一种永磁磁共振磁体的温控装置的制作方法

文档序号:37623501发布日期:2024-04-18 17:37阅读:9来源:国知局
一种永磁磁共振磁体的温控装置的制作方法

本技术涉及恒温永磁体,具体涉及一种永磁磁共振磁体的温控装置。


背景技术:

1、目前,磁共振永磁磁体的温度稳定性受到材料特性的影响较大,因此保证磁体的温度稳定性非常重要。现有技术通常是将永磁磁体放置在一个空调房间中,并在磁体上安装发热电阻丝来加热磁体。然而,这种方法限制了磁共振的使用场地,并且只能升温而不能降温。此外,这种方法无法将温度变化对磁体的磁场强度变化控制到最小,从而导致磁共振的频率飘移变动较大,进而影响磁共振成像的质量。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于,提供一种永磁磁共振磁体的温控装置,解决以上技术问题;

2、本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:

3、一种永磁磁共振磁体的温控装置,包括,

4、温控层,分别设于永磁磁体的上磁体表面和下磁体表面,与所述永磁磁体相接触,所述温控层包括,

5、多个加热管,内部通有第一换热介质;

6、多个冷却管,内部通有第二换热介质;

7、感温头,设于所述永磁磁体上,输出一感温信号;

8、加热器,连接所述感温头接收所述感温信号,所述加热器连接所述加热管基于所述感温信号控制所述加热管内所述第一换热介质的加热温度;

9、制冷器,连接所述感温头接收所述感温信号,所述制冷器连接所述冷却管基于所述感温信号向所述冷却管内通入所述第二换热介质以及控制所述第二换热介质的制冷温度。

10、优选的,所述加热管和所述冷却管交替平行排列,每一所述加热管与相邻的一所述冷却管之间的间距大于或等于0cm。

11、优选的,所述温控层的背离所述永磁磁体的一侧上设有保温层。

12、优选的,所述保温层为石英棉。

13、优选的,所述保温层背离所述温控层的一侧设有真空层。

14、优选的,所述感温头包括设于所述上磁体表面的中心位置的第一感温头和设于所述下磁体表面的中心位置的第二感温头。

15、优选的,所述加热器上设有第一温控仪表,连接所述感温头接收所述感温信号。

16、优选的,所述加热管内设有加热丝,所述加热丝连接所述加热器,所述第一换热介质为气态。

17、优选的,所述制冷器上设有第二温控仪表,连接所述感温头接收所述感温信号。

18、优选的,所述制冷器为制冷水泵,所述第二换热介质为液态水。

19、本实用新型的有益效果:由于采用以上技术方案,本实用新型可以使磁体稳定在一个温度范围,从而保证了永磁磁共振的磁体场强的稳定,继而保证了磁共振成像质量。



技术特征:

1.一种永磁磁共振磁体的温控装置,其特征在于,包括,

2.根据权利要求1所述的永磁磁共振磁体的温控装置,其特征在于,所述加热管(11)和所述冷却管(12)交替平行排列,每一所述加热管(11)与相邻的一所述冷却管(12)之间的间距大于或等于0cm。

3.根据权利要求1所述的永磁磁共振磁体的温控装置,其特征在于,所述温控层(1)的背离所述永磁磁体的一侧上设有保温层(5)。

4.根据权利要求3所述的永磁磁共振磁体的温控装置,其特征在于,所述保温层(5)为石英棉。

5.根据权利要求3所述的永磁磁共振磁体的温控装置,其特征在于,所述保温层(5)背离所述温控层(1)的一侧设有真空层(6)。

6.根据权利要求1所述的永磁磁共振磁体的温控装置,其特征在于,所述感温头包括设于所述上磁体表面(21)的中心位置的第一感温头(23)和设于所述下磁体表面(22)的中心位置的第二感温头(24)。

7.根据权利要求1所述的永磁磁共振磁体的温控装置,其特征在于,所述加热器(3)上设有第一温控仪表,连接所述感温头接收所述感温信号。

8.根据权利要求1所述的永磁磁共振磁体的温控装置,其特征在于,所述加热管(11)内设有加热丝,所述加热丝连接所述加热器,所述第一换热介质为气体。

9.根据权利要求1所述的永磁磁共振磁体的温控装置,其特征在于,所述制冷器(4)上设有第二温控仪表,连接所述感温头接收所述感温信号。

10.根据权利要求1所述的永磁磁共振磁体的温控装置,其特征在于,所述制冷器(4)为制冷水泵,所述第二换热介质为液态水。


技术总结
本技术涉及恒温永磁体技术领域,具体涉及一种永磁磁共振磁体的温控装置。包括,温控层,分别设于永磁磁体的上磁体表面和下磁体表面,与永磁磁体相接触,温控层包括,多个加热管,内部通有第一换热介质;多个冷却管,内部通有第二换热介质;感温头,设于永磁磁体上,输出一感温信号;加热器,加热器连接加热管基于感温信号控制第一换热介质的加热温度;制冷器,制冷器连接冷却管基于感温信号控制第二换热介质的制冷温度。本技术可以使磁体稳定在一个温度范围,从而保证了永磁磁共振的磁体场强的稳定,继而保证了磁共振成像质量。

技术研发人员:陈卫军,朱瑞星,肖林芳
受保护的技术使用者:上海深至信息科技有限公司
技术研发日:20230803
技术公布日:2024/4/17
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