一种旋涂DBR结构制备方法与流程

本发明属于发光二极管外延，具体涉及一种旋涂dbr结构制备方法。

背景技术：

1、dbr(distributed bragg reflector)即分布式布拉格反射器，是在波导中使用的反射器。当光经过不同介质时在界面的地方会反射，反射率的大小会与介质折射率大小有关，因此如果把不同折射率的薄膜交互周期性的堆叠在一起，当光经过这些不同折射率的薄膜时，由于各层反射回来的光因相位角的改变而进行建设性干涉，然后互相结合在一起，得到强烈反射光。

2、目前市场上使用的dbr结构多为真空镀膜机即cvd、pvd、ald等设备沉积镀膜得到的，例如专利cn117107207a，cn1170396617a中的方法，然而上述方式设备启用成本相对较高，制备方法操作繁琐。

技术实现思路

1、本发明的目的在于解决上述问题，提供一种旋涂dbr结构制备方法。

2、为实现上述目的，本发明提供一种旋涂dbr结构制备方法，旋涂dbr结构制备方法，包括：

3、旋涂dbr结构制备方法，包括：

4、s1、选取蓝宝石或硅片作为基底；

5、s2、将液体旋涂材料qhn和液体旋涂材料qln交替旋涂堆叠在所述基底上；

6、所述液体旋涂材料qhn和所述液体旋涂材料qln交替堆叠11-17层,并且最上层为液体旋涂材料qhn；

7、所述液体旋涂材料qln为氧化硅材料，折射率小于1.2；

8、所述液体旋涂材料qhn为氧化钛材料，折射率大于2.1。

9、进一步地，所述液体旋涂材料qhn旋涂时，旋涂膜层厚度为35nm—80nm。

10、进一步地，所述液体旋涂材料qhn旋涂时，旋涂转速为800rpm—1800rpm。

11、进一步地，所述液体旋涂材料qhn旋涂后包括：

12、第一次烘烤：烘烤温度130℃，时间1-3分钟；

13、第二次烘烤：烘烤温度300℃，温度1-4分钟。

14、进一步地，所述液体旋涂材料qln旋涂时，旋涂膜层厚度为60nm—170nm。

15、进一步地，所述液体旋涂材料qln旋涂时，旋涂转速为2000rpm—2800rpm。

16、进一步地，所述液体旋涂材料qln旋涂后包括：

17、第一次烘烤：烘烤温度80℃，时间1-3分钟；

18、第二次烘烤：烘烤温度150℃，时间2-4分钟；

19、第三次烘烤：烘烤温度300℃，时间2-15分钟。

20、本发明的有益效果如下:

21、本发明的旋涂dbr结构制备方法，操作方便，只需要旋涂机即可完成，并且获得的dbr结构具有极高的反射率。

技术特征：

1.一种旋涂dbr结构制备方法，包括：

2.根据权利要求1所述的旋涂dbr结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料qhn旋涂时，旋涂膜层厚度为35nm—80nm。

3.根据权利要求2所述的旋涂dbr结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料qhn旋涂时，旋涂转速为800rpm—1800rpm。

4.根据权利要求3所述的旋涂dbr结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料qhn旋涂后包括：

5.根据权利要求4所述的旋涂dbr结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料qln旋涂时，旋涂膜层厚度为60nm—170nm。

6.根据权利要求5所述的旋涂dbr结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料qln旋涂时，旋涂转速为2000rpm—2800rpm。

7.根据权利要求6所述的旋涂dbr结构制备方法，其特征在于，所述液体旋涂材料qln旋涂后包括：

技术总结
本发明属于发光二极管外延技术领域，具体涉及一种旋涂DBR结构制备方法，包括：S1、选取蓝宝石或硅片作为基底；S2、将液体旋涂材料QHN和液体旋涂材料QLN交替旋涂堆叠在所述基底上；所述液体旋涂材料QHN和所述液体旋涂材料QLN交替堆叠11‑17层,并且最上层为液体旋涂材料QHN；所述液体旋涂材料QLN为氧化硅材料，折射率小于1.2；所述液体旋涂材料QHN为氧化钛材料，折射率大于2.1。本发明的旋涂DBR结构制备方法，操作方便，只需要旋涂机即可完成，并且获得的DBR结构具有极高的反射率。

技术研发人员：李铮,陈维恕,刘欣,吴显印,王云,段轶飞,何丹丹,黄师侨,余镭,甘柳花
受保护的技术使用者：夸泰克（广州）新材料有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17