太阳电池和光伏组件的制作方法

本技术涉及光伏，更具体地，涉及一种太阳电池和光伏组件。

背景技术：

1、相关技术中，太阳电池电镀时，栅线会出现一定程度的拓宽，目前解决栅线拓宽的主要方式为，在表面叠加光刻胶，用光刻胶限制电镀栅线的拓宽。然而，在一些电池电镀时，需要先采用激光开膜，然后再进行电镀，此时无法在电池表面叠加光刻胶，即无法实现用光刻胶限制电镀栅线的拓宽。

2、因此，如何克服上述问题，成为现阶段亟待解决的技术问题之一。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型提供了一种太阳电池和光伏组件，通过电池本身膜层限制栅线的拓宽，以改善上述问题。

2、第一方面，本申请提供了一种太阳电池，包括硅基底、减反射层、电镀栅线槽和栅线；

3、所述减反射层位于所述硅基底的一侧表面，所述电镀栅线槽沿第一方向贯穿所述减反射层和至少部分所述硅基底，并且沿第二方向延伸，所述第一方向为所述太阳电池的厚度方向，所述第二方向与所述第一方向相交，且与所述硅基底所在平面平行；所述电镀栅线槽沿所述第一方向包括第一刻槽和第二刻槽两部分，所述第一刻槽和所述第二刻槽沿所述第一方向位置相对且连通，所述第一刻槽至少位于所述减反射层，所述第二刻槽至少位于所述硅基底；

4、所述第一刻槽的内壁的粗糙度大于所述第二刻槽的内壁的粗糙度；

5、所述栅线与所述电镀栅线槽对应设置，且所述栅线的至少部分填充于所述电镀栅线槽中。

6、可选地，其中：

7、所述栅线包括第一栅线单元和第二栅线单元，所述第一栅线单元和所述第二栅线单元连接，所述第一栅线单元位于所述电镀栅线槽中，所述第二栅线单元位于所述减反射层背离所述硅基底的一侧；

8、所述第一栅线单元沿所述第一方向的截面为矩形，所述第二栅线单元沿所述第一方向的截面为弓形，所述第二栅线单元沿所述第一方向的高度为h，1μm≤h≤3μm。

9、可选地，其中：

10、所述栅线包括第一电镀层、第二电镀层和第三电镀层，

11、所述第一电镀层镀于所述电镀栅线槽内壁，沿所述第一方向的截面呈凹槽状；

12、所述第二电镀层镀于所述第一电镀层远离所述硅基底的一侧，所述第二电镀层包括槽内单元和槽外单元，所述槽内单元填充于所述第一电镀层所形成的凹槽状结构中，所述槽外单元位于所述槽内单元背离所述减反射层的一侧；所述槽内单元沿所述第一方向的截面为矩形，所述槽外单元沿所述第一方向的截面为弓形；

13、所述第三电镀层镀于所述槽外单元远离所述槽内单元的一侧，沿所述第一方向的截面为拱桥形。

14、可选地，其中：

15、所述第一电镀层的材质为镍，所述第二电镀层的材质为铜，所述第三电镀层的材质为银或锡。

16、可选地，其中：

17、所述电镀栅线槽沿第一方向的深度为d，3μm≤d≤15μm。

18、可选地，其中：

19、所述第一刻槽沿所述第一方向的深度为d1，50nm≤d1≤1000nm。

20、可选地，其中：

21、所述电镀栅线槽沿第三方向的宽度为w，2μm≤w≤50μm，所述第三方向与所述第二方向相交，且与所述硅基底所在平面平行。

22、可选地，其中：

23、所述第一刻槽通过激光刻蚀形成，所述激光的波长为1064nm，功率为15％～55％，频率为200～10000khz。

24、可选地，其中：

25、所述第二刻槽通过刻蚀液刻蚀形成，所述刻蚀液包括氢氧化钾，所述刻蚀的时间为t，1min≤t≤30min。

26、第二方面，本申请提供一种光伏组件，包括上述太阳电池。

27、与现有技术相比，本实用新型提供的一种太阳电池和光伏组件，至少实现了如下的有益效果：

28、本申请提供了一种太阳电池和光伏组件，其中，太阳电池包括硅基底、减反射层、电镀栅线槽和栅线；减反射层位于硅基底的一侧表面，电镀栅线槽沿第一方向贯穿减反射层和至少部分硅基底，并且沿第二方向延伸，第一方向为太阳电池的厚度方向，第二方向与第一方向相交，且与硅基底所在平面平行；电镀栅线槽沿第一方向包括第一刻槽和第二刻槽两部分，第一刻槽和第二刻槽沿第一方向位置相对且连通，第一刻槽至少位于减反射层，第二刻槽至少位于硅基底；第一刻槽的内壁的粗糙度大于第二刻槽的内壁的粗糙度；栅线与电镀栅线槽对应设置，且栅线的至少部分填充于电镀栅线槽中。光伏组件包括太阳电池。本申请将栅线电镀于电镀栅线槽内，通过电镀栅线槽限制栅线的拓宽，同时电镀栅线槽包括粗糙度不同的第一刻槽和第二刻槽，有利于提升栅线和硅基底之间的结合力，从而有利于提升太阳电池的性能。

29、当然，实施本实用新型的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

30、通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

技术特征：

1.一种太阳电池，其特征在于，包括硅基底、减反射层、电镀栅线槽和栅线；

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述栅线包括第一栅线单元和第二栅线单元，所述第一栅线单元和所述第二栅线单元连接，所述第一栅线单元位于所述电镀栅线槽中，所述第二栅线单元位于所述减反射层背离所述硅基底的一侧；

3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述栅线包括第一电镀层、第二电镀层和第三电镀层，

4.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，所述第一电镀层的材质为镍，所述第二电镀层的材质为铜，所述第三电镀层的材质为银或锡。

5.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述电镀栅线槽沿第一方向的深度为d，3μm≤d≤15μm。

6.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一刻槽沿所述第一方向的深度为d1，50nm≤d1≤1000nm。

7.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述电镀栅线槽沿第三方向的宽度为w，2μm≤w≤50μm，所述第三方向与所述第二方向相交，且与所述硅基底所在平面平行。

8.根据权利要求1所述太阳电池，其特征在于，所述第一刻槽通过激光刻蚀形成，所述激光的波长为1064nm，功率为15％～55％，频率为200～10000khz。

9.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第二刻槽通过刻蚀液刻蚀形成，所述刻蚀液包括氢氧化钾，所述刻蚀的时间为t，1min≤t≤30min。

10.一种光伏组件，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的太阳电池。

技术总结
本申请提供了一种太阳电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，其中，太阳电池包括硅基底、减反射层、电镀栅线槽和栅线；减反射层位于硅基底的一侧表面，电镀栅线槽贯穿减反射层和至少部分硅基底，电镀栅线槽沿太阳电池厚度方向包括第一刻槽和第二刻槽，第一刻槽和第二刻槽位置相对且连通，第一刻槽至少位于减反射层，第二刻槽至少位于硅基底；第一刻槽的内壁的粗糙度大于第二刻槽的内壁的粗糙度；栅线的至少部分填充于电镀栅线槽中。光伏组件包括太阳电池。本申请将栅线电镀于电镀栅线槽内，通过电镀栅线槽限制栅线的拓宽，同时电镀栅线槽包括粗糙度不同的第一刻槽和第二刻槽，有利于提升栅线和硅基底之间的结合力，从而有利于提升太阳电池的性能。

技术研发人员：谢明辉,李文琪,张国春,陈一帆
受保护的技术使用者：浙江晶科能源有限公司
技术研发日：20230704
技术公布日：2024/1/15