本技术属于光伏,具体涉及一种太阳能电池及光伏组件。
背景技术:
1、在太阳能电池制备过程中,通常会在电池的正面和/或背面沉积形成两种不同导电类型的导电膜层,在导电膜层沉积过程中,电池侧面不可避免的会出现绕镀,以至于电池侧面形成的两种不同类型的导电膜层容易导通而导致电池漏电。
2、为了避免由于侧面绕镀引起的漏电风险,相关技术中通常采用两种处理方法:一种是在电池制备过程中对侧面进行遮挡覆盖,避免电池侧面形成绕镀的导电膜层,但该方法工艺复杂且精度要求高;另一种是导电膜层沉积时不对侧面进行遮挡,在沉积完成后再使用化学溶剂去除侧面的绕镀层,该方法工艺也较复杂且容易损伤电池。并且,相关技术中的电池侧面直接暴露在外,也会存在受损和漏电的风险。
技术实现思路
1、本技术旨在提供一种太阳能电池及光伏组件,能够解决相关技术的电池制备工艺中侧面绕镀的导电膜层容易导通而导致电池漏电,而去除绕镀层又会使得侧面没有钝化,且电池的四周侧面直接暴露在外也会存在受损和漏电风险的问题。
2、为了解决上述技术问题,本技术是这样实现的:
3、第一方面,本技术实施例提出了一种太阳能电池,包括:硅基底;所述硅基底具有相对的受光面和背光面,以及设于所述受光面和所述背光面之间的侧面;
4、所述侧面上设有保护层,沿远离所述硅基底的方向,所述保护层包括依次设置于所述侧面上的第一导电层、绝缘层和第二导电层;所述第一导电层与所述第二导电层导电类型相反。
5、可选地,沿平行于所述背光面的方向,所述背光面具有交替设置的第一区域和第二区域;所述第一区域形成有所述第一导电层,所述第二区域形成有所述第二导电层。
6、可选地,所述保护层还包括位于所述侧面和所述第一导电层之间的第一钝化层以及位于所述绝缘层和所述第二导电层之间的第二钝化层;
7、沿平行于所述背光面的方向,所述背光面具有交替设置的第一区域和第二区域;沿远离所述硅基底的方向,所述第一区域依次形成有所述第一钝化层和所述第一导电层,所述第二区域依次形成有所述第二钝化层和所述第二导电层;所述第一区域与所述第二区域之间设有所述绝缘层。
8、可选地,所述侧面与所述背光面交界处为第一位置,所述侧面与所述受光面交界处为第二位置,所述保护层在所述第一位置的厚度大于所述保护层在所述第二位置的厚度。
9、可选地,所述保护层在所述第一位置的厚度为d1,所述保护层在所述第二位置的厚度为d2,满足:1<d1/d2≤10。
10、可选地,所述背光面上的所述第一钝化层和所述第一导电层的总厚度为h1,位于所述第一位置的所述第一钝化层和所述第一导电层的总厚度为h11,位于所述第二位置的所述第一钝化层和所述第一导电层的总厚度为h12,满足:h12<h11≤h1。
11、可选地,所述侧面上位于所述第一位置的所述第一钝化层和所述第一导电层的总厚度为h11与所述侧面上位于所述第二位置的所述第一钝化层和所述第一导电层的总厚度为h12满足:0.2≤h12/h11<1。
12、可选地,所述背光面上的所述第一钝化层和所述第一导电层的总厚度h1与位于所述第一位置的所述第一钝化层和所述第一导电层的总厚度h11满足:0.5≤h11/h1≤1。
13、可选地,所述背光面上的所述第一钝化层和所述第一导电层的总厚度h1与位于所述第二位置的所述第一钝化层和所述第一导电层的总厚度h12满足:0.2≤h12/h1≤0.6。
14、可选地,所述背光面上的所述绝缘层的厚度为h2,位于所述第一位置的所述绝缘层的厚度为h21,位于所述第二位置的所述绝缘层的厚度为h22,满足:h22<h21≤h2。
15、可选地,所述侧面上位于所述第一位置的所述绝缘层的厚度为h21与所述侧面上位于所述第二位置的所述绝缘层的厚度为h22满足:0.2≤h22/h21<1。
16、可选地,所述背光面上的所述绝缘层的厚度h2与位于所述第一位置的所述绝缘层的厚度h21满足:0.5≤h21/h2≤1。
