本技术涉及芯片封装，特别涉及一种热电散热的高密度扇出封装结构。
背景技术：
1、在人工智能和5g技术飞速发展的趋势下，芯片功耗和功耗密度不断上升，散热已经愈发成为遏制芯片发展的重要因素。较高的热流密度会导致芯片温度提升，如果热量无法及时导出，极有可能造成芯片内部重要部件损毁。按照“10℃法则”，即在70～80℃水平上，单个电子元件每升高10℃，失效概率提升200％，可靠性下降50％。
2、目前常用的芯片散热方式有3种：结构优化、导热硅脂、金属盖。通过添加导热硅脂或者裸芯设计的方式可以显著增加散热，但是这两种方式可靠性较差；而硅基微流道散热方案尽管散热功耗可以达到200w/cm2，但是成本和加工难度限制了其实际使用。
3、热电转换技术作为一种新型清洁的温度控制方式，能够实现热能与电能的直接转换，具有无传动部件、无损耗、可靠性高等优异特点，适用于芯片封装领域精确控温，吸引了众多研究者的关注。
4、为了维持芯片在一定温度范围内安全正常的运行，亟需开发出一种高效、稳定的散热技术。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种热电散热的高密度扇出封装结构，以解决背景技术中的问题。
2、为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种热电散热的高密度扇出封装结构，包括若干个芯片、热电微粒；
3、所述热电微粒上焊接有金属片，所述若干个芯片、所述热电微粒以及所述金属片被树脂料塑封成一个塑封体；
4、所述塑封体的一面设有钝化层和布线层，所述布线层与所述热电微粒和所述若干个芯片相连；
5、所述布线层上设有植球。
6、在一种实施方式中，所述钝化层的厚度为3～12μm，所述布线层的厚度为2～10μm，所述布线层的层数为3～8层。
7、在一种实施方式中，所述热电微粒包括p型热电微粒bisb和n型热电微粒sete，或者所述热电微粒包括p型热电微粒bisbte和n型热电微粒bisete。
8、在一种实施方式中，所述热电微粒的厚度为50～1000μm，尺寸根据温控需求选择。
9、在一种实施方式中，所述金属片的材质为cu、al，厚度为50～200μm。
10、在一种实施方式中，所述树脂料的厚度高于所述若干个芯片和所述热电微粒；所述树脂料完全包覆所述若干个芯片和所述热电微粒。
11、在一种实施方式中，所述植球的球径为60～1000μm。
12、本实用新型提供的一种热电散热的高密度扇出封装结构，针对目前芯片封装散热解决方案的迫切需求，结合热电器件制冷能力，实现封装体内部强制散热，并且通过晶圆级封装工艺实现高密度布线和批量制备。
13、与现有技术相比，本实用新型的降温效率高，通过热电制冷技术实现高功率芯片处的快速降温；封装方案成本较低；由于使用先布线后倒装芯片的方法以及玻璃晶圆较高的刚性，可以显著改善布线过程中的翘曲问题，实现高密度、高层数布线，满足当前飞速增长的i/o端引出需求。与此同时，由于热电微粒与芯片同属半导体材料，具有较为接近的热膨胀系数，相较于金属罩不易产生可靠性问题。
1.一种热电散热的高密度扇出封装结构，其特征在于，包括若干个芯片(105)、热电微粒(106)；
2.如权利要求1所述的热电散热的高密度扇出封装结构，其特征在于，所述钝化层(103)的厚度为3～12μm，所述布线层(104)的厚度为2～10μm，所述布线层(104)的层数为3～8层。
3.如权利要求1所述的热电散热的高密度扇出封装结构，其特征在于，所述热电微粒(106)包括p型热电微粒bisb和n型热电微粒sete，或者所述热电微粒(106)包括p型热电微粒bisbte和n型热电微粒bisete。
4.如权利要求1所述的热电散热的高密度扇出封装结构，其特征在于，所述热电微粒(106)的厚度为50～1000μm，尺寸根据温控需求选择。
5.如权利要求1所述的热电散热的高密度扇出封装结构，其特征在于，所述金属片(107)的材质为cu、al，厚度为50～200μm。
6.如权利要求1所述的热电散热的高密度扇出封装结构，其特征在于，所述树脂料(108)的厚度高于所述若干个芯片(105)和所述热电微粒(106)；所述树脂料(108)完全包覆所述若干个芯片(105)和所述热电微粒(106)。
7.如权利要求1所述的热电散热的高密度扇出封装结构，其特征在于，所述植球(109)的球径为60～1000μm。