塑封体将芯片、第一引线框架以及第二引线框架包裹在内。本申请实施例提供的半导体封装器件及功率模块，能够确保半导体封装器件在使用过程中的电压承载能力。

技术研发人员：金东
受保护的技术使用者：深圳尚阳通科技股份有限公司
技术研发日：20230630
技术公布日：2024/1/15