17、可选地,所述背光面上的所述绝缘层的厚度h2与位于所述第二位置的所述绝缘层的总厚度h22满足:0.2≤h22/h2≤0.6。
18、可选地,所述背光面上的所述第二钝化层和所述第二导电层的总厚度为h3,位于所述第一位置的所述第二钝化层和所述第二导电层的总厚度为h31,位于所述第二位置的所述第二钝化层和所述第二导电层的总厚度为h32,满足:h32<h31≤h3。
19、可选地,所述侧面上位于所述第一位置的所述第二钝化层和所述第二导电层的总厚度为h31与所述侧面上位于所述第二位置的所述第二钝化层和所述第二导电层的总厚度为h32满足:0.2≤h32/h31<1。
20、可选地,所述背光面上的所述第二钝化层和所述第二导电层的总厚度h3与位于所述第一位置的所述第二钝化层和所述第二导电层的总厚度h31满足:0.5≤h31/h3≤1。
21、可选地,所述背光面上的所述第二钝化层和所述第二导电层的总厚度h3与位于所述第二位置的所述第二钝化层和所述第二导电层的总厚度h32满足:0.2≤h32/h3≤0.6。
22、可选地,所述保护层还包括第三钝化层和减反层,所述第三钝化层设于所述第二导电层背离所述侧面的一侧,所述减反层设于所述第三钝化层背离所述第二导电层的一侧;
23、沿远离所述硅基底的方向,所述受光面上依次形成有所述第三钝化层和所述减反层。
24、可选地,所述受光面上的所述第三钝化层和所述减反层的总厚度为h4,位于所述第一位置的所述第三钝化层和所述减反层的总厚度为h41,位于所述第二位置的所述第三钝化层和所述减反层的总厚度为h42,满足:h41<h42≤h4。
25、可选地,所述侧面上位于所述第一位置的所述第三钝化层和所述减反层的总厚度为h41与所述侧面上位于所述第二位置的所述第三钝化层和所述减反层的总厚度为h42满足:0.1≤h42/h41<1。
26、可选地,所述受光面上的所述第三钝化层和所述减反层的总厚度h4与位于所述第一位置的所述第三钝化层和所述减反层的总厚度h41满足:0.1≤h41/h4≤0.4。
27、可选地,所述受光面上的所述第三钝化层和所述减反层的总厚度h4与位于所述第二位置的所述第三钝化层和所述减反层的总厚度h42满足:0.5≤h42/h4≤0.8。
28、可选地,所述保护层还包括:透明导电层,所述透明导电层设于所述减反层背离所述侧面一侧;
29、所述第一区域和所述第二区域中至少一个设有所述透明导电层,所述透明导电层设于所述第一导电层和/或所述第二导电层背离所述背光面的一侧。
30、可选地,位于所述背光面的所述透明导电层的厚度为h5,位于所述第一位置的所述透明导电层的厚度为h51,位于所述第二位置的所述透明导电层的厚度为h52,满足:h52<h51≤h5。
31、可选地,所述侧面上位于所述第一位置的所述透明导电层的厚度为h51与所述侧面上位于所述第二位置的所述透明导电层的厚度为h52满足:0.3≤h52/h51<1。
32、可选地,所述背光面上的所述透明导电层的厚度h5与位于所述第一位置的所述透明导电层的厚度h51满足:0.5≤h51/h5≤1。
33、可选地,所述背光面上的透明导电层的厚度h5与位于所述第二位置的透明导电层的厚度h52满足:0.2≤h52/h5≤0.5。
34、第二方面,本技术实施例提出了一种光伏组件,包括上述任一项所述的太阳能电池。
35、在本技术的实施例中,通过在硅基底的侧面上设置保护层,保护层包括设于硅基底的侧面上的第一导电层、绝缘层和第二导电层,利用绝缘层对第一导电层与第二导电层之间进行绝缘隔离,以便在电池制备过程中无需专门去除硅基底侧面上绕镀形成的导电层,有助于简化电池的生产工艺。并且,利用保护层可以起到对硅基底侧面的钝化保护作用,既能避免硅基底的侧面直接暴露而存在的受损和漏电的风险,又能减少硅基底侧面的载流子复合,提升电池的转换效率。
36、本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本技术的实践了解到。