1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述去除所述第三浅沟槽隔离层，以暴露所述第二浅沟槽隔离层之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除所述第三浅沟槽隔离层，以暴露所述第二浅沟槽隔离层，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述通过在第一凹槽中沉积金属材料，形成埋层结构之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一浅沟槽隔离层，以暴露所述第二浅沟槽隔离层，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述通过在所述第一凹槽中沉积金属材料，形成所述埋层结构之后，所述方法还包括：
7.根据权利要求2或6所述的方法，其特征在于，所述第一晶体管的金属通孔包括第一源漏金属通孔；
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一晶体管的金属通孔还包括第二源漏金属通孔；
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶体管的金属通孔包括第一栅极互连通孔，所述第二晶体管的金属通孔包括第二栅极互连通孔，
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶体管的金属通孔包括第一栅极互连通孔，所述第二晶体管的金属通孔包括第二栅极互连通孔；
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽包括对应于第一晶体管的第二凹槽，所述埋层结构包括对应于所述第一晶体管的第一埋层结构；
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽还包括对应于第二晶体管的第三凹槽，所述埋层结构还包括对应于第二晶体管的第二埋层结构；
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一有源结构包括多个间隔设置的第一鳍状结构，所述第二有源结构包括多个间隔设置的第二鳍状结构；
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成埋层结构之后，所述方法还包括：
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶体管的金属通孔包括第一源漏金属通孔和第一栅极互连通孔，所述第二晶体管的金属通孔包括第二源漏金属通孔和第二栅极互连通孔，第一源漏金属通孔和第二源漏金属通孔连接；
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述埋层结构、所述第一源漏金属通孔和所述第二源漏金属通孔位于所述有源结构的同一侧的情况下；
17.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用如权利要求1至16任一项所述的方法制备得到，包括：
18.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，
20.根据权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，
21.一种半导体器件，其特征在于，包括：如权利要求17所述的半导体结构。
22.一种电子设备，其特征在于，包括：电路板以及如权利要求21所述的半导体器件，半导体器件设置于电路板。