调整晶圆的参数的方法、装置、设备及计算机存储介质与流程

本公开实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种调整晶圆的参数的方法、装置、设备及计算机存储介质。

背景技术：

1、晶圆是制作集成电路的重要材料，通过对晶圆进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。众所周知，由晶圆制成的半导体器件有着惊人的运算能力。随着自动化技术和计算机技术的飞速发展，由晶圆制成的半导体器件的应用范围越来越广，目前已广泛应用于航空航天、工业、农业和国防等各个领域。当然，随着晶圆在各行各业的广泛应用，对晶圆的质量要求也日益严苛。可以理解地，晶圆的任何细微差异都会影响到晶圆的质量，进而影响由晶圆制成的半导体器件的功能。

2、随着先进制程的发展，现有规格下认为表面为平面的晶圆在更高规格下并不表现为平面，该晶圆的表面是具有地形变化的，在这种情况下该晶圆表面向内物质传递和能量传递是不均匀的，进而制约了该晶圆应用于更小线宽的先进制程。因此在实际中需要对晶圆表面的地形进行调整以通过提高晶圆表面的平坦度来提升晶圆表面向内物质传递和能量传递的均匀性，从而降低良率损失。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例期望提供一种调整晶圆的参数的方法、装置、设备及计算机存储介质；能够提高晶圆表面的平坦度，降低良率损失。

2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本公开实施例提供了一种调整晶圆的参数的方法，所述方法包括：

4、按照设定的采样方法在待测晶圆的表面上采集多个采样点；

5、基于所述待测晶圆的基准高度，获取所述多个采样点中的每个采样点所对应的高度变化数据；

6、基于所述每个采样点所对应的高度变化数据，获取所述每个采样点处的高度梯度；

7、基于所有采样点处的高度梯度，将所述待测晶圆旋转设定的角度。

8、第二方面，本公开实施例提供了一种调整晶圆的参数的装置，所述装置包括：采集部，第一获取部，第二获取部以及旋转部；其中，

9、所述采集部，被配置为按照设定的采样方法在待测晶圆的表面上采集多个采样点；

10、所述第一获取部，被配置为基于所述待测晶圆的基准高度，获取所述多个采样点中的每个采样点所对应的高度变化数据；

11、所述第二获取部，被配置为基于所述每个采样点所对应的高度变化数据，获取所述每个采样点处的高度梯度；

12、所述旋转部，被配置为基于所有采样点处的高度梯度，将所述待测晶圆旋转设定的角度。

13、第三方面，本公开实施例提供了一种计算设备，所述计算设备包括处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现根据第一方面所述的调整晶圆的参数的方法。

14、第四方面，本公开实施例提供了一种计算机存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现根据第一方面所述的调整晶圆的参数的方法。

15、本公开实施例提供了一种调整晶圆的参数的方法、装置、设备及计算机存储介质；按照设定的选取方法在待测晶圆的表面上选取多个采样点；基于待测晶圆的基准高度，获取多个采样点中的每个采样点所对应的高度变化数据，并获取所有采样点处的高度梯度，将待测晶圆旋转设定的角度，提高了待测晶圆表面的平坦度，进而提升了待测晶圆的表面向内物质传递和能量传递的均匀性和可控性，降低了待测晶圆的良率损失。

技术特征：

1.一种调整晶圆的参数的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采样方法，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用菲索相移干涉法，红外法或者电容法获取所述每个采样点处的高度变化数据。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述每个采样点所对应的高度变化数据，获取所述每个采样点处的高度梯度，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所有采样点处的高度梯度，将所述待测晶圆旋转设定的角度，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述当所述待测晶圆的表面出现晶面转变时，将所述待测晶圆旋转设定的角度之后，包括：

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述当所述待测晶圆的表面出现晶面转变时，将所述待测晶圆旋转设定的角度，还包括：

8.一种调整晶圆的参数的装置，其特征在于，所述装置包括：采集部，第一获取部，第二获取部以及旋转部；其中，

9.一种计算设备，其特征在于，所述计算设备包括处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现根据权利要求1至7任一所述的调整晶圆的参数的方法。

10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现根据权利要求1至7任一所述的调整晶圆的参数的方法。

技术总结
本公开实施例公开了一种调整晶圆的参数的方法、装置、设备及计算机存储介质；所述方法包括：按照设定的采样方法在待测晶圆的表面上采集多个采样点；基于所述待测晶圆的基准高度，获取所述多个采样点中的每个采样点所对应的高度变化数据；基于所述每个采样点所对应的高度变化数据，获取所述每个采样点处的高度梯度；基于所有采样点处的高度梯度，将所述待测晶圆旋转设定的角度。

技术研发人员：李安杰
受保护的技术使用者：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17